Informations personnelles
Abdelkader SOUIFI

Professeur des Universités INSA

Localisation INL
Site INSA
Bâtiment Blaise Pascal
7 avenue Jean Capelle
69621 VILLEURBANNE CEDEX
France
Téléphone (33).04 72 43 89 62
Courriel abdelkader.souifi@insa-lyon.fr
   
Activités de recherche    Publications
Activités de recherche

Département : Electronique

Equipe de recherche : Dispositifs Electroniques

Domaine d'activités :

Publications des 5 dernières années
LECLERCQ Jean-Louis
Chercheur

Localisation Site INSA,ECL,UCB,CPE
Téléphone (33).04 72 18 65 63
Courriel jean-louis.leclercq@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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McADAMS Eric
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 86
Courriel eric.mcadams@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
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MARCHAND Cédric
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 38
Courriel cedric.marchand@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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BRIK Adil
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel adil.brik@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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HAN Dong
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel dong.han@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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TAITT Rachael
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel rachael.taitt@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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DEMONGODIN Pierre
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel pierre.demongodin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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DELLA TORRE Alberto
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel alberto.della-torre@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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RODICHKINA Sofia
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel sofia.rodichkina@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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MAHATO Prabir
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel prabir.mahato@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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GRENET Geneviève
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 58
Courriel genevieve.grenet@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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GOURE Jean-Baptiste
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 85
Courriel jean-baptiste.goure@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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GENDRY Michel
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 50
Courriel michel.gendry@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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GAFFIOT Frédéric
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 47
Courriel frederic.gaffiot@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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DEVIF Brice
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 38
Courriel brice.devif@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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CARREL Laurent
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 61 41
Courriel laurent.carrel@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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CREMILLIEU Pierre
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 41
Courriel pierre.cremillieu@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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BOTELLA Claude
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 67 20
Courriel claude.botella@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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CALLARD Ségolène
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 58
Courriel segolene.callard@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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DEGOUTTES Jérôme
IATOS ITA

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 62 82
Courriel jerome.degouttes@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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TAUTE Arnaud
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel arnaud.taute@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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DUPUIS Etienne
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 59
Courriel etienne.dupuis@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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MOULIN Nelly
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel nelly.moulin@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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LETARTRE Xavier
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 81
Courriel xavier.letartre@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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MARTIN Thérèse
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 51
Courriel therese.martin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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PHANER-GOUTORBE Magali
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 32
Courriel magali.phaner@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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REGRENY Philippe
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 48
Courriel philippe.regreny@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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ROBACH Yves
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 44
Courriel yves.robach@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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ROJO ROMEO Pedro
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 65 41
Courriel pedro.rojo-romeo@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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SEASSAL Christian
Chercheur

Localisation Site INSA,ECL,UCB,CPE
Téléphone (33).04 72 18 60 64
(33).04 72 43 71 87
Courriel christian.seassal@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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VIKTOROVITCH Pierre
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 66
Courriel pierre.viktorovitch@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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O CONNOR Ian
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 54
Courriel ian.oconnor@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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CLOAREC Jean-Pierre
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 52
Courriel jean-pierre.cloarec@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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NAVARRO David
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 63 98
Courriel david.navarro@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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VILQUIN Bertrand
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 54
Courriel bertrand.vilquin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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DROUARD Emmanuel
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 45
Courriel emmanuel.drouard@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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MAZURCZYK Radoslaw
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 65 48
Courriel radoslaw.mazurczyk@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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LAURENCEAU Emmanuelle
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 40
Courriel emmanuelle.laurenceau@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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CHEVOLOT Yann
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 40
Courriel yann.chevolot@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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GAETANI Robin
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel robin.gaetani@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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MORENO VILLAVICENCIO Maiglid Andreina
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel maiglid.moreno-villavicencio@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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SAINT-GIRONS Guillaume
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 65 97
Courriel guillaume.saint-girons@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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NABETH Isabel
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 46
Courriel isabel.nabeth@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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CHATEAUX Jean-François
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 14 37
Courriel jean-francois.chateaux@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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DEMAN Anne-Laure
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 14 37
Courriel anne-laure.deman@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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FERRIGNO Rosaria
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 19 23
Courriel rosaria.ferrigno@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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KLEIMANN Pascal
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 62 59
Courriel pascal.kleimann@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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LU Guo-Neng
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 27 39
Courriel guo-neng.lu@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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MARTY Olivier
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 19 12
Courriel olivier.marty@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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MORIN Pierre
Autres

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 10 24
Courriel pierre.morin@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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PITTET Patrick
IATOS ITA

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 10 24
Courriel patrick.pittet@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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QUIQUEREZ Laurent
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 81 74
Courriel laurent.quiquerez@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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RENAUD Louis
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 62 59
Courriel louis.renaud@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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ABOUCHI Nacer
Enseignant chercheur

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 15 24
Courriel abouchi@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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ALBERTINI David
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 67
Courriel david.albertini@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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BRUHAT Elise
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04.xx.xx.xx.xx
Courriel elise.bruhat@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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BERRY Florian
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel florian.berry@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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APOSTOLUK Aleksandra
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 71 86
Courriel aleksandra.apostoluk@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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FOLTZER Emmanuelle
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 22
Courriel emmanuelle.foltzer@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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BABOUX Nicolas
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 67
Courriel nicolas.baboux@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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BARBIER Daniel
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 85 47
Courriel daniel.barbier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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BENYATTOU Taha
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 71 49
Courriel taha.benyattou@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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BLUET Jean-Marie
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 32
Courriel jean-marie.bluet@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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BREMOND Georges
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 80 66
Courriel georges.bremond@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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BRU-CHEVALLIER Catherine
Chercheur

Localisation Site INSA,ECL,UCB,CPE
Téléphone (33).04 72 43 89 06
(33).04 72 18 60 67
Courriel catherine.bru-chevallier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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CALMON Francis
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 61 59
Courriel francis.calmon@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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BOUSSETTA Lotfi
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 46
Courriel lotfi.boussetta@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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MOALLA Rahma
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18
Courriel rahma.moalla@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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TAURELLE Marjorie
IATOS ITA

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 14 33
Courriel marjorie.taurelle@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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ZROUNBA Clément
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 59
Courriel clement.zrounba@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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FREYERMUTH Hugo
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel hugo.freyermuth@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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TAFRAOUTI Asmae
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel asmae.tafraouti@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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DESCAMPS Lucie
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel lucie.descamps@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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EL JALLAL Said
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel said.el-jallal@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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MONTALIBET Amalric
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 88
Courriel amalric.montalibet@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
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VIDAL DE NEGREIROS DA SILVA Thais-Luna
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel thais-luana.vidal-de-negreiros-da-silva@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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BOSIO Alberto
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 47
Courriel alberto.bosio@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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DE PINHO FERREIRA Nicolas
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel nicolas.de-pinho-ferreira@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
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BELAROUCI Ali
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 60
Courriel ali.belarouci@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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FAVE Alain
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 84 64
Courriel alain.fave@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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FOURMOND Erwann
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 33
Courriel erwann.fourmond@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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GALVAN Jean-Marc
Enseignant chercheur

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 84 93
Courriel galvan@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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GAUTIER Brice
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 70 03
Courriel brice.gautier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
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GEHIN Claudine
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 88
Courriel claudine.gehin@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
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GIRARD Philippe
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 61 36
Courriel philippe.girard@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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GONTRAND Christian
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 80 67
Courriel christian.gontrand@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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GREGOIRE Joëlle
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 66
Courriel joelle.gregoire@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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GUILLOT Gérard
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 81 61
Courriel gerard.guillot@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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JAMOIS Cecile
Chercheur

Localisation Site INSA,ECL
Téléphone (33).04 72 43 71 53
(33).04 72 18 62 49
Courriel cecile.jamois@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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JOLY François
IATOS ITA

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 13 36
Courriel joly@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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LE BERRE Martine
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 88 62
Courriel martine.leberre@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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ANDRE Bénédicte
IATOS ITA

Localisation Site INSA,ECL,UCB,CPE
Téléphone (33).04 72 18 60 82
(33).04 72 43 71 89
Courriel benedicte.andre@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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LEMITI Mustapha
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 31
Courriel mustapha.lemiti@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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LYSENKO Vladimir
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 70 02
Courriel vladimir.lysenko@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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MALHAIRE Christophe
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 61 34
Courriel christophe.malhaire@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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MILITARU Liviu
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 33
Courriel liviu.militaru@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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NYCHYPORUK Tetyana
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 85 40
Courriel tetyana.nychyporuk@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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OROBTCHOUK Régis
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 07
Courriel regis.orobtchouk@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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PLOSSU Carole
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 33
Courriel carole.plossu@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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PRUDON Gilles
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 63 47
Courriel gilles.prudon@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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NOURY Norbert
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 74 54
Courriel norbert.noury@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
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REMAKI Boudjemaa
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 83 27
Courriel boudjemaa.remaki@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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ROBIN Olivier
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 71 14
Courriel olivier.robin@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
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BENAMROUCHE Aziz
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 38
Courriel aziz.benamrouche@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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CANUT Bruno
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 34
Courriel bruno.canut@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
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GUENERY Pierre-Vincent
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 64 43
Courriel pierre-vincent.guenery@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
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SOUIFI Abdelkader
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 62
Courriel abdelkader.souifi@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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VERDIER Jacques
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 35
Courriel jacques.verdier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
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PUYOO Etienne
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 73 97
Courriel etienne.puyoo@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
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CELLIER Rémy
Enseignant chercheur

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 44 84 59
Courriel remy.cellier@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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LAYOUNI Yasmina
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 26 29
Courriel yasmina.layouni@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
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DUMONT Hervé
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 47
Courriel herve.dumont@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
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SUSLEC Annie
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 88 59
Courriel annie.suslec@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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BLANC-PELISSIER Danièle
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 72 86
Courriel daniele.blanc@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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LOPEZ Raphaël
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 34
Courriel raphael.lopez@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche
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LAGARDE Virginie
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 83 29
Courriel virginie.lagarde@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
Plus de détails  
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DUFAUT Patricia
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 57
Courriel patricia.dufaut@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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GRILLET Christian
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 53
Courriel christian.grillet@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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MICHIT Nicolas
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel nicolas.michit@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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PEYRONNET-DREMIERE Rafaël
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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FORNACCIARI Benjamin
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 55
Courriel benjamin.fornacciari@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
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MONNIER Virginie
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 39
Courriel virginie.monnier@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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MAZAURIC Serge
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL,CPE
Téléphone (33).
Courriel serge.mazauric@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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HOANG Ngoc-Vu
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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BOURRET Aurélie
IATOS ITA

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 13 35
Courriel secretariat.sn@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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URBAIN Mathias
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel mathias.urbain@univ-smb.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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ZHANG Yu
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel yu.zhang@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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GEHIN Thomas
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 42
Courriel thomas.gehin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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PENUELAS José
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 59
Courriel jose.penuelas@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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JAFFAL Ali
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel ali.jaffal@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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GAIGNEBET Nicolas
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel nicolas.gaignebet@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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DELERUYELLE Damien
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 62
Courriel damien.deleruyelle@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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CHEVALIER Céline
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 55
Courriel celine.chevalier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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MASENELLI Bruno
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 74 72
Courriel bruno.masenelli@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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LE BEUX Sébastien
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 47
Courriel sebastien.le-beux@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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LABRAK Lioua
Enseignant chercheur

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 18 29
Courriel lioua.labrak@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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BACHELET Romain
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 65
Courriel romain.bachelet@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
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CANTAN Mayeul
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel mayeul.cantan@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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MONAT Christelle
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 49
Courriel christelle.monat@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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LHUILLIER Jérémy
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel jeremy.lhuillier@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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RIGAULT Samuel
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel samuel.rigault@st.com
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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CANERO-INFANTE Ingrid
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04.72.43.70.03
Courriel ingrid.canero-infante@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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DOYEUX Yvan
IATOS ITA

Localisation Site INSA,UCB
Téléphone (33).04 72 43 70 27
Courriel yvan.doyeux@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche
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FAIVRE Magalie
Chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 19 12
Courriel magalie.faivre@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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PERODOU Arthur
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel arthur.perodou@doctorant.ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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AUDRY-DESCHAMPS Marie-Charlotte
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 10 24
Courriel marie-charlotte.deschamps@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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YEROMONAHOS Christelle
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 35
Courriel christelle.yeromonahos@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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BOUAZIZ Jordan
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel jordan.bouaziz@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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MANDORLO Fabien
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 74 77
Courriel fabien.mandorlo@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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HO Emmeline
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel emmeline.ho@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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BENHAMMOU Younès
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel younes.benhammou@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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WOOD Thomas
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel thomas.wood@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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TERRIER Nicolas
IATOS ITA

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 62 82
Courriel nicolas.terrier@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
Plus de détails  
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CHAUVIN Nicolas
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 74 65
Courriel nicolas.chauvin@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
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CUEFF Sébastien
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 79
Courriel sebastien.cueff@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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NGUYEN Hai Son
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 87
Courriel hai-son.nguyen@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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DANESCU Alexandre
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 58
Courriel alexandre.danescu@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
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BERGUIGA Lotfi
IATOS ITA

Localisation Site INSA,ECL
Téléphone (33).04.72.43.75.34
Courriel lotfi.berguiga@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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JOBERT Gabriel
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel gabriel.jobert@cea.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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DEL BOSQUE Lucien
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel lucien.del-bosque@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
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MEKKAOUI Samir
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel samir.mekkaoui@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
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CALVO Michele
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel michele.calvo@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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CHAVES DE ALBUQUERQUE Tulio
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 64 43
Courriel tulio.chaves-de-albuquerque@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
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YANG Zihua
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel zihua.yang@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
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MASSOT Bertrand
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 71 15
Courriel bertrand.massot@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
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GONCALVES Sylvie
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 43
Courriel sylvie.goncalves@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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KEMPF Eva
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel eva.kempf@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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CHEN Xiushna
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB,Autres
Téléphone (33).
Courriel xchen@ipnl.in2p3.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
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DALLEAU Thomas
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB,Autres
Téléphone (33).
Courriel thomas.dalleau@st.com
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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SINOBAD Milan
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel milan.sinobad@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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GUIRAL Pierrick
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB,Autres
Téléphone (33).
Courriel pierrick.guiral@dosilab.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
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FERRIER Lydie
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 80 66
Courriel lydie.ferrier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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BRICHE Rémi
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel remi.briche@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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DANG Ha My
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 76 18 60 77
Courriel ha-my-nguyen.dang@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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VINCENT Daniel
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 36
Courriel daniel.vincent@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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AMARA Mohamed
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 76 10
Courriel mohamed.amara@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
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EL WHIBI Seif
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel seif.el-whibi@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
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BENCHEMOUL Maxime
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel maxime.benchemoul@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
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BROTTET Solène
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 67
Courriel solene.brottet@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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SARELLI Eirini
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).04 72 18 60 77
Courriel eirini.sarelli@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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LECOT Solène
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 36
Courriel solene.lecot@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
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KEMICHE Malik
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel malik.kemiche@doctorant.ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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PLANTIER Simon
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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BAI Xiaofei
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel xiaofei.bai@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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TONI Arnaud
Chercheur non permanent

Localisation Site CPE,Autres
Téléphone (33).
Courriel arnaud@enduratechnologies.com
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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BOURAS Mohamed
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel mohamed-elhachmi.bouras@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
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EL DIRANI Houssein
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel houssein.el-dirani@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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JOHN Jimmy
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel jimmy.john@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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ARMAND Rémi
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel remi.armand@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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STRUSS Quentin
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel quentin.struss@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
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LI Xiao
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel xiao.li@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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SYNHAIVSKYI Oleksandr
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel oleksandr.synhaivskyi@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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GONZALEZ CASAL Sergio
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel sergio.gonzalez-casal@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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DURSAP Thomas
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel thomas.dursap@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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MERMET LYAUDOZ Raphaël
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 55
Courriel raphael.mermet-lyaudoz@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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ESTEVES Josué
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 14 33
Courriel josue.esteves@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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PLOURDE Maxime
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel maxime.plourde@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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ISSARTEL Dylan
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel dylan.issartel@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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GIGLIA Valentin
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel Valentin.GIGLIA@cea.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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SOSNA-GLEBSKA Aleksandra
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel aleksandra.sosna-gelbska@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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NASSIET Thomas
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel thomas.nassiet1@st.com
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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VINCENT Mathieu
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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BOUSSADI Younes
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel Younes.BOUSSADI@cea.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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POITTEVIN Arnaud
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel arnaud.poittevin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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Articles dans des revues internationales ou nationales avec comité de lecture répertoriées par l’AERES ou dans les bases de données internationales (21 publications)

  • Ion beam synthesis of indium-oxide nanocrystals for improvement of oxide resistive random-access memories
    Ion beam synthesis of indium-oxide nanocrystals for improvement of oxide resistive random-access memories
    BONAFOS C., BENASSAYAG G., COURS R., PECASSOU B., GUENERY P., BABOUX N., MILITARU L., SOUIFI A., COSSEC E., HAMGA K., ECOFFEY S., DROUIN D.,
    We report on the direct ion beam synthesis of a delta-layer of indium oxide nanocrystals (In2O3-NCs) in silica matrices by using ultra-low energy ion implantation. The formation of the indium oxide phase can be explained by (i) the affinity of indium with oxygen, (ii) the generation of a high excess of oxygen recoils generated by the implantation process in the region where the nanocrystals are formed and (iii) the proximity of the indium-based nanoparticles with the free surface and oxidation from the air. Taking advantage of the selective diffusivity of implanted indium in SiO2 with respect to Si3N4, In2O3-NCs have been inserted in the SiO2 switching oxide of micrometric planar oxide-based resistive random access memory (OxRAM) devices fabricated using the nanodamascene process. Preliminary electrical measurements show switch voltage from high to low resistance state. The devices with In2O3-NCs have been cycled 5 times with identical operating voltages and RESET current meanwhile no switch has been observed for non implanted devices. This first measurement of switching is very promising for the concept of In2O3-NCs based OxRAM memories. ×
    [abstract]
    BONAFOS C., BENASSAYAG G., COURS R., PECASSOU B., GUENERY P., BABOUX N., MILITARU L., SOUIFI A., COSSEC E., HAMGA K., ECOFFEY S., DROUIN D.,
    Materials Research Express, 5-015027 (2018)
  • A Fabrication Process for Emerging Nanoelectronic Devices Based on Oxide Tunnel Junctions
    A Fabrication Process for Emerging Nanoelectronic Devices Based on Oxide Tunnel Junctions
    DROUIN D., DROULERS G., LABALETTE M., LEE SANG B., HARVEY-COLLARD P., SOUIFI A., JEANNOT S., MONFRAY S., PIORO-LADRIERE M., ECOFFEY S., , , , , , , , , , ,
    We present a versatile nanodamascene process for the realization of low-power nanoelectronic devices with different oxide junctions. With this process we have fabricated metal/insulator/metal junctions, metallic single electron transistors, silicon tunnel field effect transistors, and planar resistive memories. These devices do exploit one or two nanometric-scale tunnel oxide junctions based on TiO2, SiO2, HfO2, Al2O3, or a combination of those. Because the nanodamascene technology involves processing temperatures lower than 300°C, this technology is fully compatible with CMOS back-end-of-line and is used for monolithic 3D integration. ×
    [abstract]
    DROUIN D., DROULERS G., LABALETTE M., LEE SANG B., HARVEY-COLLARD P., SOUIFI A., JEANNOT S., MONFRAY S., PIORO-LADRIERE M., ECOFFEY S., , , , , , , , , , ,
    International Journal of Nanotechnology, 2017-1 (2017)
  • Effect of annealing time on the performance of tin oxide thin films ultraviolet photodetectors
    Effect of annealing time on the performance of tin oxide thin films ultraviolet photodetectors
    RECHEM D., KHIAL A., SOUIFI A., DJEFFAL F.,
    Tin oxide SnO2 thin films were deposited by sol gel method on glass substrates. The as-deposited thin films were then annealed at 550 °C for different time durations (15, 30, 60 and 120 min). Structural and morphological investigations were carried out on all samples by X-ray diffraction method and atomic force microscopy while optical properties were obtained with UV–Visible spectrophotometer. XRD patterns reveals that the samples possess polycrystalline with rutile structure of SnO2 without any secondary phase. AFM image showed that SnO2 thin films having a smooth surface morphology. The optical properties in the visible range showed that the deposited layers have a high transmission factor. The optical band gap energy varies in the range of 3.61–3.73 eV. Finally, ultraviolet (UV) detection properties of samples as an active layer in UV photodetector devices were investigated. Current-voltage characteristics of the SnO2 thin films are performed under dark and light environment, which show low dark current of 22.9 nA with a linear behavior and high current ration > 104 under 2 V applied voltage and 120 min as annealing time. Whereas, high photocurrent is observed for samples annealing for 30 min. Moreover, the transient photoresponse of the fabricated device is reported under different annealing times. ×
    [abstract]
    RECHEM D., KHIAL A., SOUIFI A., DJEFFAL F.,
    Thin Solid Film, 623-1 (2017)
  • Effect of interface traps for ultra-thin high-k gate dielectric based MIS devices on the capacitance-voltage characteristics
    Effect of interface traps for ultra-thin high-k gate dielectric based MIS devices on the capacitance-voltage characteristics
    HLALI S., HIZEM N., MILITARU L., KALBOUSSI A., SOUIFI A.,
    The impact of states at the Al2O3/Si interface on the capacitance-voltage C-V characteristics of a metal/insulator/semiconductor heterostructure (MIS) capacitor was studied by a numerical simulation, by solving Schrodinger-Poisson equations and taking the electron emission rate from the interface state into account. Efficient computation and accurate physics based capacitance model of MOS devices with advanced ultra-thin equivalent oxide thickness (EOT) (down to 2.5 nm clearly considered here) were introduced for the near future integrated circuit IC technology nodes. Due to the importance of the interface state density for a low dimension and very low oxide thickness, a high frequency C-V model has been developed to interpret the effect of interface state density traps which communicate with the Al2O3/Si and their influence on the C-V characteristics. We found that these states are manifested by jumping capacity in the inversion zone, for a density of interface, higher than 1 × 1011 cm− 2 eV− 1 during a p-doping of 1 × 1018 cm− 3. This behavior has been investigated with various doping, temperature, frequency and energy levels on the C-V curves, and compared with the MIS structure that contains a standard SiO2 insulator. ×
    [abstract]
    HLALI S., HIZEM N., MILITARU L., KALBOUSSI A., SOUIFI A.,
    Microelectronics Reliability, 75-154 (2017)
  • Fabrication of Planar Back End of Line Compatible HfOx Complementary Resistive Switches
    Fabrication of Planar Back End of Line Compatible HfOx Complementary Resistive Switches
    LABALETTE M., JEANNOT S., BLONKOWSKI S., BEILLIARD Y., ECOFFEY S., SOUIFI A., DROUIN D.,
    This paper presents the fabrication, together with morphological and electrical characterizations of complementary resistive switches using the nanodamascene process. The as-fabricated devices are fully embedded in an insulating oxide, opening the way for further process steps such as three-dimensional monolithic integration. Complementary resistive switches electrical performance is consistent with resistive random access memories fabricated and characterized with the same procedure that showed ROFF/RON ratios of 100. Complementary operating voltages of Vth1,3 = |0.8| V and Vth2.4 = |1.1| V are obtained for 88 × 22 nm2 junction with a 6 nm thick HfOx junction. ×
    [abstract]
    LABALETTE M., JEANNOT S., BLONKOWSKI S., BEILLIARD Y., ECOFFEY S., SOUIFI A., DROUIN D.,
    IEEE Transactions on Nanotechnology, 16-745 (2017)
  • High sensitivity pH sensing on the BEOL of industrial FDSOI transistors
    High sensitivity pH sensing on the BEOL of industrial FDSOI transistors
    RAHHAL L., AYELE G., MONFRAY S., CLOAREC J.P., FORNACCIARI B., PARDOUX E., CHEVALIER C., ECOFFEY S., DROUIN D., MORIN P., GARNIER P., BOEUF F., SOUIFI A.,
    In this work we demonstrate the use of Fully Depleted Silicon On Insulator (FDSOI) transistors as pH sensors with a 23 nm silicon nitride sensing layer built in the Back-End-Of-Line (BEOL). The back end process to deposit the sensing layer and fabricate the electrical structures needed for testing is detailed. A series of tests employing different pH buffer solutions has been performed on transistors of different geometries, controlled via the back gate. The main findings show a shift of the drain current (ID) as a function of the back gate voltage (VB) when different pH buffer solutions are probed in the range of pH 6 to pH 8. This shift is observed at VB voltages swept from 0 V to 3 V, demonstrating the sensor operation at low voltage. A high sensitivity of up to 250 mV/pH unit (more than 4-fold larger than Nernstian response) is observed on FDSOI MOS transistors of 0.06 µm gate length and 0.08 µm gate width. ×
    [abstract]
    RAHHAL L., AYELE G., MONFRAY S., CLOAREC J.P., FORNACCIARI B., PARDOUX E., CHEVALIER C., ECOFFEY S., DROUIN D., MORIN P., GARNIER P., BOEUF F., SOUIFI A.,
    Solid State Electronics, 134-22 (2017)
  • High temperature and voltage dependent electrical and dielectric properties of TiN/Al2O3/p-Si MIS structure
    High temperature and voltage dependent electrical and dielectric properties of TiN/Al2O3/p-Si MIS structure
    HLALI S., FARGI A., HIZEM N., MILITARU L., KALBOUSSI A., SOUIFI A.,
    The electrical and dielectric properties of TiN/Al2O3/p-Si MIS structure were studied in the temperature range of 380–450 K at 1 MHz. These properties were calculated from experimental C−V and G/ω−V measurements. Experimental results show that the forward bias C−V plots exhibit a distinct peak at high temperatures, this Kind of behavior is mostly attributed to the series resistance (Rs) and interface states (Nss) between Al2O3/p-Si. The temperature and bias voltage dependence of dielectric constant (ε′), dielectric loss (ε″), dielectric loss tangent (tanδ) and the ac electrical conductivity (σac) are studied for TiN/Al2O3/p-Si MIS structure. Experimental results show that the values of ε′ and ε″ depend on the variation of both bias voltage and temperature. The C−V and G/ω−V characteristics prove that the Rs and Nss of the diode are important parameters that strongly influence the electric parameters in MIS device. The density of Nss, depending on the temperature, was determined from the C−V and G/ω−V data using the Hill-Coleman Method. The Arrhenius plot of the ac conductivity at 1 MHz is illustrated and the activation energy is found to be Ea=0.012eV. Moreover, the electric modulus formalisms were employed to understand the relaxation mechanism of the TiN/Al2O3/p-Si structure. ×
    [abstract]
    HLALI S., FARGI A., HIZEM N., MILITARU L., KALBOUSSI A., SOUIFI A.,
    Journal of Alloys and Compounds, 713-194 (2017)
  • Indium-Oxide Nanoparticles for RRAM devices compatible with CMOS backend- off-line
    LEON PEREZ E., GUENERY P., ABOUZAID O., AYADI K., BROTTET S., MOEYAERT J., LABAU S., BARON T., BLANCHARD N., BABOUX N., MILITARU L., SOUIFI A., , , , , , , , ,
    Solid State Electronics, - (2017)
  • Interface traps effect on the charge transport mechanisms in metal oxide semiconductor structures based on silicon nanocrystals
    Interface traps effect on the charge transport mechanisms in metal oxide semiconductor structures based on silicon nanocrystals
    KALBOUSSI A., SOUIFI A.,
    The transport phenomena in Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) structures having silicon nanocrystals (Si-NCs) inside the dielectric layer has been investigated by high frequency Capacitance-Voltage (C-V) method and the Deep-Level Transient Spectroscopy (DLTS). For the reference samples without Si-NCs, we observe a slow electron trap for a large temperature range, which is probably a response of a series electron traps having a very close energy levels. A clear series of electron traps are evidenced in DLTS spectrum for MOS samples with Si-NCs. Their activation energies are comprised between 0.28 eV and 0.45 eV. Moreover, we observe in this DLTS spectrum, a single peak that appears at low temperature which we attributed to Si-NCs response. In MOS structure without Si-NCs, the conduction mechanism is dominated by the thermionic fast emission/capture of charge carriers from the highly doped polysilicon layer to Si-substrate through interface trap-states. However, at low temperature, the tunneling of charge carriers from highly Poly-Si to Si-substrate trough the trapping/detrapping mechanism in the Si-NCs contributed to the conduction mechanism for MOS with Si-NCs. These results are helpful to understand the principle of charge transport of MOS structures having a Si-NCs in the SiOx = 1.5 oxide matrix. ×
    [abstract]
    KALBOUSSI A., SOUIFI A.,
    Microelectronics Reliability, 78-227 (2017)
  • Novel Concept of Gas Sensitivity Characterization of Materials Suited for Implementation in FET-Based Gas Sensors
    Novel Concept of Gas Sensitivity Characterization of Materials Suited for Implementation in FET-Based Gas Sensors
    AYADI Y., RAHHAL L., VILQUIN B., CHEVALIER C., AMBRIZ VARGAS F., ECOFFEY S., RUEDIGER A., SARKISSIAN A., MONFRAY S., CLOAREC J.P., DROUIN D., SOUIFI A., , , , , , , , ,
    We propose a novel technique to investigate the gas sensitivity of materials for implementation in field-effect transistor-based gas sensors. Our technique is based on the measurement of the surface charge induced by gas species adsorption, using an electrometer. Platinum sensitivity to hydrogen diluted in synthetic air has been evaluated with the proposed charge measurement technique in the operation temperature range from 80 to 190 °C at constant H2 concentration of 4 % and for different concentrations ranging from 0.5 to 4 % at 130 °C. ×
    [abstract]
    AYADI Y., RAHHAL L., VILQUIN B., CHEVALIER C., AMBRIZ VARGAS F., ECOFFEY S., RUEDIGER A., SARKISSIAN A., MONFRAY S., CLOAREC J.P., DROUIN D., SOUIFI A., , , , , , , , ,
    Nanoscale Research Letters, 11-481 (2017)
  • Direct exchange between silicon nanocrystals and tunnel oxide traps under illumination on single electron photodetector
    Direct exchange between silicon nanocrystals and tunnel oxide traps under illumination on single electron photodetector
    CHATTBOURI S., TROUDI M., SGHAIER N., KALBOUSSI A., AIMEZ V., DROUIN D., SOUIFI A.,
    In this paper we present the trapping of photogenerated charge carriers for 300 s resulted by their direct exchange under illumination between a few silicon nanocrystals (ncs-Si) embedded in an oxide tunnel layer (SiOx = 1.5) and the tunnel oxide traps levels for a single electron photodetector (photo-SET or nanopixel). At first place, the presence of a photocurrent limited in the inversion zone under illumination in the I–V curves confirms the creation of a pair electron/hole (e–h) at high energy. This photogenerated charge carriers can be trapped in the oxide. Using the capacitance-voltage under illumination (the photo-CV measurements) we show a hysteresis chargement limited in the inversion area, indicating that the photo-generated charge carriers are stored at traps levels at the interface and within ncs-Si. The direct exchange of the photogenerated charge carriers between the interface traps levels and the ncs-Si contributed on the photomemory effect for 300 s for our nanopixel at room temperature. ×
    [abstract]
    CHATTBOURI S., TROUDI M., SGHAIER N., KALBOUSSI A., AIMEZ V., DROUIN D., SOUIFI A.,
    Semiconductors, 50-1163 (2016)
  • Interface state density dependence on detection process in single electron photo-detector
    Interface state density dependence on detection process in single electron photo-detector
    BARGAOUI Y., TROUDI M., SGHAIER N., YACOUBI N., AIMEZ V., SOUIFI A.,
    In this paper, we report the effect of optical power on interface state density (Dit) for the ultrasensitive single electron photodetector (photo-SET). To perform this work, Conductance–Capacitance–Voltage (C–G–V) techniques have been used, which form a method for the characterization of interface traps in MIS structures, taking into account the effect of the series resistance (Rs) at room temperature. To calculate the value of the density of interface states, (C–G–V) sweeps need to be corrected, analyzed and all extracted parameters would need to be recorded. Using Hill-Coleman method and a program developed using MATLAB, the calculated value of these interface state density (Dit) at 1 MHz was 2.4 · 1012 eV− 1 cm− 2.The value of the interface state density (Dit) increase with increasing optical power. ×
    [abstract]
    BARGAOUI Y., TROUDI M., SGHAIER N., YACOUBI N., AIMEZ V., SOUIFI A.,
    Microelectronic Engineering, 159-151 (2016)
  • pH driven addressing of silicon nanowires onto Si3N4/SiO2 micro-patterned surfaces
    CLOAREC J.P., CHEVALIER C., GENEST J., BEAUVAIS J., CHAMAS H., CHEVOLOT Y., BARON T., SOUIFI A.,
    Nanotechnology, 27-295602 (2016)
  • Selective dry etching of TiN nanostructures over SiO2 nanotrenches using a Cl2/Ar/N2 inductively coupled plasma
    Selective dry etching of TiN nanostructures over SiO2 nanotrenches using a Cl2/Ar/N2 inductively coupled plasma
    LEE SANG B., GOUR M., DARMON M., ECOFFEY S., JAOUAD A., SADANI B., DROUIN D., SOUIFI A., , , , , , , , , , , , ,
    An inductively coupled plasma etch process for the fabrication of TiN nanostructures over nanotopography is presented. Using a Cl2/Ar/N2 plasma, a selectivity of 50 is achieved over SiO2. The effect of N2 flow rate on the etch rates and the nonvolatile residues on TiN sidewalls is investigated. As N2 flow rate is increased up to 50 sccm, a change in the deposition of the nonvolatile residues on TiN sidewalls is observed. The current density–voltage characterizations of TiN devices fabricated with TiN nanostructure sidewalls are presented. The measured current densities of two different samples etched with low and high N2 flow rate, respectively, demonstrated the presence after cleaning of an insulating layer deposited on the sidewalls for low N2 flow rate only. ×
    [abstract]
    LEE SANG B., GOUR M., DARMON M., ECOFFEY S., JAOUAD A., SADANI B., DROUIN D., SOUIFI A., , , , , , , , , , , , ,
    Journal of Vacuum Science and Technology, 34- (2016)
  • The important contribution of photo-generated charges to the silicon nanocrystals photo-charging/discharging-response time at room temperature in MOS-photodetectors
    The important contribution of photo-generated charges to the silicon nanocrystals photo-charging/discharging-response time at room temperature in MOS-photodetectors
    CHATTBOURI S., TROUDI M., FARGI A., KALBOUSSI A., SOUIFI A.,
    The results are reported of a detailed investigation into the photogenerated changes that occur in the capacitance–voltage (C–V) characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) photodetector, having a silicon nanocrystals (Si-ncs) embedded in SiOx=1.5 tunnel oxide layers. In order to study the influence of photon energy on charging/discharging photo-response of nanocrystal-based MOS structures, we have examined photo-capacitance-voltage (photo-CV) measurements at both light intensities 45 μW and 75 μW and wavelengths 436 nm and 595 nm. The photo-CV measurements indicate the important contribution of photo-generated charges to the charging/discharging mechanism. The (Si-ncs) charging/discharging photo-response time is evaluated to be 300 s at wavelength of 595 nm for 75 μW optical power at room temperature. This response time is influenced by the photogenerated-holes lifetime in the Si-ncs. ×
    [abstract]
    CHATTBOURI S., TROUDI M., FARGI A., KALBOUSSI A., SOUIFI A.,
    Superlattices and Microstructures, 94-93 (2016)
  • Impact of defect on I(V) instabilities observed on Ti/4H–SiC high voltage Schottky diodes
    Impact of defect on I(V) instabilities observed on Ti/4H–SiC high voltage Schottky diodes
    ABDELWAHED N., TROUDI M., SGHAIER N., SOUIFI A.,
    Anomaly in current at low forward bias is observed for large-area Ti Schottky diodes on n type 4H–SiC. Random telegraph signal (RTS) measurements, carried out on these defective devices, show discrete time switching of the current. Thermal activation of RTS signal gives two related trap signature (activation energy and cross section). Frequency analysis, using power spectral densities (PSDs) numerically calculated, confirms the presence of an extended defect which presents different charge states (i.e. an extended defect decorated by punctual traps). PSDs show two cut-off frequencies proving the individual response of two traps. Simulations of the I–V characteristics using two barrier heights modulated by a Gaussian function which represents the defect distribution show a good agreement with the experimental results. Finally we note that there's a strong correlation between traps observed by telegraph noise techniques and excess current. ×
    [abstract]
    ABDELWAHED N., TROUDI M., SGHAIER N., SOUIFI A.,
    Microelectronics Reliability, 55-1169 (2015)
  • Inductively coupled plasma etching of ultra-shallow Si3N4 nanostructures using SF6/C4F8 chemistry
    Inductively coupled plasma etching of ultra-shallow Si3N4 nanostructures using SF6/C4F8 chemistry
    LEE SANG B., GOUR M., JAOUAD A., ECOFFEY S., DARNON M., SADANI B., SOUIFI A., DROUIN D., , , , , , , , , , , , ,
    A reproducible inductively coupled plasma (ICP) etching process using simultaneously SF6/C4F8 gases for the fabrication of ultra-shallow Si3N4 nanostructures is presented. The effect of varying etching parameters such as the coil and platen RF power, the chamber pressure, the C4F8 flow rate and the platen temperature on Si3N4 and ZEP etch rates are investigated. The passivation and etching chemistry balance is used to slow down the Si3N4 etch rate to a limit of 6 nm/min. For lower etch rates, the passivation regime is getting dominant and the surface roughness increases. 10 nm deep Si3N4 nanostructures are patterned without inducing any additional roughness on etched surfaces. ×
    [abstract]
    LEE SANG B., GOUR M., JAOUAD A., ECOFFEY S., DARNON M., SADANI B., SOUIFI A., DROUIN D., , , , , , , , , , , , ,
    Microelectronic Engineering, 141-68 (2015)
  • Tunnel junction engineering for optimized Metallic Single Electron Transistor
    EL HAJJAM K., BOUNOUAR M., BABOUX N., ECOFFEY C., GUILMAIN M., PUYOO E., FRANCIS L., SOUIFI A., DROUIN D., CALMON F.,
    IEEE.Transactions on Electron Devices, 62 (9)-2298-3003 (2015)
  • Electrical Analysis of Indium Deep Levels Effects on Kink Phenomena of Silicon NMOSFETs
    Electrical Analysis of Indium Deep Levels Effects on Kink Phenomena of Silicon NMOSFETs
    FARGI A., HIZEM N., KALBOUSSI A., SOUIFI A.,
    Several methods of characterization of trap levels like I-V, C-V and transient spectroscopy (DLTS) were used to determine the accurate values of the activation energies of traps present in N+P junctions obtained after retrograde profile implantation of indium and boron on silicon. Four main traps located at Ev + 0.15 eV, Ev + 0.21 eV, Ev + 0.28 eV and Ev + 0.46 eV are reported. Shallow levels are also calculated from I-V characteristics. Concurrently, indium channel doped NMOSFETs are investigated showing the kink phenomenon. In order to discuss the relationship between the kink effect and the active indium trap level situated at 0.16 eV, the transient effects are studied by varying the integration time and the temperature. The effects of substrate polarization are also carried out showing the reduction of the kink with the bulk positive polarization. ×
    [abstract]
    FARGI A., HIZEM N., KALBOUSSI A., SOUIFI A.,
    International Journal of Nanotechnology, 4-7 (2014)
  • Highly transparent low capacitance PEALD Al2O3-HfO2 tunnel junction engineering
    EL HAJJAM K., BABOUX N., CALMON F., SOUIFI A., PONCELET O., FRANCIS L., ECOFFEY C., DROUIN D.,
    Journal of Vacuum Science and Technology, 32-01A132 (2014)
  • Optimized Pre-Treatment Process for MOS-GaN Devices Passivation
    Optimized Pre-Treatment Process for MOS-GaN Devices Passivation
    CHAKROUN A., MAHER H., SOUIFI A., AIMEZ V., ARES R., JAOUAD A.,
    In this letter, we present an effective GaN surface passivation process, which was developed by optimizing the surface chemical pretreatment prior to the PECVD- SiOx deposition. It is demonstrated that the electronic properties of the GaN/SiOx interface are drastically influenced by the surface preparation conditions. Among the used chemicals, we found that KOH/HCl leads to the best GaN/SiOx interface quality. MOS capacitors fabricated using this pretreatment have shown a near ideal capacitance-voltage characteristics, with a good surface potential modulation, small flatband voltage shift, low hysteresis, and no significant frequency dispersion. Using this optimized passivation process, AlGaN/GaN-based MOS-high electron mobility transistors (HEMTs) were fabricated. Electrical characterizations have shown up to four orders of magnitude lower gate leakage current and three orders of magnitude lower off-state current compared with the reference Schottky gate HEMT. ×
    [abstract]
    CHAKROUN A., MAHER H., SOUIFI A., AIMEZ V., ARES R., JAOUAD A.,
    IEEE Electron Device Letters, 35-318 (2014)

Communications avec actes dans un congrès international (6 publications)

  • Development of ultrasensitive extended-gate Ion-sensitive-field-effect-transistor based on industrial UTBB FDSOI transistor
    Development of ultrasensitive extended-gate Ion-sensitive-field-effect-transistor based on industrial UTBB FDSOI transistor
    AYELE G., MONFRAY S., BOEUF F., CLOAREC J.P., ECOFFEY S., DROUIN D., PUYOO E., SOUIFI A.,
    The proof of concept of a new extended-gate pH sensor, developed on an industrial ultrathin body and buried oxide (UTBB) fully-depleted silicon-on-insulator (FDSOI) transistor, is reported. The strong electrostatic coupling between the front gate and back gate of UTBB FDSOI devices provide a signal amplification opportunity for sensing applications. On the other hand, the biasing capability through a capacitive divider circuit of a floating gate ISFET offers an ample advantage for fabrication of stable and CMOS compatible solid state chemical sensors. In addition, the deep downscaling of the state-of-the-art devices enables it to be sensitive at single-charge-resolution. By integrating aluminum oxide (Al2O3) for the pH sensing purpose, we obtained an extended-gate mode ISFET having a sensitivity of 475 mV/pH, which is superior to state-of-the-art low-power ISFETs. ×
    [abstract]
    AYELE G., MONFRAY S., BOEUF F., CLOAREC J.P., ECOFFEY S., DROUIN D., PUYOO E., SOUIFI A.,
    ESSDERC 11-14 sept. 2017 Leuven, Belgium (2017)
  • Indium-oxide nanoparticles for Ox-RRAM in CMOS back-end-off-line
    Indium-oxide nanoparticles for Ox-RRAM in CMOS back-end-off-line
    LEON PEREZ E., GUENERY P., ABOUZAID O., AYADI K., BABOUX N., MILITARU L., SOUIFI A., MOEYAERT J., BARON T., , , , , , , , , , , ,
    We report on the fabrication and characterization of Resistive Random Access Memory (RRAM) devices based on nanoparticles with a memory capacitor structure. Our approach is based on the use of indium oxide (In2O3) nanoparticles (or nanocrystals NCs) embedded in a dielectric matrix as a charge trapping layer using CMOS-full-compatible fabrication processes in view of back-end-off-line integration for non-volatile memory (NVM) applications. Current-voltage characteristics (I-V) showed bipolar switching behavior for all the fabricated devices, with ION/IOFF ratios up to 105. Moreover, our best structure yields up to 24 write/erase cycles, proving that our results provide insights for further integration of In2O3 nanoparticles-based devices. ×
    [abstract]
    LEON PEREZ E., GUENERY P., ABOUZAID O., AYADI K., BABOUX N., MILITARU L., SOUIFI A., MOEYAERT J., BARON T., , , , , , , , , , , ,
    EUROSOI-ULIS, 2017 3-5 April 2017 Athens, Greece (2017)
  • HfOx complementary resistive switches
    HfOx complementary resistive switches
    LABALETTE M., ECOFFEY S., JEANNOT S., SOUIFI A., DROUIN D.,
    This paper proposes the fabrication, together with morphological and electrical characterizations of complementary resistive switches using a nanodamascene process. Complementary switches electrical performance are coherent with ReRAM fabricated and characterized with the same procedure that showed Ron/Roff ratios of 100. Complementary operating voltages of Vth1,3 = |0.8| V and Vth2.4 = |1.1| V are obtained for 88×22 nm2 junction with 6 nm thick HfOx. ×
    [abstract]
    LABALETTE M., ECOFFEY S., JEANNOT S., SOUIFI A., DROUIN D.,
    IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), 2016 9-12 Oct. 2016 Toulouse, France (2016)
  • 3D microelectronic with BEOL compatible devices
    3D microelectronic with BEOL compatible devices
    DROUIN D., BOUNOUAR M., DROULERS G., LABALETTE M., PIORO-LADRIERE M., SOUIFI A., ECOFFEY S.,
    This presentation will address the potential of nanoelectronic devices 3D monolithic integration in the CMOS back-end-of-line (BEOL) to add functionality and enhance integrated circuits (ICs) performances. ×
    [abstract]
    DROUIN D., BOUNOUAR M., DROULERS G., LABALETTE M., PIORO-LADRIERE M., SOUIFI A., ECOFFEY S.,
    IEEE 33rd VLSI Test Symposium (VTS), 2015 27-29 April 2015 Napa, CA, USA (2015)
  • The nanodamascene process: A versatile fabrication technique for nanoelectronic applications
    The nanodamascene process: A versatile fabrication technique for nanoelectronic applications
    DROUIN D., DROULERS G., LABALETTE M., LEE SANG B., HARVEY-COLLARD P., RICHARD J., PIORO-LADRIERE M., ECOFFEY S., SOUIFI A., MONFRAY S., , , , , , , , , , ,
    In this paper we present a versatile nanodamascene fabrication process for the realization of low power nanoelectronic devices. This process has been exploited for the fabrication of metal/insulator/metal junctions, metallic single electron transistors, silicon tunnel field effect transistors, and planar nanometric resistive memories. Due to its low thermal budget, and materials, this technology is fully compatible with CMOS back-end-of-line and is used for monolithic 3D integration. ×
    [abstract]
    DROUIN D., DROULERS G., LABALETTE M., LEE SANG B., HARVEY-COLLARD P., RICHARD J., PIORO-LADRIERE M., ECOFFEY S., SOUIFI A., MONFRAY S., , , , , , , , , , ,
    IEEE-NANO - 15th International Conference on Nanotechnology 27-30 July 2015 Rome, Italy (2015)
  • Damascene planar metal-insulator-metal tunnel junctions
    Damascene planar metal-insulator-metal tunnel junctions
    DROULERS G., ECOFFEY S., GUILMAIN M., SOUIFI A., PIORO-LADRIERE M., DROUIN D.,
    In this paper, we show a process for the fabrication of planar sub-attofarad capacitance metal-insulator-metal tunnel junctions with nanometer size. We show the engineering of the material stack, anti-diffusion barrier and electrode metal as well as the result of improved characteristics and stability in time of the devices. This engineering is supported by a simulation tool we developed and its goal is to optimize the original process for the development of high-temperature operating SETs and other innovative nanoelectronic devices. ×
    [abstract]
    DROULERS G., ECOFFEY S., GUILMAIN M., SOUIFI A., PIORO-LADRIERE M., DROUIN D.,
    International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO) 18-21 Aug. 2014 Toronto, Canada (2014)

Ouvrages scientifiques (ou chapitres de ces ouvrages) (1 publication)