Informations personnelles
Guillaume SAINT-GIRONS

Directeur de recherche C.N.R.S

Localisation INL
Site Ecole Centrale de Lyon
Batiment F7
36, Avenue Guy de Collongue
69134 Ecully
France
Téléphone (33).04 72 18 65 97
Courriel guillaume.saint-girons@ec-lyon.fr
   
Activités de recherche    Publications
Activités de recherche

Département : Matériaux

Equipe de recherche : Hétéroépitaxie et Nanostructures

Domaine d'activités :

C.V.

Publications des 5 dernières années
LECLERCQ Jean-Louis
Chercheur

Localisation Site INSA,ECL,UCB,CPE
Téléphone (33).04 72 18 65 63
Courriel jean-louis.leclercq@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
McADAMS Eric
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 86
Courriel eric.mcadams@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
×
MARCHAND Cédric
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 38
Courriel cedric.marchand@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
BRIK Adil
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel adil.brik@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
HAN Dong
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel dong.han@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
×
TAITT Rachael
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel rachael.taitt@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
×
DEMONGODIN Pierre
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel pierre.demongodin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
DELLA TORRE Alberto
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel alberto.della-torre@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
RODICHKINA Sofia
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel sofia.rodichkina@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
MAHATO Prabir
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel prabir.mahato@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
GRENET Geneviève
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 58
Courriel genevieve.grenet@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
×
GOURE Jean-Baptiste
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 85
Courriel jean-baptiste.goure@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
×
GENDRY Michel
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 50
Courriel michel.gendry@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
×
GAFFIOT Frédéric
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 47
Courriel frederic.gaffiot@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
DEVIF Brice
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 38
Courriel brice.devif@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
Plus de détails  
×
CARREL Laurent
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 61 41
Courriel laurent.carrel@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
CREMILLIEU Pierre
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 41
Courriel pierre.cremillieu@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
Plus de détails  
×
BOTELLA Claude
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 67 20
Courriel claude.botella@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
×
CALLARD Ségolène
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 58
Courriel segolene.callard@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
DEGOUTTES Jérôme
IATOS ITA

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 62 82
Courriel jerome.degouttes@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
Plus de détails  
×
TAUTE Arnaud
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel arnaud.taute@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
DUPUIS Etienne
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 59
Courriel etienne.dupuis@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
MOULIN Nelly
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel nelly.moulin@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
×
LETARTRE Xavier
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 81
Courriel xavier.letartre@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
MARTIN Thérèse
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 51
Courriel therese.martin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
Plus de détails  
×
PHANER-GOUTORBE Magali
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 32
Courriel magali.phaner@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
×
REGRENY Philippe
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 48
Courriel philippe.regreny@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
×
ROBACH Yves
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 44
Courriel yves.robach@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
×
ROJO ROMEO Pedro
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 65 41
Courriel pedro.rojo-romeo@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
SEASSAL Christian
Chercheur

Localisation Site INSA,ECL,UCB,CPE
Téléphone (33).04 72 18 60 64
(33).04 72 43 71 87
Courriel christian.seassal@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
VIKTOROVITCH Pierre
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 66
Courriel pierre.viktorovitch@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
O CONNOR Ian
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 54
Courriel ian.oconnor@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
CLOAREC Jean-Pierre
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 52
Courriel jean-pierre.cloarec@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
×
NAVARRO David
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 63 98
Courriel david.navarro@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
VILQUIN Bertrand
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 54
Courriel bertrand.vilquin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
×
DROUARD Emmanuel
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 45
Courriel emmanuel.drouard@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
MAZURCZYK Radoslaw
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 65 48
Courriel radoslaw.mazurczyk@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
Plus de détails  
×
LAURENCEAU Emmanuelle
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 40
Courriel emmanuelle.laurenceau@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
×
CHEVOLOT Yann
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 40
Courriel yann.chevolot@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
×
GAETANI Robin
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel robin.gaetani@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
MORENO VILLAVICENCIO Maiglid Andreina
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel maiglid.moreno-villavicencio@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
SAINT-GIRONS Guillaume
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 65 97
Courriel guillaume.saint-girons@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
×
NABETH Isabel
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 46
Courriel isabel.nabeth@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
×
CHATEAUX Jean-François
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 14 37
Courriel jean-francois.chateaux@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
×
DEMAN Anne-Laure
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 14 37
Courriel anne-laure.deman@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
×
FERRIGNO Rosaria
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 19 23
Courriel rosaria.ferrigno@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
×
KLEIMANN Pascal
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 62 59
Courriel pascal.kleimann@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
×
LU Guo-Neng
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 27 39
Courriel guo-neng.lu@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
MARTY Olivier
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 19 12
Courriel olivier.marty@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
MORIN Pierre
Autres

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 10 24
Courriel pierre.morin@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
×
PITTET Patrick
IATOS ITA

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 10 24
Courriel patrick.pittet@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
QUIQUEREZ Laurent
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 81 74
Courriel laurent.quiquerez@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
RENAUD Louis
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 62 59
Courriel louis.renaud@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
×
ABOUCHI Nacer
Enseignant chercheur

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 15 24
Courriel abouchi@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
ALBERTINI David
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 67
Courriel david.albertini@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
Plus de détails  
×
BRUHAT Elise
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04.xx.xx.xx.xx
Courriel elise.bruhat@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
×
BERRY Florian
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel florian.berry@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
APOSTOLUK Aleksandra
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 71 86
Courriel aleksandra.apostoluk@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
FOLTZER Emmanuelle
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 22
Courriel emmanuelle.foltzer@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
Plus de détails  
×
BABOUX Nicolas
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 67
Courriel nicolas.baboux@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
BARBIER Daniel
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 85 47
Courriel daniel.barbier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
BENYATTOU Taha
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 71 49
Courriel taha.benyattou@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
BLUET Jean-Marie
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 32
Courriel jean-marie.bluet@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
BREMOND Georges
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 80 66
Courriel georges.bremond@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
BRU-CHEVALLIER Catherine
Chercheur

Localisation Site INSA,ECL,UCB,CPE
Téléphone (33).04 72 43 89 06
(33).04 72 18 60 67
Courriel catherine.bru-chevallier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
CALMON Francis
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 61 59
Courriel francis.calmon@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
BOUSSETTA Lotfi
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 46
Courriel lotfi.boussetta@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
MOALLA Rahma
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18
Courriel rahma.moalla@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
×
TAURELLE Marjorie
IATOS ITA

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 14 33
Courriel marjorie.taurelle@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
Plus de détails  
×
ZROUNBA Clément
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 59
Courriel clement.zrounba@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
FREYERMUTH Hugo
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel hugo.freyermuth@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
×
TAFRAOUTI Asmae
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel asmae.tafraouti@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
×
DESCAMPS Lucie
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel lucie.descamps@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
×
EL JALLAL Said
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel said.el-jallal@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
MONTALIBET Amalric
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 88
Courriel amalric.montalibet@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
×
VIDAL DE NEGREIROS DA SILVA Thais-Luna
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel thais-luana.vidal-de-negreiros-da-silva@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
BOSIO Alberto
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 47
Courriel alberto.bosio@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
DE PINHO FERREIRA Nicolas
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel nicolas.de-pinho-ferreira@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
×
BELAROUCI Ali
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 60
Courriel ali.belarouci@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
FAVE Alain
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 84 64
Courriel alain.fave@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
×
FOURMOND Erwann
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 33
Courriel erwann.fourmond@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
×
GALVAN Jean-Marc
Enseignant chercheur

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 84 93
Courriel galvan@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
GAUTIER Brice
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 70 03
Courriel brice.gautier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
GEHIN Claudine
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 88
Courriel claudine.gehin@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
×
GIRARD Philippe
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 61 36
Courriel philippe.girard@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
Plus de détails  
×
GONTRAND Christian
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 80 67
Courriel christian.gontrand@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
GREGOIRE Joëlle
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 66
Courriel joelle.gregoire@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
Plus de détails  
×
GUILLOT Gérard
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 81 61
Courriel gerard.guillot@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
JAMOIS Cecile
Chercheur

Localisation Site INSA,ECL
Téléphone (33).04 72 43 71 53
(33).04 72 18 62 49
Courriel cecile.jamois@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
JOLY François
IATOS ITA

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 13 36
Courriel joly@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
LE BERRE Martine
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 88 62
Courriel martine.leberre@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
ANDRE Bénédicte
IATOS ITA

Localisation Site INSA,ECL,UCB,CPE
Téléphone (33).04 72 18 60 82
(33).04 72 43 71 89
Courriel benedicte.andre@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
Plus de détails  
×
LEMITI Mustapha
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 31
Courriel mustapha.lemiti@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
×
LYSENKO Vladimir
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 70 02
Courriel vladimir.lysenko@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
MALHAIRE Christophe
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 61 34
Courriel christophe.malhaire@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
MILITARU Liviu
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 33
Courriel liviu.militaru@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
NYCHYPORUK Tetyana
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 85 40
Courriel tetyana.nychyporuk@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
OROBTCHOUK Régis
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 07
Courriel regis.orobtchouk@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
PLOSSU Carole
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 33
Courriel carole.plossu@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
PRUDON Gilles
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 63 47
Courriel gilles.prudon@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
NOURY Norbert
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 74 54
Courriel norbert.noury@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
×
REMAKI Boudjemaa
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 83 27
Courriel boudjemaa.remaki@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
ROBIN Olivier
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 71 14
Courriel olivier.robin@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
×
BENAMROUCHE Aziz
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 38
Courriel aziz.benamrouche@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
CANUT Bruno
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 34
Courriel bruno.canut@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
GUENERY Pierre-Vincent
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 64 43
Courriel pierre-vincent.guenery@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
SOUIFI Abdelkader
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 62
Courriel abdelkader.souifi@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
VERDIER Jacques
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 35
Courriel jacques.verdier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
PUYOO Etienne
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 73 97
Courriel etienne.puyoo@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
CELLIER Rémy
Enseignant chercheur

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 44 84 59
Courriel remy.cellier@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
LAYOUNI Yasmina
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 26 29
Courriel yasmina.layouni@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
×
DUMONT Hervé
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 47
Courriel herve.dumont@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
×
SUSLEC Annie
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 88 59
Courriel annie.suslec@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
Plus de détails  
×
BLANC-PELISSIER Danièle
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 72 86
Courriel daniele.blanc@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
×
LOPEZ Raphaël
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 34
Courriel raphael.lopez@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche
Plus de détails  
×
LAGARDE Virginie
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 83 29
Courriel virginie.lagarde@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
Plus de détails  
×
DUFAUT Patricia
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 57
Courriel patricia.dufaut@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
Plus de détails  
×
GRILLET Christian
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 53
Courriel christian.grillet@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
MICHIT Nicolas
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel nicolas.michit@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
PEYRONNET-DREMIERE Rafaël
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
×
FORNACCIARI Benjamin
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 55
Courriel benjamin.fornacciari@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
×
MONNIER Virginie
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 39
Courriel virginie.monnier@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
×
MAZAURIC Serge
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL,CPE
Téléphone (33).
Courriel serge.mazauric@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
HOANG Ngoc-Vu
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
BOURRET Aurélie
IATOS ITA

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 13 35
Courriel secretariat.sn@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
Plus de détails  
×
URBAIN Mathias
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel mathias.urbain@univ-smb.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
×
ZHANG Yu
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel yu.zhang@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
GEHIN Thomas
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 42
Courriel thomas.gehin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
×
PENUELAS José
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 59
Courriel jose.penuelas@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
×
JAFFAL Ali
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel ali.jaffal@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
GAIGNEBET Nicolas
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel nicolas.gaignebet@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
DELERUYELLE Damien
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 62
Courriel damien.deleruyelle@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
CHEVALIER Céline
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 55
Courriel celine.chevalier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
×
MASENELLI Bruno
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 74 72
Courriel bruno.masenelli@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
LE BEUX Sébastien
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 47
Courriel sebastien.le-beux@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
LABRAK Lioua
Enseignant chercheur

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 18 29
Courriel lioua.labrak@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
BACHELET Romain
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 65
Courriel romain.bachelet@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
×
CANTAN Mayeul
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel mayeul.cantan@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
MONAT Christelle
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 49
Courriel christelle.monat@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
LHUILLIER Jérémy
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel jeremy.lhuillier@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
RIGAULT Samuel
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel samuel.rigault@st.com
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
CANERO-INFANTE Ingrid
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04.72.43.70.03
Courriel ingrid.canero-infante@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
DOYEUX Yvan
IATOS ITA

Localisation Site INSA,UCB
Téléphone (33).04 72 43 70 27
Courriel yvan.doyeux@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche
Plus de détails  
×
FAIVRE Magalie
Chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 19 12
Courriel magalie.faivre@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
×
PERODOU Arthur
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel arthur.perodou@doctorant.ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
AUDRY-DESCHAMPS Marie-Charlotte
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 10 24
Courriel marie-charlotte.deschamps@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
×
YEROMONAHOS Christelle
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 35
Courriel christelle.yeromonahos@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
×
BOUAZIZ Jordan
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel jordan.bouaziz@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
MANDORLO Fabien
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 74 77
Courriel fabien.mandorlo@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
×
HO Emmeline
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel emmeline.ho@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
×
BENHAMMOU Younès
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel younes.benhammou@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
WOOD Thomas
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel thomas.wood@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
TERRIER Nicolas
IATOS ITA

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 62 82
Courriel nicolas.terrier@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
Plus de détails  
×
CHAUVIN Nicolas
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 74 65
Courriel nicolas.chauvin@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
CUEFF Sébastien
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 79
Courriel sebastien.cueff@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
NGUYEN Hai Son
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 87
Courriel hai-son.nguyen@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
DANESCU Alexandre
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 58
Courriel alexandre.danescu@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
×
BERGUIGA Lotfi
IATOS ITA

Localisation Site INSA,ECL
Téléphone (33).04.72.43.75.34
Courriel lotfi.berguiga@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
JOBERT Gabriel
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel gabriel.jobert@cea.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
DEL BOSQUE Lucien
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel lucien.del-bosque@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
MEKKAOUI Samir
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel samir.mekkaoui@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
×
CALVO Michele
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel michele.calvo@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
CHAVES DE ALBUQUERQUE Tulio
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 64 43
Courriel tulio.chaves-de-albuquerque@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
YANG Zihua
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel zihua.yang@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
×
MASSOT Bertrand
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 71 15
Courriel bertrand.massot@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
×
GONCALVES Sylvie
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 43
Courriel sylvie.goncalves@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
Plus de détails  
×
KEMPF Eva
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel eva.kempf@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
CHEN Xiushna
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB,Autres
Téléphone (33).
Courriel xchen@ipnl.in2p3.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
DALLEAU Thomas
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB,Autres
Téléphone (33).
Courriel thomas.dalleau@st.com
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
SINOBAD Milan
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel milan.sinobad@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
GUIRAL Pierrick
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB,Autres
Téléphone (33).
Courriel pierrick.guiral@dosilab.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
FERRIER Lydie
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 80 66
Courriel lydie.ferrier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
BRICHE Rémi
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel remi.briche@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
DANG Ha My
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 76 18 60 77
Courriel ha-my-nguyen.dang@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
VINCENT Daniel
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 36
Courriel daniel.vincent@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
Plus de détails  
×
AMARA Mohamed
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 76 10
Courriel mohamed.amara@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
×
EL WHIBI Seif
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel seif.el-whibi@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
×
BENCHEMOUL Maxime
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel maxime.benchemoul@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
×
BROTTET Solène
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 67
Courriel solene.brottet@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
Plus de détails  
×
SARELLI Eirini
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).04 72 18 60 77
Courriel eirini.sarelli@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
LECOT Solène
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 36
Courriel solene.lecot@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
×
KEMICHE Malik
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel malik.kemiche@doctorant.ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
PLANTIER Simon
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
BAI Xiaofei
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel xiaofei.bai@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
TONI Arnaud
Chercheur non permanent

Localisation Site CPE,Autres
Téléphone (33).
Courriel arnaud@enduratechnologies.com
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×
BOURAS Mohamed
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel mohamed-elhachmi.bouras@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
×
EL DIRANI Houssein
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel houssein.el-dirani@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
JOHN Jimmy
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel jimmy.john@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
ARMAND Rémi
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel remi.armand@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
STRUSS Quentin
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel quentin.struss@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
LI Xiao
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel xiao.li@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
×
SYNHAIVSKYI Oleksandr
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel oleksandr.synhaivskyi@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
GONZALEZ CASAL Sergio
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel sergio.gonzalez-casal@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
DURSAP Thomas
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel thomas.dursap@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
×
MERMET LYAUDOZ Raphaël
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 55
Courriel raphael.mermet-lyaudoz@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
ESTEVES Josué
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 14 33
Courriel josue.esteves@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
×
PLOURDE Maxime
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel maxime.plourde@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
ISSARTEL Dylan
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel dylan.issartel@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
×
GIGLIA Valentin
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel Valentin.GIGLIA@cea.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
×
SOSNA-GLEBSKA Aleksandra
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel aleksandra.sosna-gelbska@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
NASSIET Thomas
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel thomas.nassiet1@st.com
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
VINCENT Mathieu
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
×
BOUSSADI Younes
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel Younes.BOUSSADI@cea.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
×
POITTEVIN Arnaud
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel arnaud.poittevin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
×

Articles dans des revues internationales ou nationales avec comité de lecture répertoriées par l’AERES ou dans les bases de données internationales (27 publications)

  • Epitaxial La0.7Sr0.3MnO3 thin films on silicon with excellent magnetic and electric properties by combining physical and chemical methods
    Epitaxial La0.7Sr0.3MnO3 thin films on silicon with excellent magnetic and electric properties by combining physical and chemical methods
    VILA-FUNGUEIRIñO J., GAZQUEZ J., MAGEN C., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., CARRETERO-GENEVRIER A.,
    Half-metallic ferromagnetic La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO) represents an appealing candidate to be integrated on silicon substrates for technological devices such as sensors, data storage media, IR detectors, and so on. Here, we report high-quality epitaxial LSMO thin films obtained by an original combination of chemical solution deposition (CSD) and molecular beam epitaxy (MBE). A detailed study of the thermal, chemical, and physical compatibility between SrTiO3 (STO)/Si buffer layers and LSMO films, grown by MBE and CSD, respectively, enables a perfect integration of both materials. Importantly, we show a precise control of the coercive field of LSMO films by tuning the mosaicity of the STO/Si buffer layer. These results demonstrate the enormous potential of combining physical and chemical processes for the development of low-cost functional oxide-based devices compatible with the complementary metal oxide semiconductor technology. ×
    [abstract]
    VILA-FUNGUEIRIñO J., GAZQUEZ J., MAGEN C., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., CARRETERO-GENEVRIER A.,
    Science and Technology of Advanced Materials, 19-702 (2018)
  • Large anisotropy of ferroelectric and pyroelectric properties in heteroepitaxial oxide layers
    Large anisotropy of ferroelectric and pyroelectric properties in heteroepitaxial oxide layers
    MOALLA R., CUEFF S., PENUELAS J., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., BABOUX N., BACHELET R.,
    Epitaxial PbZr0.52Ti0.48O3 (PZT) layers were integrated on Si(001) with single PZT {001} orientation, mosaïcity below 1° and a majority of a-oriented ferroelectric domains (∼65%). Ferroelectric and pyroelectric properties are determined along both the out-of-plane and in-plane directions through parallel-plate capacitor and coplanar interdigital capacitor along the <100>PZT direction. A large anisotropy in these properties is observed. The in-plane remnant polarization (21.5 μC.cm−2) is almost twice larger than that measured along the out-of-plane direction (13.5 μC.cm−2), in agreement with the domain orientation. Oppositely, the in-plane pyroelectric coefficient (−285 μC.m−2.K−1) is much lower than that measured out-of-plane (−480 μC.m−2.K−1). The pyroelectric anisotropy is explicated in term of degree of structural freedom with temperature. In particular, the low in-plane pyroelectric coefficient is explained by a two-dimensional clamping of the layers on the substrate which induces tensile stress (from thermal expansion), competing with the decreasing tetragonality of a-domains (shortening of the polar c-axis lattice parameter). Temperature-dependent XRD measurements have revealed an increased fraction of a-domains with temperature, attesting the occurrence of a partial two-dimensional clamping. These observed properties are of critical importance for integrated pyroelectric devices. ×
    [abstract]
    MOALLA R., CUEFF S., PENUELAS J., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., BABOUX N., BACHELET R.,
    Scientific Reports, 8-4332 (2018)
  • Electric and mechanical switching of ferroelectric and resistive states in semiconducting BaTiO3-x films on silicon
    Electric and mechanical switching of ferroelectric and resistive states in semiconducting BaTiO3-x films on silicon
    GOMES A., VILA-FUNGUEIRIñO J., MOALLA R., SAINT-GIRONS G., GAZQUEZ J., VARELA M., BACHELET R., GICH M., RIVADULLA F., CARRETERO-GENEVRIER A.,
    Materials that can couple electrical and mechanical properties constitute a key element of smart actuators, energy harvesters, or many sensing devices. Within this class, functional oxides display specific mesoscale responses which often result in great sensitivity to small external stimuli. Here, a novel combination of molecular beam epitaxy and a water-based chemical-solution method is used for the design of mechanically controlled multilevel device integrated on silicon. In particular, the possibility of adding extra functionalities to a ferroelectric oxide heterostructure by n-doping and nanostructuring a BaTiO3 thin film on Si(001) is explored. It is found that the ferroelectric polarization can be reversed, and resistive switching can be measured, upon a mechanical load in epitaxial BaTiO3−δ/La0.7Sr0.3MnO3/SrTiO3/Si columnar nanostructures. A flexoelectric effect is found, stemming from substantial strain gradients that can be created with moderate loads. Simultaneously, mechanical effects on the local conductivity can be used to modulate a nonvolatile resistive state of the BaTiO3−δ heterostructure. As a result, three different configurations of the system become accessible on top of the usual voltage reversal of polarization and resistive states. ×
    [abstract]
    GOMES A., VILA-FUNGUEIRIñO J., MOALLA R., SAINT-GIRONS G., GAZQUEZ J., VARELA M., BACHELET R., GICH M., RIVADULLA F., CARRETERO-GENEVRIER A.,
    Small, 13-1701614 (2017)
  • Huge gain in pyroelectric energy conversion through epitaxy for integrated self-powered nanodevices
    Huge gain in pyroelectric energy conversion through epitaxy for integrated self-powered nanodevices
    MOALLA R., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., LE RHUN G., DEFAY E., SEBALD G., BABOUX N., BACHELET R.,
    Polycrystalline (textured) and epitaxial 500 nm thick Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT) layers have been monolithically integrated in metal-insulator-metal structure on silicon in order to compare their pyroelectric properties, both statically (under stabilized temperatures) and dynamically (when submitted to temperature transient as a pyroelectric device should work). The films have roughly the same out-of-plane orientation, and thus a similar out-of-plane remnant ferroelectric polarization around 12 μC/cm2. Whereas their static pyroelectric coefficients are similar (around −470 μC m−2 K−1), the dynamic pyroelectric coefficient of the epitaxial layer is about one order of magnitude larger than that of the polycrystalline layer (−230 vs −30 μC m−2 K−1). This causes an important difference on the densities of converted pyroelectric energy by almost two orders of magnitude (1 vs 1.5 10−2 mJ/cm3 per cycle for temperature variations of ∼6 K). This difference is explained here by the counterbalanced extrinsic pyroelectric contribution arising from the domain walls motion in the dynamical measurements. Extrinsic pyroelectric contribution appears almost twice larger on polycrystalline layer than on epitaxial layer (+430 vs +250 μC m−2 K−1). These results are crucial for further design of advanced integrated pyroelectric-based nanodevices. ×
    [abstract]
    MOALLA R., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., LE RHUN G., DEFAY E., SEBALD G., BABOUX N., BACHELET R.,
    Nano Energy, 41-43 (2017)
  • Thermoelectric La-doped SrTiO3 epitaxial layers with single-crystal quality: from nano to micrometers
    Thermoelectric La-doped SrTiO3 epitaxial layers with single-crystal quality: from nano to micrometers
    APREUTESEI M., DEBORD R., BOURAS M., REGRENY P., BOTELLA C., BENAMROUCHE A., CARRETERO-GENEVRIER A., GAZQUEZ J., GRENET G., PAILHES S., SAINT-GIRONS G., BACHELET R.,
    High-quality thermoelectric La0.2Sr0.8TiO3 (LSTO) films, with thicknesses ranging from 20 nm to 0.7 μm, have been epitaxially grown on SrTiO3(001) substrates by enhanced solid-source oxide molecular-beam epitaxy. All films are atomically flat (with rms roughness < 0.2 nm), with low mosaicity (<0.1°), and present very low electrical resistivity (<5 × 10−4 Ω cm at room temperature), one order of magnitude lower than standard commercial Nb-doped SrTiO3 single crystalline substrate. The conservation of transport properties within this thickness range has been confirmed by thermoelectric measurements where Seebeck coefficients of approximately –60 μV/K have been recorded for all films. These LSTO films can be integrated on Si for nonvolatile memory structures or opto-microelectronic devices, functioning as transparent conductors or thermoelectric elements. ×
    [abstract]
    APREUTESEI M., DEBORD R., BOURAS M., REGRENY P., BOTELLA C., BENAMROUCHE A., CARRETERO-GENEVRIER A., GAZQUEZ J., GRENET G., PAILHES S., SAINT-GIRONS G., BACHELET R.,
    Science and Technology of Advanced Materials, 18-430 (2017)
  • Chemical reactivity between sol–gel deposited Pb(Zr,Ti)O3 layers and their GaAs substrates
    MEUNIER B., LARGEAU L., REGRENY P., PENUELAS J., BACHELET R., VILQUIN B., WAGUE B., SAINT-GIRONS G.,
    CrystEngComm, 18-7494 (2016)
  • Dramatic effect of thermal expansion mismatch on the structural, dielectric, ferroelectric and pyroelectric properties of low-cost epitaxial PZT films on SrTiO3 and Si
    MOALLA R., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., SEBALD G., BABOUX N., BACHELET R.,
    CrystEngComm, 18-1887 (2016)
  • Electro-Optical Modulation Based on Pockels Effect in BaTiO3 With a Multi-Domain Structure
    CASTERA P., GUTIERREZ A., TULLI A., CUEFF S., OROBTCHOUK R., ROJO ROMEO P., SAINT-GIRONS G., SANCHIS P., , , , , , , , , , , , ,
    IEEE Photonics Technology Letters, 28-990 (2016)
  • Epitaxy of irridium on SrTiO3/Si(001): a promising scalable substrate for diamond heteroepitaxy
    Epitaxy of irridium on SrTiO3/Si(001): a promising scalable substrate for diamond heteroepitaxy
    LEE K., SAADA S., ARNAULT J., MOALLA R., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., BENSALAH H., STENGER I., BARJON J., TALLAIERE A., ACHARD J.,
    Iridiumepitaxy on SrTiO3/Si (001)was investigated using field emission scanning electronmicroscopy (FE-SEM), spectroscopic ellipsometry, X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM). Thermal stability of SrTiO3 buffer layers (12–40 nm thick) was first investigated by annealing at different temperatures (620 °C– 920 °C) under vacuum to optimize iridium epitaxy conditions. The surface morphology was monitored by FESEM and optical constants by spectroscopic ellipsometry. Iridium films were then deposited and their morphology and crystalline quality were evaluated by FE-SEMand XRD. Itwas found that iridiumepitaxy is optimized at 660 °C on SrTiO3 films thicker than ~30 nm. The polar and azimuthal mosaicities of the iridiumfilms on SrTiO3/Si (001)were 0.3° and 0.1°, respectively. These epitaxial iridiumfilmswere further used for diamond heteroepitaxy. The bias enhanced nucleation (BEN) treatment resulted in highly homogeneous and dense diamond domains. Heteroepitaxial diamond films were further grown by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MPCVD) on 7 × 7 mm2 Ir/SrTiO3/Si (001) substrates and characterized by XRD. ×
    [abstract]
    LEE K., SAADA S., ARNAULT J., MOALLA R., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., BENSALAH H., STENGER I., BARJON J., TALLAIERE A., ACHARD J.,
    Diamond and Related Materials, 66-67 (2016)
  • Epitaxy of SrTiO3 on silicon: The knitting machine strategy
    SAINT-GIRONS G., BACHELET R., MOALLA R., MEUNIER B., LOUAHADJ L., CANUT B., CARRETERO-GENEVRIER A., GAZQUEZ J., REGRENY P., BOTELLA C., PENUELAS J., SILLY M., SIROTTI F., GRENET G.,
    Chemistry of Materials, 28(15)-5347-5355 (2016)
  • GaAs Core/SrTiO3 Shell Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy
    GaAs Core/SrTiO3 Shell Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy
    GUAN X., BECDELIEVRE J., MEUNIER B., BENALI A., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., BLANCHARD N., JAURAND X., SILLY M., SIROTTI F., CHAUVIN N., GENDRY M., PENUELAS J.,
    We have studied the growth of a SrTiO3 shell on self-catalyzed GaAs nanowires grown by vapor-liquid-solid assisted molecular beam epitaxy on Si(111) substrates. To control the growth of the SrTiO3 shell, the GaAs nanowires were protected using an arsenic capping/decapping procedure in order to prevent uncontrolled oxidation and/or contamination of the nanowire facets. Reflection high energy electron diffraction, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy were performed to determine the structural, chemical and morphological properties of the heterostructured nanowires. Using adapted oxide growth conditions, it is shown that most of the perovskite structure SrTiO3 shell appears to be oriented with respect to the GaAs lattice. These results are promising for achieving one-dimensional epitaxial semiconductor core / functional oxide shell nanostructures. ×
    [abstract]
    GUAN X., BECDELIEVRE J., MEUNIER B., BENALI A., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., BLANCHARD N., JAURAND X., SILLY M., SIROTTI F., CHAUVIN N., GENDRY M., PENUELAS J.,
    Nano Letters, 16-2393 (2016)
  • GaAs nanowires with oxidation-proof arsenic capping for the growth of an epitaxial shell
    GaAs nanowires with oxidation-proof arsenic capping for the growth of an epitaxial shell
    GUAN X., BECDELIEVRE J., BENALI A., BOTELLA C., GRENET G., REGRENY P., CHAUVIN N., BLANCHARD N., JAURAND X., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., GENDRY M., PENUELAS J.,
    We propose an arsenic-capping/decapping method, allowing the growth of an epitaxial shell around the GaAs nanowire (NW) core which is exposed to an ambient atmosphere, and without the introduction of impurities. Self-catalyzed GaAs NW arrays were firstly grown on Si(111) substrates by solid-source molecular beam epitaxy. Aiming for protecting the active surface of the GaAs NW core, the arsenic-capping/decapping method has been applied. To validate the effect of this method, different core/shell NWs have been fabricated. Analyses highlight the benefit of the As capping-decapping method for further epitaxial shell growth: an epitaxial shell with a smooth surface is achieved in the case of As-capped–decapped GaAs NWs, comparable to the in situ grown GaAs/AlGaAs NWs. This As capping method opens a way for the epitaxial growth of heterogeneous material shells such as functional oxides using different reactors. ×
    [abstract]
    GUAN X., BECDELIEVRE J., BENALI A., BOTELLA C., GRENET G., REGRENY P., CHAUVIN N., BLANCHARD N., JAURAND X., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., GENDRY M., PENUELAS J.,
    Nanoscale, 8-15637 (2016)
  • High ferroelectric polarization in c-oriented BaTiO3 epitaxial thin films on SrTiO3/Si(001)
    SCIGAJ A., CHAO C., GAZQUEZ J., FINA I., MOALLA R., SAINT-GIRONS G., CHISHOLM R., HERRANZ G., FONTCUBERTA J., BACHELET R., SANCHEZ F.,
    Applied Physics Letters, 109-122903 (2016)
  • Low-loss and compact silicon rib waveguide bends
    BRIMONT A., HU X., CUEFF S., ROJO ROMEO P., SAINT-GIRONS G., GRIOL A., ZANZI A., SANCHIS P., OROBTCHOUK R., , , , , , , , , , , ,
    IEEE Photonics Technology Letters, 28-299 (2016)
  • Sol–gel deposition of Pb(Zr,Ti)O3 on GaAs/InGaAs quantum well heterostructure via SrTiO3 templates: Stability of the semiconductor during oxide growth
    MEUNIER B., LARGEAU L., REGRENY P., BACHELET R., VILQUIN B., PENUELAS J., SAINT-GIRONS G.,
    Thin Solid Film, 617-67 (2016)
  • Texture of Ge on SrTiO3(001) substrates: Evidence for in-plane axiotaxy
    DANESCU A., PENUELAS J., GOBAUT B., SAINT-GIRONS G.,
    Surface Science, 644-13 (2016)
  • The role of Titanium at the SrTiO3/GaAs epitaxial interface
    MEUNIER B., BACHELET R., GRENET G., BOTELLA C., REGRENY P., PENUELAS J., SAINT-GIRONS G.,
    Journal of Crystal Growth, 433-139 (2016)
  • Epitaxial manganite freestanding bridges for low power pressure sensors
    LE BOURDAIS D., AGNUS G., MAROUTIAN T., PILLARD V., AUBERT A., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., VILQUIN B., LEFEUVRE E., LECOEUR P.,
    Journal of Applied Physics, 118-124509 (2015)
  • Integration of functional complex oxide nanomaterials on silicon
    Integration of functional complex oxide nanomaterials on silicon
    VILA-FUNGUEIRIñO J., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., GENDRY M., GICH M., GAZQUEZ J., FERAIN E., RIVADULLA F., RODRIGUEZ-CARVAJAL J., MESTRES N., CARRETERO-GENEVRIER A.,
    The combination of standard wafer-scale semiconductor processing with the properties of functional oxides opens up to innovative and more efficient devices with high value applications that can be produced at large scale. This review uncovers the main strategies that are successfully used to monolithically integrate functional complex oxide thin films and nanostructures on silicon: the chemical solution deposition approach (CSD) and the advanced physical vapor deposition techniques such as oxide molecular beam epitaxy (MBE). Special emphasis will be placed on complex oxide nanostructures epitaxially grown on silicon using the combination of CSD and MBE. Several examples will be exposed, with a particular stress on the control of interfaces and crystallization mechanisms on epitaxial perovskite oxide thin films, nanostructured quartz thin films, and octahedral molecular sieve nanowires. This review enlightens on the potential of complex oxide nanostructures and the combination of both chemical and physical elaboration techniques for novel oxide-based integrated devices. ×
    [abstract]
    VILA-FUNGUEIRIñO J., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., GENDRY M., GICH M., GAZQUEZ J., FERAIN E., RIVADULLA F., RODRIGUEZ-CARVAJAL J., MESTRES N., CARRETERO-GENEVRIER A.,
    Frontiers in Physics, 3-38 (2015)
  • X-ray photoelectron spectroscopy and diffraction investigation of a metal-oxide-semiconductor heterostructure: Pt/Gd2O3/Si(111)
    FERRAH D., EL KAZZI M., NIU G., BOTELLA C., PENUELAS J., ROBACH Y., LOUAHADJ L., BACHELET R., LARGEAU L., SAINT-GIRONS G., LIU Q., VILQUIN B., GRENET G.,
    Journal of Crystal Growth, 416-118 (2015)
  • Chemistry and structure of BaTiO3 ultra-thin films grown by different O-2 plasma power
    Chemistry and structure of BaTiO3 ultra-thin films grown by different O-2 plasma power
    WANG J., LEROY J., NIU G., SAINT-GIRONS G., GAUTIER B., VILQUIN B., BARRETT N.,
    We present a study of the chemical and atomic properties of 5 nm TiO 2-terminated BaTiO3 (0 0 1) epitaxial films on Nb-doped SrTiO3, as a function of the atomic oxygen plasma power for film growth. Lower plasma power produces non-stoichiometric films with oxygen vacancies and Ti3+ ions. The larger Ti3+ ion radius and the in-plane clamping gives rise to an increase in the out-of-plane lattice parameter. XPS measures the Ti3+ concentration and the concomitant increase in dissociative water uptake in the film, giving rise to on-top OH - adsorption on surface Ti, proton adsorption on surface oxygen, and a near surface Ba-OH environment. ×
    [abstract]
    WANG J., LEROY J., NIU G., SAINT-GIRONS G., GAUTIER B., VILQUIN B., BARRETT N.,
    Chemical Physics Letters, 592-206 (2014)
  • Electromechanical response of amorphous $\mathrm{LaAlO_3}$ thin film probed by Scanning Probe Microscopies
    BOROWIAK A., BABOUX N., ALBERTINI D., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., PELLOQUIN S., GAUTIER B.,
    Applied Physics Letters, 105(1)-012906 (2014)
  • Functional spinel oxide heterostructures on silicon
    BACHELET R., DE COUX P., WAROT-FONROSE B., SKUMRYEV V., NIU G., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., SANCHEZ F.,
    CrystEngComm, 16-10741 (2014)
  • Growth of Ge islands on SrTiO3 (001) 2x1 reconstructed surface: Epitaxial relationship and effect of the temperature
    GOBAUT B., PENUELAS J., BENAMROUCHE A., ROBACH Y., BLANC N., FAVRE-NICOLIN V., RENAUD G., LARGEAU L., SAINT-GIRONS G.,
    Surface Science, 624-130 (2014)
  • Molecular beam epitaxy of SrTiO3 on GaAs(001) : GaAs surface treatment and structural characterization of the oxide layer
    LOUAHADJ L., BACHELET R., REGRENY P., LARGEAU L., DUBOURDIEU C., SAINT-GIRONS G.,
    Thin Solid Film, 563-2 (2014)
  • Phase transitions in [001]-oriented morphotropic PbZr0.52Ti0.48O3 thin film deposited onto SrTiO3-buffered Si substrate
    Phase transitions in [001]-oriented morphotropic PbZr0.52Ti0.48O3 thin film deposited onto SrTiO3-buffered Si substrate
    SHI Y., CUEFF M., NIU G., LE RHUN G., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., GAUTIER B., ROBACH Y., GEMEINER P., GUIBLIN N., DEFAY E., DKHIL B.,
    An 85 nm-thick morphotropic PbZr0.52Ti0.48O 3 (PZT) film grown epitaxially and [001]-oriented onto a SrTiO 3-buffered Si-wafer is investigated using temperature dependent X-ray diffraction. Two phase transitions, at Trt ∼ 500 K and T c ∼ 685 K, are evidenced and are attributed to structural phase transitions from monoclinic-like to tetragonal-like phase and from tetragonal to paraelectric phase, respectively. The stronger upper shift of Trt value with respect to the bulk one and the weakly affected Tc (T c bulk ∼ 665 K) are explained assuming misfit strain changes when crossing Trt. This finding opens new perspectives for piezoelectric PZT films in harsh applications. ×
    [abstract]
    SHI Y., CUEFF M., NIU G., LE RHUN G., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., GAUTIER B., ROBACH Y., GEMEINER P., GUIBLIN N., DEFAY E., DKHIL B.,
    Journal of Applied Physics, 115-214108 (2014)
  • Structural study and ferroelectricity of epitaxial BaTiO3 films on silicon grown by molecular beam epitaxy
    MAZET L., BACHELET R., LOUAHADJ L., ALBERTINI D., GAUTIER B., SCHAMM-CHARDON S., SAINT-GIRONS G., DUBOURDIEU C.,
    Journal of Applied Physics, 116(21)-214102 (2014)

Conférences données à l’invitation du Comité d’organisation dans un congrès national ou international (16 publications)

  • Hétérostructures à base de nanofils III-V
    Hétérostructures à base de nanofils III-V
    PENUELAS J., GUAN X., BECDELIEVRE J., FOUQUAT L., REGRENY P., GENDRY M., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., DANESCU A., BOTELLA C., GRENET G.,
    Les nanofils semiconducteurs ont été intensivement étudiés au cours de ces dernières années en raison de leurs propriétés physiques originales. Contrairement à d’autres systèmes, les nanofils offrent la possibilité de créer des structures hétéroépitaxiales suivant deux géométries: radiale [1] (combinant les matériaux autour de l'axe de croissance des nanofils) et axiale [2] (combinant les matériaux le long de l'axe de croissance des nanofils). Dans les deux cas, un contrôle précis de la qualité des interfaces est nécessaire. Dans cette présentation, ces deux types d'hétérostructures seront présentés, en partant de nanofils de GaAs fabriqués par épitaxie par jets moléculaires. La première hétérostructure est formée d'une insertion axiale d’un segment Wurtzite dans des nanofils Zinc Blende. Nous montrerons qu'il est possible de contrôler la formation de telles structures en accordant les flux d’As et de Ga pendant la croissance. Ces travaux ouvrent la voie vers une ingénierie de la structure cristalline pour modifier les propriétés optiques et de transports [3]. La seconde hétérostructure consiste en un système hautement hétérogène: nanofils cœur (GaAs) / coquille (oxyde fonctionnel) et nanofils cœur (GaAs) / coquille (métal). En raison de la grande hétérogénéité, la croissance est difficile à réaliser car il est nécessaire d'éviter une oxydation indésirable pendant le transfert de l'échantillon et car le désaccord de maille est élevé. Une technique de protection des nanofils permettant d’obtenir des facettes de GaAs exemptes de contamination avant la croissance de la coquille est proposée [4]. ×
    [abstract]
    PENUELAS J., GUAN X., BECDELIEVRE J., FOUQUAT L., REGRENY P., GENDRY M., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., DANESCU A., BOTELLA C., GRENET G.,
    Journées Surfaces et Interfaces January 24-26, 2018 Strasbourg, France (2018)
  • Growth of core (GaAs) / shell (functional oxide) nanowires
    GUAN X., BECDELIEVRE J., MEUNIER B., BENALI A., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., BLANCHARD N., JAURAND X., SILLY M., SIROTTI F., CHAUVIN N., GENDRY M., PENUELAS J.,
    EMN Meeting on Nanowires May, 16-19, 2016 Amsterdam, Netherlands (2016)
  • Growth of hybrid GaAs core / shell nanowires
    GUAN X., BECDELIEVRE J., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., DANESCU A., VILQUIN B., ROJO ROMEO P., CHAUVIN N., BLANCHARD N., SILLY M., SIROTTI F., GENDRY M., PENUELAS J.,
    GDR PULSE July 2016 Marseille, France (2016)
  • Semiconducting core / piezoelectric shell nanowires
    PENUELAS J., GUAN X., BECDELIEVRE J., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., DANESCU A., VILQUIN B., ROJO ROMEO P., CHAUVIN N., BLANCHARD N., SILLY M., SIROTTI F., GENDRY M.,
    PiezoNEMS workshop December 1st 2016 Grenoble, France (2016)
  • Integration of functional oxides on SOI for agile silicon photonics
    ROJO ROMEO P., HU X., CUEFF S., WAGUE B., OROBTCHOUK R., VILQUIN B., BACHELET C., GRENET G., DUBOURDIEU C., REGRENY P., SAINT-GIRONS G., CASTERA P., GUTIERREZ A., SANCHEZ N., ANGELOVA T., SANCHIS P., ABEL S., FOMPEYRINE J.,
    ICTON2015 05/07/2015 - 09/07/2015 Budapest (Hongrie) (2015)
  • Complex oxides on semiconductors for nanoelectronic applications
    MAZET L., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., HYTCH M., SCHAMM-CHARDON S., DUBOURDIEU C.,
    TMS 2015 144th Annual Meeting March 15-19, 2015 Orlando, Fl, USA (2015)
  • Complex oxides on semiconductors for nanoelectronic applications
    MAZET L., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., HYTCH M., SCHAMM-CHARDON S., DUBOURDIEU C.,
    TMS 2015 conference 15-19 mars 2015 Orlando, (USA) (2015)
  • Heterostructures combining functional oxides and semiconductors for integrated photonics
    SAINT-GIRONS G.,
    Workshop MNP 2015 2-3 décembre 2015 Besançon, (France) (2015)
  • Molecular beam epitaxy of ferroelectric complex oxides on silicon
    DUBOURDIEU C., MAZET L., YANG S., COURS R., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., MAGEN C., HYTCH M., KALININ S., SCHAMM-CHARDON S.,
    19th Conference on "Insulating Films on Semiconductors (INFOS) June 30 - July 2, 2015 Udine, Italy (2015)
  • Perovskite Oxide MEMS: Strain Control and Sensor Applications
    LECOEUR P., LE BOURDAIS D., AGNUS G., MAROUTIAN T., MATZEN M., LARGEAU L., SAINT-GIRONS G., VILQUIN B., LEFEUVRE E.,
    MRS 2015 Fall Meeting 29 novembre – 4 décembre 2015 Boston (USA) (2015)
  • Catalyse par le Sr de de la cristallisation de SrTiO3 lors des premiers stades de sa croissance sur Si
    SAINT-GIRONS G., BACHELET R., GRENET G., PENUELAS J., LOUAHADJ L., CARRETERO-GENEVRIER A., CANUT B., SILLY M., SIROTTI F.,
    Colloque annuel du GDR PULSE 27-29 octobre 2014 Toulouse (France) (2014)
  • Epitaxy of ferroelectric complex oxides on semiconductors for field-effect devices
    MAZET L., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., LOUAHADJ L., ALBERTINI D., GAUTIER B., JORDAN-SWEET J., FRANK M., NARAYANAN V., HYTCH M., SCHAMM-CHARDON S., DUBOURDIEU C.,
    10th International Conference on Physics of Advanced Materials 22-28 September 2014 Iasi, Roumanie (2014)
  • Heterostructures combining functional oxides and semiconductors for integrated photonics
    SAINT-GIRONS G., CUEFF S., MEUNIER B., HU X., LOUAHADJ L., MAZET L., OROBTCHOUK R., ROJO ROMEO P., BACHELET R., VILQUIN B., REGRENY P., CHAUVIN N., GRENET G., PENUELAS J., DANESCU A., DUBOURDIEU C., LETARTRE X., RENAUD G., FAVRE-NICOLIN V., SAINT-GIRONS G.,
    Workshop “Les oxydes pour l’optique et la photonique” 8-9 décembre 2014 Meudon (France) (2014)
  • Integration of functional oxides on silicon for nanoelectronics and energy
    BACHELET R., LOUAHADJ L., MAZET L., MOALLA R., NIU G., REGRENY P., VILQUIN B., DUBOURDIEU C., FONTCUBERTA J., SANCHEZ F., SAINT-GIRONS G.,
    International Conference on Materials and Characterization Techniques (ICMCT) March 10 – 12, 2014 VIT Univ., Vellore, Chennai, India (2014)
  • Monolithic integration of epitaxial BaTiO3 on Si and SiGe for ferroelectric devices
    MAZET L., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., ALBERTINI D., GAUTIER B., FRANK M., JORDAN-SWEET J., LAUER I., NARAYANAN V., HYTCH M., SCHAMM-CHARDON S., DUBOURDIEU C.,
    AVS 61st International Symposium November 9-14, 2014 Baltimore, USA (2014)
  • Silicon CMOS Compatible Transition Metal Dioxide Technology for Boosting Highly Integrated Photonic Devices with Disruptive Performance
    Silicon CMOS Compatible Transition Metal Dioxide Technology for Boosting Highly Integrated Photonic Devices with Disruptive Performance
    SANCHIS P., SANCHEZ L., CASTERA P., ROSA A., GUTIERREZ A., BRIMONT A., SAINT-GIRONS G., OROBTCHOUK R., CUEFF S., ROJO ROMEO P., BACHELET R., REGRENY P., VILQUIN B., DUBOURDIEU C., LETARTRE X., GRENIER E., PENUELAS J., HU X., ABEL S., FOMPEYRINE J.,
    In this work we will present the objectives and last results of the FP7-ICT-2013-11-619456 SITOGA project. The SITOGA project will address the integration of transition metal dioxides (TMO) materials in silicon photonics and CMOS electronics. TMOs have unique electro-optical properties that will offer unprecedented and novel capabilities to the silicon platform. SITOGA will focus on two disruptive TMO materials, barium titanate (BaTiO3) and vanadium didioxide (VO2), for developing advanced photonic integrated devices for a wide range of applications. Innovative integration processes with silicon photonics circuits and CMOS electronics will be developed. The whole technology chain will be validated by two functional demonstrators: a 40 Gbit/s DPSK transceiver and an 8x8 switching matrix with 100 Gbit/s throughput. ×
    [abstract]
    SANCHIS P., SANCHEZ L., CASTERA P., ROSA A., GUTIERREZ A., BRIMONT A., SAINT-GIRONS G., OROBTCHOUK R., CUEFF S., ROJO ROMEO P., BACHELET R., REGRENY P., VILQUIN B., DUBOURDIEU C., LETARTRE X., GRENIER E., PENUELAS J., HU X., ABEL S., FOMPEYRINE J.,
    16th International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON) July 06-10, 2014 Graz, Austria (2014)

Communications avec actes dans un congrès international (30 publications)

  • Ferroelectric oxide slot waveguide electro-optic modulator on Silicon
    CUEFF S., OROBTCHOUK R., ROJO ROMEO P., GUTIERREZ A., CASTERA P., ROSA A., WAGUE B., HU X., BACHELET R., REGRENY P., VILQUIN B., SANCHIS P., SAINT-GIRONS G.,
    SPIE Photonic West 2016 Conference 13-18 february 2016 San-Francisco (USA) (2016)
  • Interface reactivity and epitaxial growth of SrTiO3 and other functional oxides on Si and GaAs
    MEUNIER B., MOALLA R., CARRETERO-GENEVRIER A., LARGEAU L., GAZQUEZ J., REGRENY P., BOTELLA C., PENUELAS J., VILQUIN B., WAGUE B., GRENET G., AGNUS G., LECOEUR P., SILLY M., SIROTTI F., BACHELET R., SAINT-GIRONS G.,
    IC-MBE 2016 international conference , 4-9 sept 2016 Montpellier (France) (2016)
  • LiNbO3 Films for Acoustic Wave Applications
    BARTASYTE A., OLIVERI S., BARON T., SALUT T., MARGUERON S., BALLANDRAS S., SAINT-GIRONS G., GAUTIER B., BACHELET R., ALBERTINI D., BOULLE A.,
    IEEE International Ultrasonics Symposium 18-21 sept 2016 Tours (France) (2016)
  • Chemical solution deposition to epitaxial functional complex oxide nanostructures and thin films
    CARRETERO-GENEVRIER A., GICH M., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., VILA-FUNGUEIRIñO J., RIVAS-MURIAS B., GAZQUEZ J., DRISKO G., ORE-SOLE M., FERAIN E., PUIG T., OBRADORS X., RIVADULLA F., RODRIGUEZ-CARVAJAL J., SANCHEZ F., MESTRES N.,
    MRS 2015 Spring Meeting 6-10 Avril 2015 San Francisco, USA (2015)
  • Epitaxial growth of ferroelectric Pb(Zr,Ti)O3 thin layers on SrTiO3-templated GaAs/InGaAs quantum well structure for opto-mechanical application
    MEUNIER B., BACHELET R., VILQUIN B., ROJO ROMEO P., GRENET G., BOTELLA C., REGRENY P., PENUELAS J., AGNUS G., LECOEUR P., PILLARD V., CHAUVIN N., LARGEAU L., SAINT-GIRONS G.,
    EMRS 2015 Spring Meeting 11-15 mai 2015 Lille, (France) (2015)
  • Epitaxial growth of ferroelectric Pb(Zr,Ti)O3 thin layers on SrTiO3-templated GaAs/InGaAs quantum well structure for opto-mechanical application
    MEUNIER B., BACHELET R., VILQUIN B., ROJO ROMEO P., GRENET G., BOTELLA C., REGRENY P., PENUELAS J., AGNUS G., LECOEUR P., PILLARD V., CHAUVIN N., LARGEAU L., SAINT-GIRONS G.,
    EuroMBE 2015 conference 15-18 mars, 2015 Canazei, (Italie) (2015)
  • Epitaxial growth of SrTiO3 on GaAs : Towards opto-mechanical applications
    MEUNIER B., GRENET G., BOTELLA C., REGRENY P., BACHELET R., CHAUVIN N., LARGEAU L., PENUELAS J., AGNUS G., LECOEUR P., VILQUIN B., ROJO ROMEO P., SAINT-GIRONS G.,
    Europ. Material research Society EMRS 11-15 mai 2015 Lille (France) (2015)
  • Epitaxial pyroelectric Pb(Zr,Ti)O3 thin films on silicon for thermal energy harvesting
    MOALLA R., LIU Q., SAINT-GIRONS G., VILQUIN B., BABOUX N., SEBALD G., DUBOURDIEU C., BACHELET C.,
    EMRS 2015 Spring Meeting 11-15 mai 2015 Lille, France (2015)
  • Functional oxide pressure sensor
    Functional oxide pressure sensor
    LE BOURDAIS D., AGNUS G., MAROUTIAN T., PILLARD V., SAINT-GIRONS G., VILQUIN B., LEFEUVRE E., LECOEUR P.,
    Manganites are well known in the oxide community, especially La2/3Sr1/3MnO3 (LSMO) for its magnetic behavior above room temperature. In these materials, electrical conduction is due to several phenomena such as double exchange or polaronic conduction that give rise to a modulation of the material’s resistivity with the temperature. Measuring the resistance of a device can thus be a way to measure its temperature and was notably used to design bolometers working at room temperature, thanks to its high Temperature Coefficient of Resistance (TCR) close to the ferromagnetic transition. For suspended microdevices, dependence on the background gaz pressure is also observed. This phenomenon relates to the Pirani effect where the surrounding gas cools down the heated device because the local thermal conductivity depends on ambient gas pressure. Close to the ferromagnetic transition, the TCR of LSMO is almost a decade higher than Platinum making this material a good candidate for sensor application at room temperature. Additionally, the high chemical stability of manganites and their very low intrinsic electrical noise level are other arguments to use them in this field. Micro-pirani sensors were fabricated thanks to the integration of LSMO on Si with STO and YSZ buffer following by MEMS technology processes. Such oxide-based sensors exhibit sensitivity 10 times better and power consumption reduced by a factor of 100 with respect to a metallic sensor with the same geometry. ×
    [abstract]
    LE BOURDAIS D., AGNUS G., MAROUTIAN T., PILLARD V., SAINT-GIRONS G., VILQUIN B., LEFEUVRE E., LECOEUR P.,
    EMRS Spring Meeting May 11-15, 2015 Lille (France) (2015)
  • Hybrid silicon-ferroelectric oxide slot waveguide for on-chip optoelectronics
    CUEFF S., OROBTCHOUK R., ROJO ROMEO P., WAGUE B., HU X., BACHELET R., REGRENY P., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G.,
    MRS Fall Meeting 29 nov - 4 dec 2015 Boston (USA) (2015)
  • Ir / SrTiO3 / Si multilayers: a promising substrate for diamond heteroepitaxy
    LEE H.Y., SAADA C., ARNAULT J., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., TALLAIERE A., ACHARD H., BENSALA H., STENGER I., BARJON J.,
    DCM 2015 conference , 6-10 septembre 2015 Band Homburg, (Germany). (2015)
  • Monolithic integration of functional oxides in silicon by chemical solution deposition
    CARRETERO-GENEVRIER A., GICH M., VILA-FUNGUEIRIñO J., DRISKO G., PICAS L., GAZQUEZ J., RIVAS-MURIAS B., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., RODRIGUEZ-CARVAJAL J., RIVADULLA F., SANCHEZ F.,
    MRS 2015 Spring Meeting 6-10 Avril 2015 San Francisco, USA (2015)
  • Monolithic integration of pyroelectric oxide films on silicon for thermal energy harvesting and cooling applications
    MOALLA R., BABOUX N., SEBALD G., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., BACHELET R.,
    EMRS 2015 Fall Meeting 15-18 septembre 2015 Varsovie, (Pologne) (2015)
  • Soft chemistry integration of ferromagnetic La0.7Sr0.3MnO3 on silicon
    VILA-FUNGUEIRIñO J., CARRETERO-GENEVRIER A., RIVAS-MURIAS B., MOALLA R., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., RIVADULLA F.,
    EMRS 2015 Spring Meeting 11-15 mai 2015 Lille, France (2015)
  • Strong electrocaloric anisotropy in epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 heterostructures
    MOALLA R., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., BABOUX N., SEBALD G., BACHELET R.,
    EMRS 2015 Fall Meeting Varsovie, (Pologne) 15-18 septembre 2015 (2015)
  • Thermal energy harvesting through epitaxial pyroelectric oxide films integrated on silicon
    MOALLA R., LIU Q., VILA-FUNGUEIRIñO J., CARRETERO-GENEVRIER A., RIVAS-MURIAS B., RIVADULLA F., SAINT-GIRONS G., VILQUIN B., BABOUX N., SEBALD G., DUBOURDIEU C., BACHELET R.,
    EMRS 2015 Spring Meeting 11-15 Mai 2015 Lille, France (2015)
  • Electro-optic modulation with functional oxides monolithically integrated on silicon
    CUEFF S., HU X., OROBTCHOUK R., ROJO ROMEO P., BACHELET C., VILQUIN B., HAYES M., DUBOURDIEU C., REGRENY P., GRENET G., SAINT-GIRONS G., CASTERA P., SANCHEZ C., ANGELOVA T., BELLIERES L., GRIOL A., LOPEZ M., GIUTERREZ A., SANCHIS P.,
    Silicon Photonics Summer School organized by PLAT4M project june 29-july 4 2014 Ghent, Belgium (2014)
  • Engineering of oxide based resistive switching for passive crossbar integration
    ALIBART F., LA BARBERA S., VUILLAUME D., MINVIELLE M., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., DUBOURDIEU C., , , , , , , , , , , , , ,
    EMRS 2014 spring meeting may 26-30 2014 Lille (France) (2014)
  • Epitaxial growth of BaTiO3 on semiconductor substrates by molecular beam epitaxy for ferroelectric devices
    MAZET L., BACHELET R., LOUAHADJ L., BOTELLA C., FRANK M., JORDAN-SWEET J., LAUER I., NARAYANAN V., ALBERTINI D., GAUTIER B., SAINT-GIRONS G., HYTCH M., SCHAMM-CHARDON S., DUBOURDIEU C.,
    EMRS 2014 Fall meeting sept 15-18 2014 Warsaw (Poland) (2014)
  • Epitaxial growth of BaTiO3 on Si and SOI by molecular beam epitaxy for ferroelectric applications
    MAZET L., BACHELET R., LOUAHADJ L., SCHAMM-CHARDON S., HYTCH M., ALBERTINI D., GAUTIER B., SAINT-GIRONS G., DUBOURDIEU C.,
    ISAF 2014 May 12-16, 2014 Penn State University, PA, (USA) (2014)
  • Epitaxial Growth of Ferroelectric Pb(Zr,Ti)O3 Layers on GaAs
    MEUNIER B., LOUAHADJ L., LE BOURDAIS D., LARGEAU L., AGNUS G., LECOEUR P., PILLARD V., MAZET L., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., ALBERTINI D., DUBOURDIEU C., GAUTIER B., SAINT-GIRONS G.,
    Proc. European Material Research Society (E-MRS) meeting Mai 2014 Strasbourg (France) (2014)
  • Epitaxial Growth of Ferroelectric Pb(Zr,Ti)O3 Layers on GaAs
    MEUNIER B., LOUAHADJ L., LE BOURDAIS D., LARGEAU L., AGNUS G., MAZET L., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., ALBERTINI D., PILLARD V., DUBOURDIEU C., GAUTIER B., LECOEUR P., SAINT-GIRONS G.,
    MRS 2014 Spring meeting April 21-25, 2014 San Francisco, (USA) (2014)
  • Epitaxial pyroelectric thin films on silicon for thermal energy harvesting
    MOALLA R., MAZET L., LOUAHADJ L., LIU Q., PENUELAS J., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., DUBOURDIEU C., BACHELET R.,
    European Materials Research Society (E-MRS), Spring Meeting May 26-30, 2014 Lille, France (2014)
  • Epitaxial pyroelectric thin films on silicon for thermal energy harvesting
    MOLINS R., MAZET L., LOUAHADJ L., LIU Q., PENUELAS J., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., DUBOURDIEU C., BACHELET R.,
    Nanotech MEET conference 2014 April 24-26, 2014 Hammamet, (Tunisa) (2014)
  • Ferroelectric BaTiO3 thin films grown on Si(001) by molecular beam epitaxy
    MAZET L., BACHELET R., LOUAHADJ L., MOALLA R., ALBERTINI D., GAUTIER B., SAINT-GIRONS G., DUBOURDIEU C.,
    European Conference on Application of Polar Dielectrics (ECAPD) July 7-11, 2014 Vilnius, (Lithuania) (2014)
  • Ferroelectric Pb Zr,Ti)O3 thin layers on SrTiO3/GaAs
    MEUNIER B., LOUAHADJ L., LE BOURDAIS D., LARGEAU L., AGNUS G., MAZET L., BACHELET R., REGRENY P., ALBERTINI D., PILLARD V., DUBOURDIEU C., GAUTIER B., LECOEUR P., SAINT-GIRONS G., , , , , , ,
    26th IPRM conference , may 11-15 2014 Montpellier (2014)
  • Ferroelectric Pb(Zr,Ti)O-3 thin layers on SrTiO3/GaAs, 26th international conference on Indium Phosphide and related materials
    MEUNIER B., LOUAHADJ L., LE BOURDAIS D., LARGEAU L., AGNUS G., MAZET L., BACHELET R., REGRENY P., ALBERTINI D., PILLARD V., DUBOURDIEU C., GAUTIER B., LECOEUR P., SAINT-GIRONS G., , , , , , ,
    26th international conference on Indium Phosphide and related materials 11-15 Mai 2014 Montpellier (2014)
  • Local tetragonality of epitaxial BaTiO3 thin films on Si for ferroelectric applications
    SCHAMM-CHARDON S., DENNEULIN T., HYTCH M., MAZET L., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., DUBOURDIEU C.,
    18th international Microscopy congress , Sept 7-12 2014 Prag, (Czech Republic) (2014)
  • Slot waveguide electro-optic modulator based on ferroelectric oxides BaTiO3
    HU X., OROBTCHOUK R., CUEFF S., ROJO ROMEO P., REGRENY P., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., CASTERA P., SANCHEZ N., ANGELOVA T., GUTIERREZ A., SANCHIS P., , , , , , , , ,
    Group IV Photonics 27 aout 2014 Paris (France) (2014)
  • Slot waveguide electro-optic modulator with ferroelectric oxide BaTiO3 on Silicon.
    HU X., OROBTCHOUK R., CUEFF S., ROJO ROMEO P., REGRENY P., BACHELET R., LOUAHADJ L., MAZET L., MOALLA R., DUBOURDIEU C., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., CASTERA P., SANCHEZ C., ANGELOVA T., GRILLET C., GRIOL A., GIUTERREZ A., SANCHIS P., ,
    11th International Conference on Group IV Photonics , August 27-29 2014 Paris (2014)

Communications orales sans actes dans un congrès international ou national (18 publications)

  • GaAs / TiO2 core-shell nanowires for Solar Water Splitting
    GUAN X., VETTORI M., BECDELIEVRE J., BOTELLA C., GRENET G., REGRENY P., SAINT-GIRONS G., CHEVALIER C., BUGNET M., GENDRY M., MAGNAN H., PENUELAS J.,
    J2N 2017 November 13-15, 2017 Grenoble, France (2017)
  • Ultra-long self-catalyzed GaAs nanowires grown by Molecular Beam Epitaxy on Si(111)
    BECDELIEVRE J., GUAN X., CHAUVIN N., REGRENY P., GENDRY M., PATRIARCHE G., BUGNET M., SAINT-GIRONS G., PENUELAS J.,
    Nanowire Week 2017 May 29-June 2, 2017 Lund, Sweden (2017)
  • GaAs Core / SrTiO3 Shell Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy
    GUAN X., BECDELIEVRE J., MEUNIER B., BENALI A., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., BLANCHARD N., JAURAND X., SILLY M., SIROTTI F., CHAUVIN N., GENDRY M., PENUELAS J.,
    MBE 2016, 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy September 4-9, 2016 Montpellier, France (2016)
  • Capping and decapping GaAs nanowires with As for preventing oxidation and for epitaxial shell growth
    Capping and decapping GaAs nanowires with As for preventing oxidation and for epitaxial shell growth
    GUAN X., BECDELIEVRE J., BENALI A., BOTELLA C., GRENET G., REGRENY P., SAINT-GIRONS G., GENDRY M., PENUELAS J.,
    Semiconductor nanowire-based materials are building blocks for future electronic and photonic devices. Due to their nanometric diameter and the efficient elastic relaxation at the lateral surface, nanowires (NWs) can accommodate more strain, and thus minimize lattice-matching constraints, inevitable in conventional thin film growth. In order to improve the physical properties of such nanowires and to develop electronic devices, core shell structure has been intentionally constructed. However preparing core/shell nanowires with good quality is quite challenging for the necessity of the perfect control of the core/shell interface. As known, oxidation is one of the most common processes which change the properties of the surface, in turn, affect the performance of materials. In consideration of the small dimension and the extreme large specific surface area, semiconductor NWs core materials have a higher tendency to be oxidized in the air, especially when an epitaxial shell made of heterogeneous materials is pursued which is obligated to be grown with a different reactor. However, the passivation preventing NWs from the oxidation is less studied. In this work, self-catalyzed GaAs NWs were grown by molecular beam epitaxy (MBE) on silicon substrate. The morphology of NWs is uniform, about 50 nm in diameter and 1 μm in length, while the surface density is as high as 7 NW/μm2. To obtain a better understanding of the growth mechanism, the effect of different experimental parameters were investigated, including the effect of the substrate orientation (001), (111) and (110), the pre-deposition temperature of the catalyst, the gallium and arsenic flux and the temperature and time of the growth. Aiming to regrow an epitaxial shell around the as-prepared GaAs NWs in another reactor after an air exposure, chemical surface information on NWs was gathered by performing TEM and XPS measurements. A typical GaAs NW has quite smooth lateral facets with a thin amorphous layer outside which is composed of gallium and arsenic oxides, attributed to the oxidation in air. Such oxidation might affect the subsequent fabrication of the core-shell structure by introducing structural defects at the interface. Thus we propose a reversible arsenic-capping method without introducing any other impurities at the interface in order to exclude such difficulties. By using this method, the growth of shell materials is still under studied and will be reported later. ×
    [abstract]
    GUAN X., BECDELIEVRE J., BENALI A., BOTELLA C., GRENET G., REGRENY P., SAINT-GIRONS G., GENDRY M., PENUELAS J.,
    8èmes Entretiens pour la recherche GEC-Beihang May 21, 2015 Marseille, France (2015)
  • Chemical solution deposition to epitaxial functional complex oxide nanostructures and thin films.
    CARRETERO-GENEVRIER A., GICH M., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., VILA-FUNGUEIRIñO J., RIBAS-MURIAS B., GAZQUEZ J., RODRIGUEZ-CARVAJAL J., SANCHEZ C., MESTRES N.,
    MRS 2015 6-9 April 2015 San Francisco, USA (2015)
  • Epitaxial Growth of Ferroelectric Pb(Zr,Ti)O3 thin Layers on SrTiO3-templated GaAs/InGaAs quantum well structure for opto-mechanical application
    MEUNIER B., LOUAHADJ L., LE BOURDAIS D., LARGEAU L., CHAUVIN N., AGNUS G., LECOEUR P., PILLARD V., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., SAINT-GIRONS G., , , , , , , ,
    ISOE 2015 summer school 12-24 octobre 2015 Cargese, (France) (2015)
  • Monolitic integration of functional oxides on silicon by chemical solution deposition
    Monolitic integration of functional oxides on silicon by chemical solution deposition
    CARRETERO-GENEVRIER A., GICH M., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., VILA-FUNGUEIRIñO J., RIBAS-MURIAS B., GAZQUEZ J., FERAIN E., PUIG T., RIVADULLA F., RODRIGUEZ-CARVAJAL J., MESTRES N.,
    In the past years, great efforts have been devoted to combine the functionality of oxides with the performances of semiconductor platforms for the development of novel and more efficient device applications. However, further incorporation of functional oxide nanostructures as active materials in electronics critically depends on the ability to integrate crystalline metal oxides into silicon structures [1]. In this regard, the presented work takes advantage of all the benefits of soft chemistry to overcome the main challenges for the monolithic integration of novel nanostructured functional oxide materials on silicon including (i) epitaxial piezoelectric α-quartz thin films with tunable textures on silicon wafers [2] and (ii) ferromagnetic La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO) thin films epitaxially grown on (100)-silicon at low temperature. Importantly, piezoelectric quartz growth mechanism is governed by a thermally activated devitrification of the native amorphous silica surface layer assisted by a heterogeneous catalysis under atmospheric conditions driven by alkaline earth cations present in the precursor solution. Quartz films are made of perfectly oriented individual crystallites epitaxially grown on (100) face of Si substrate with a controlled porosity after using templating agents [3]. Moreover, a quantitative study of the converse piezoelectric effect of quartz thin films through piezoresponse force microscopy shows that the piezoelectric coefficient d33 is between 1.5 and 3.5 pm/V which is in agreement with the 2.3 pm/V of the quartz single crystal d11. Epitaxial LSMO thin films synthesis, involves the use of polymer assisted deposition (PAD) process [4] combined with the controlled epitaxial growth of SrTiO3 buffer layer grown by molecular beam epitaxy (MBE) at the silicon surface, which allowed LSMO thin films to stabilize and crystallize at low temperature. All together, the methodology presented here exhibits a great potential and offers a pathway to design novel oxide compounds on silicon substrates by chemical routes with unique optical, electric, or magnetic properties. [1] A. Carretero-Genevrier et al. Nanoscale, 20, 892-897. (2014). [2] A. Carretero-Genevrier et al. Science, 20, 892-897. (2013). [3] G.L. Drisko et al. Adv.Funct.Mater. 24, 5494–5502 (2014) [4] Q. X. Jia, et al. Nature Materials 3, 529 (2004) ×
    [abstract]
    CARRETERO-GENEVRIER A., GICH M., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., VILA-FUNGUEIRIñO J., RIBAS-MURIAS B., GAZQUEZ J., FERAIN E., PUIG T., RIVADULLA F., RODRIGUEZ-CARVAJAL J., MESTRES N.,
    MRS 2015 6-9 April 2015 San Francisco (USA) (2015)
  • SrTiO3/GaAs epitaxial templates: role of Ti at the interface, and application to the fabrication of novel opto-mechanical devices
    MEUNIER B., BACHELET R., GRENET G., BOTELLA C., REGRENY P., LARGEAU L., PENUELAS J., SAINT-GIRONS G.,
    JSI 2015 28-30 janvier 2015 Toulouse, (France) (2015)
  • BaTiO3 grown on Si (001) by Molecular Beam Epitaxy for low power field-effect devices
    MAZET L., BACHELET R., LOUAHADJ L., ALBERTINI D., GAUTIER B., SAINT-GIRONS G., DUBOURDIEU C.,
    28èmes Journées Surfaces et Interfaces 29-31 Janvier 2014 Ecully, (France) (2014)
  • BaTiO3 grown on Si and SOI by molecular beam epitaxy for nanoelectronics
    MAZET L., BACHELET R., LOUAHADJ L., ALBERTINI D., GAUTIER B., SAINT-GIRONS G., DUBOURDIEU C.,
    13èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux 24-26 Mars 2014 Nantes, France (2014)
  • Electro-optic modulation using hybrid silicon-ferroelectric oxide slot waveguide
    CUEFF S., HU X., OROBTCHOUK R., ROJO ROMEO P., BACHELET R., VILQUIN B., DUBOURDIEU C., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., SAINT-GIRONS G., CASTERA P., SANCHEZ C., ANGELOVA T., BELLIERES L., GRIOL A., GUTIERREZ A., SANCHIS P., , ,
    Workshop “Les oxydes pour l’optique et la photonique” 8-9 décembre 2014 Meudon, (France) (2014)
  • Epitaxial growth by molecular beam epitaxy of ferroelectric BaTiO3 on silicon
    MAZET L., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., YANG M., KALININ S., HYTCH M., SCHAMM-CHARDON S., DUBOURDIEU C.,
    Workshop “Les oxydes pour l’optique et la photonique” 8-9 décembre 2014 Meudon, (France). (2014)
  • Epitaxial growth of BaTiO3 on Si and SOI by molecular beam epitaxy for ferroelectric applications
    MAZET L., BACHELET R., LOUAHADJ L., SCHAMM-CHARDON S., HYTCH M., ALBERTINI D., GAUTIER B., SAINT-GIRONS G., DUBOURDIEU C.,
    ISAF 2014 May 12-16, 2014 Penn State University in State College, PA, USA (2014)
  • Epitaxial Growth of Ferroelectric Pb(Zr,Ti)O3 thin Layers on SrTiO3-templated GaAs/InGaAs quantum well structure for opto-mechanical application
    MEUNIER B., LOUAHADJ L., LE BOURDAIS D., LARGEAU L., CHAUVIN N., AGNUS G., LECOEUR P., PILLARD V., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., SAINT-GIRONS G., , , , , , , ,
    Workshop “Les oxydes pour l’optique et la photonique” 8-9 décembre 2014 , Meudon, (France) (2014)
  • Ferroelectric BaTiO3 thin films grown on Si(001) by molecular beam epitaxy
    MAZET L., BACHELET R., LOUAHADJ L., MOALLA R., ALBERTINI D., GAUTIER B., SAINT-GIRONS G., DUBOURDIEU C.,
    European Conference on Application of Polar Dielectrics (ECAPD) July 7-11, 2014 Vilnius, Lithuania (2014)
  • Resistive switching of HfO2-based metal-insulator-metal devices
    MINVIELLE M., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., GHIBAUDO G., ALIBART F., DUBOURDIEU C.,
    CRIEC 2014 june 1-5 2014 Ecole Centrale de Lyon, Ecully (France) (2014)
  • Systèmes épitaxiés combinant oxydes et semiconducteurs
    SAINT-GIRONS G., PENUELAS J., DANESCU A., GOBAUT B., CHETTAOUI A., GRENET G., GOBAUT B., RENAUD G., FAVRE-NICOLIN V., BLANC N., ZHOU T., EL-KAZZI M., SILLY M., SIROTTI F.,
    Atelier nucléation du GDR PULSE 7-8 avril 2014 CRHEA, Valbonne, (France) (2014)
  • Ti-based interface engineering for heteroepitaxial growth of SrTiO3 on GaAs
    MEUNIER B., LOUAHADJ L., GRENET G., BOTELLA C., REGRENY P., BACHELET R., PENUELAS J., RENAUD G., SAINT-GIRONS G.,
    28èmes Journées Surfaces et Interfaces 29-31 Janvier 2014 Ecully France (2014)

Communications par affiche dans un congrès international ou national (7 publications)

Ouvrages scientifiques (ou chapitres de ces ouvrages) (1 publication)

  • Development of Epitaxial Oxide Ceramics Nanomaterials Based on Chemical Strategies on Semiconductor Platforms
    Development of Epitaxial Oxide Ceramics Nanomaterials Based on Chemical Strategies on Semiconductor Platforms
    CARRETERO-GENEVRIER A., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., MOALLA R., VILA-FUNGUEIRIñO J., RIVAS-MURIAS B., RIVADULLA F., RODRIGUEZ-CARVAJAL J., GOMES A., GAZQUEZ J., GICH M., MESTRES N.,
    The technological impact of combining substrate technologies with the properties of functional advanced oxide ceramics is colossal given its relevant role in the development of novel and more efficient devices. However the precise control of interfaces and crystallization mechanisms of dissimilar materials at the nanoscale needs to be further developed. As an example, the integration of hybrid structures of high quality epitaxial oxide films and nanostructures on silicon as remains extremely challenging because these materials present major chemical, structural and thermal differences. This book chapter describes the main promising strategies that are being used to accommodate advanced oxide nanostructured ceramics on different technological substrates via chemical solution deposition approaches. We will focus on novel examples separated in two main sections: (i) epitaxial ceramic nanomaterials entirely performed by soft chemistry, such as nanostructured piezoelectric quartz thin films on silicon or 1D complex oxide nanostructures epitaxially grown on silicon, and (ii) ceramic materials prepared by combining soft chemistry and physical techniques, such as epitaxial perovskite oxide thin films on silicon using the combination of soft chemistry and Molecular Beam Epitaxy (MBE). Consequently, this chapter will cover cutting-edge strategies based on the potential of combining epitaxial growth and chemical solution deposition to develop oxide ceramics nanomaterials with novel structures and improved physical properties. ×
    [abstract]
    CARRETERO-GENEVRIER A., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., MOALLA R., VILA-FUNGUEIRIñO J., RIVAS-MURIAS B., RIVADULLA F., RODRIGUEZ-CARVAJAL J., GOMES A., GAZQUEZ J., GICH M., MESTRES N.,
    Advanced Ceramic Materials Wiley Ashutosh Tiwari (Editor), Rosario A. Gerhardt (Editor), Magdalena Szutkowska (Editor) (2016)