Informations personnelles
Michel GENDRY

Directeur de recherche C.N.R.S

Localisation INL
Site Ecole Centrale de Lyon
Batiment F7
36, Avenue Guy de Collongue
69134 Ecully
France
Téléphone (33).04 72 18 60 50
Courriel michel.gendry@ec-lyon.fr
   
Activités de recherche    Publications
Activités de recherche

Département : Matériaux

Equipe de recherche : Hétéroépitaxie et Nanostructures

Domaine d'activités :

C.V.

Publications des 5 dernières années
LECLERCQ Jean-Louis
Chercheur

Localisation Site INSA,ECL,UCB,CPE
Téléphone (33).04 72 18 65 63
Courriel jean-louis.leclercq@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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McADAMS Eric
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 86
Courriel eric.mcadams@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
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MARCHAND Cédric
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 38
Courriel cedric.marchand@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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BRIK Adil
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel adil.brik@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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HAN Dong
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel dong.han@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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TAITT Rachael
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel rachael.taitt@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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DEMONGODIN Pierre
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel pierre.demongodin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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DELLA TORRE Alberto
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel alberto.della-torre@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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RODICHKINA Sofia
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel sofia.rodichkina@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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MAHATO Prabir
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel prabir.mahato@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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GRENET Geneviève
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 58
Courriel genevieve.grenet@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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GOURE Jean-Baptiste
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 85
Courriel jean-baptiste.goure@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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GENDRY Michel
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 50
Courriel michel.gendry@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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GAFFIOT Frédéric
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 47
Courriel frederic.gaffiot@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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DEVIF Brice
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 38
Courriel brice.devif@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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CARREL Laurent
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 61 41
Courriel laurent.carrel@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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CREMILLIEU Pierre
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 41
Courriel pierre.cremillieu@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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BOTELLA Claude
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 67 20
Courriel claude.botella@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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CALLARD Ségolène
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 58
Courriel segolene.callard@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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DEGOUTTES Jérôme
IATOS ITA

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 62 82
Courriel jerome.degouttes@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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TAUTE Arnaud
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel arnaud.taute@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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DUPUIS Etienne
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 59
Courriel etienne.dupuis@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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MOULIN Nelly
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel nelly.moulin@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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LETARTRE Xavier
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 81
Courriel xavier.letartre@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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MARTIN Thérèse
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 51
Courriel therese.martin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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PHANER-GOUTORBE Magali
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 32
Courriel magali.phaner@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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REGRENY Philippe
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 48
Courriel philippe.regreny@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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ROBACH Yves
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 44
Courriel yves.robach@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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ROJO ROMEO Pedro
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 65 41
Courriel pedro.rojo-romeo@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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SEASSAL Christian
Chercheur

Localisation Site INSA,ECL,UCB,CPE
Téléphone (33).04 72 18 60 64
(33).04 72 43 71 87
Courriel christian.seassal@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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VIKTOROVITCH Pierre
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 66
Courriel pierre.viktorovitch@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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O CONNOR Ian
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 54
Courriel ian.oconnor@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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CLOAREC Jean-Pierre
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 52
Courriel jean-pierre.cloarec@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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NAVARRO David
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 63 98
Courriel david.navarro@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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VILQUIN Bertrand
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 54
Courriel bertrand.vilquin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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DROUARD Emmanuel
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 45
Courriel emmanuel.drouard@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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MAZURCZYK Radoslaw
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 65 48
Courriel radoslaw.mazurczyk@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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LAURENCEAU Emmanuelle
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 40
Courriel emmanuelle.laurenceau@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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CHEVOLOT Yann
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 40
Courriel yann.chevolot@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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GAETANI Robin
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel robin.gaetani@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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MORENO VILLAVICENCIO Maiglid Andreina
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel maiglid.moreno-villavicencio@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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SAINT-GIRONS Guillaume
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 65 97
Courriel guillaume.saint-girons@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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NABETH Isabel
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 46
Courriel isabel.nabeth@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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CHATEAUX Jean-François
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 14 37
Courriel jean-francois.chateaux@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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DEMAN Anne-Laure
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 14 37
Courriel anne-laure.deman@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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FERRIGNO Rosaria
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 19 23
Courriel rosaria.ferrigno@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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KLEIMANN Pascal
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 62 59
Courriel pascal.kleimann@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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LU Guo-Neng
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 27 39
Courriel guo-neng.lu@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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MARTY Olivier
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 19 12
Courriel olivier.marty@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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MORIN Pierre
Autres

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 10 24
Courriel pierre.morin@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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PITTET Patrick
IATOS ITA

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 10 24
Courriel patrick.pittet@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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QUIQUEREZ Laurent
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 81 74
Courriel laurent.quiquerez@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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RENAUD Louis
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 62 59
Courriel louis.renaud@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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ABOUCHI Nacer
Enseignant chercheur

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 15 24
Courriel abouchi@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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ALBERTINI David
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 67
Courriel david.albertini@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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BRUHAT Elise
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04.xx.xx.xx.xx
Courriel elise.bruhat@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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BERRY Florian
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel florian.berry@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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APOSTOLUK Aleksandra
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 71 86
Courriel aleksandra.apostoluk@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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FOLTZER Emmanuelle
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 22
Courriel emmanuelle.foltzer@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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BABOUX Nicolas
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 67
Courriel nicolas.baboux@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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BARBIER Daniel
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 85 47
Courriel daniel.barbier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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BENYATTOU Taha
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 71 49
Courriel taha.benyattou@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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BLUET Jean-Marie
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 32
Courriel jean-marie.bluet@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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BREMOND Georges
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 80 66
Courriel georges.bremond@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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BRU-CHEVALLIER Catherine
Chercheur

Localisation Site INSA,ECL,UCB,CPE
Téléphone (33).04 72 43 89 06
(33).04 72 18 60 67
Courriel catherine.bru-chevallier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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CALMON Francis
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 61 59
Courriel francis.calmon@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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BOUSSETTA Lotfi
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 46
Courriel lotfi.boussetta@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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MOALLA Rahma
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18
Courriel rahma.moalla@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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TAURELLE Marjorie
IATOS ITA

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 14 33
Courriel marjorie.taurelle@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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ZROUNBA Clément
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 59
Courriel clement.zrounba@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
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FREYERMUTH Hugo
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel hugo.freyermuth@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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TAFRAOUTI Asmae
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel asmae.tafraouti@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
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DESCAMPS Lucie
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel lucie.descamps@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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EL JALLAL Said
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel said.el-jallal@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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MONTALIBET Amalric
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 88
Courriel amalric.montalibet@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
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VIDAL DE NEGREIROS DA SILVA Thais-Luna
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel thais-luana.vidal-de-negreiros-da-silva@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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BOSIO Alberto
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 47
Courriel alberto.bosio@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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DE PINHO FERREIRA Nicolas
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel nicolas.de-pinho-ferreira@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
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BELAROUCI Ali
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 60
Courriel ali.belarouci@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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FAVE Alain
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 84 64
Courriel alain.fave@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
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FOURMOND Erwann
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 33
Courriel erwann.fourmond@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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GALVAN Jean-Marc
Enseignant chercheur

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 84 93
Courriel galvan@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
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GAUTIER Brice
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 70 03
Courriel brice.gautier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
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GEHIN Claudine
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 88
Courriel claudine.gehin@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
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GIRARD Philippe
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 61 36
Courriel philippe.girard@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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GONTRAND Christian
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 80 67
Courriel christian.gontrand@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
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GREGOIRE Joëlle
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 66
Courriel joelle.gregoire@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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GUILLOT Gérard
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 81 61
Courriel gerard.guillot@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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JAMOIS Cecile
Chercheur

Localisation Site INSA,ECL
Téléphone (33).04 72 43 71 53
(33).04 72 18 62 49
Courriel cecile.jamois@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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JOLY François
IATOS ITA

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 13 36
Courriel joly@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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LE BERRE Martine
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 88 62
Courriel martine.leberre@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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ANDRE Bénédicte
IATOS ITA

Localisation Site INSA,ECL,UCB,CPE
Téléphone (33).04 72 18 60 82
(33).04 72 43 71 89
Courriel benedicte.andre@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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LEMITI Mustapha
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 31
Courriel mustapha.lemiti@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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LYSENKO Vladimir
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 70 02
Courriel vladimir.lysenko@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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MALHAIRE Christophe
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 61 34
Courriel christophe.malhaire@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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MILITARU Liviu
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 33
Courriel liviu.militaru@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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NYCHYPORUK Tetyana
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 85 40
Courriel tetyana.nychyporuk@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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OROBTCHOUK Régis
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 07
Courriel regis.orobtchouk@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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PLOSSU Carole
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 33
Courriel carole.plossu@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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PRUDON Gilles
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 63 47
Courriel gilles.prudon@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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NOURY Norbert
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 74 54
Courriel norbert.noury@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
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REMAKI Boudjemaa
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 83 27
Courriel boudjemaa.remaki@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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ROBIN Olivier
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 71 14
Courriel olivier.robin@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
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BENAMROUCHE Aziz
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 38
Courriel aziz.benamrouche@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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CANUT Bruno
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 34
Courriel bruno.canut@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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GUENERY Pierre-Vincent
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 64 43
Courriel pierre-vincent.guenery@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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SOUIFI Abdelkader
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 62
Courriel abdelkader.souifi@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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VERDIER Jacques
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 35
Courriel jacques.verdier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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PUYOO Etienne
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 73 97
Courriel etienne.puyoo@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
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CELLIER Rémy
Enseignant chercheur

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 44 84 59
Courriel remy.cellier@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
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LAYOUNI Yasmina
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 26 29
Courriel yasmina.layouni@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
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DUMONT Hervé
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 47
Courriel herve.dumont@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
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SUSLEC Annie
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 88 59
Courriel annie.suslec@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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BLANC-PELISSIER Danièle
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 72 86
Courriel daniele.blanc@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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LOPEZ Raphaël
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 34
Courriel raphael.lopez@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche
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LAGARDE Virginie
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 83 29
Courriel virginie.lagarde@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
Plus de détails  
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DUFAUT Patricia
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 57
Courriel patricia.dufaut@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
Plus de détails  
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GRILLET Christian
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 53
Courriel christian.grillet@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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MICHIT Nicolas
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel nicolas.michit@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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PEYRONNET-DREMIERE Rafaël
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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FORNACCIARI Benjamin
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 55
Courriel benjamin.fornacciari@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
Plus de détails  
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MONNIER Virginie
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 39
Courriel virginie.monnier@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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MAZAURIC Serge
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL,CPE
Téléphone (33).
Courriel serge.mazauric@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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HOANG Ngoc-Vu
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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BOURRET Aurélie
IATOS ITA

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 13 35
Courriel secretariat.sn@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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URBAIN Mathias
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel mathias.urbain@univ-smb.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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ZHANG Yu
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel yu.zhang@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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GEHIN Thomas
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 42
Courriel thomas.gehin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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PENUELAS José
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 59
Courriel jose.penuelas@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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JAFFAL Ali
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel ali.jaffal@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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GAIGNEBET Nicolas
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel nicolas.gaignebet@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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DELERUYELLE Damien
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 62
Courriel damien.deleruyelle@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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CHEVALIER Céline
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 55
Courriel celine.chevalier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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MASENELLI Bruno
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 74 72
Courriel bruno.masenelli@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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LE BEUX Sébastien
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 47
Courriel sebastien.le-beux@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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LABRAK Lioua
Enseignant chercheur

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 18 29
Courriel lioua.labrak@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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BACHELET Romain
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 65
Courriel romain.bachelet@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
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CANTAN Mayeul
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel mayeul.cantan@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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MONAT Christelle
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 49
Courriel christelle.monat@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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LHUILLIER Jérémy
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel jeremy.lhuillier@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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RIGAULT Samuel
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel samuel.rigault@st.com
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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CANERO-INFANTE Ingrid
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04.72.43.70.03
Courriel ingrid.canero-infante@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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DOYEUX Yvan
IATOS ITA

Localisation Site INSA,UCB
Téléphone (33).04 72 43 70 27
Courriel yvan.doyeux@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche
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FAIVRE Magalie
Chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 19 12
Courriel magalie.faivre@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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PERODOU Arthur
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel arthur.perodou@doctorant.ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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AUDRY-DESCHAMPS Marie-Charlotte
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 10 24
Courriel marie-charlotte.deschamps@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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YEROMONAHOS Christelle
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 35
Courriel christelle.yeromonahos@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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BOUAZIZ Jordan
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel jordan.bouaziz@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
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MANDORLO Fabien
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 74 77
Courriel fabien.mandorlo@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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HO Emmeline
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel emmeline.ho@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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BENHAMMOU Younès
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel younes.benhammou@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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VETTORI Marco
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel marco.vettori@doctorant.ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
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WOOD Thomas
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel thomas.wood@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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TERRIER Nicolas
IATOS ITA

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 62 82
Courriel nicolas.terrier@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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CHAUVIN Nicolas
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 74 65
Courriel nicolas.chauvin@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
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CUEFF Sébastien
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 79
Courriel sebastien.cueff@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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NGUYEN Hai Son
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 87
Courriel hai-son.nguyen@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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DANESCU Alexandre
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 58
Courriel alexandre.danescu@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
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BERGUIGA Lotfi
IATOS ITA

Localisation Site INSA,ECL
Téléphone (33).04.72.43.75.34
Courriel lotfi.berguiga@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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JOBERT Gabriel
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel gabriel.jobert@cea.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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DEL BOSQUE Lucien
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel lucien.del-bosque@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
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MEKKAOUI Samir
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel samir.mekkaoui@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
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CALVO Michele
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel michele.calvo@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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CHAVES DE ALBUQUERQUE Tulio
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 64 43
Courriel tulio.chaves-de-albuquerque@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
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YANG Zihua
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel zihua.yang@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
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MASSOT Bertrand
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 71 15
Courriel bertrand.massot@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
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GONCALVES Sylvie
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 43
Courriel sylvie.goncalves@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
Plus de détails  
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KEMPF Eva
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel eva.kempf@st.com
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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CHEN Xiushna
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB,Autres
Téléphone (33).
Courriel xchen@ipnl.in2p3.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
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DALLEAU Thomas
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB,Autres
Téléphone (33).
Courriel thomas.dalleau@st.com
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
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SINOBAD Milan
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel milan.sinobad@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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GUIRAL Pierrick
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB,Autres
Téléphone (33).
Courriel pierrick.guiral@dosilab.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
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FERRIER Lydie
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 80 66
Courriel lydie.ferrier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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BRICHE Rémi
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel remi.briche@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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DANG Ha My
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 76 18 60 77
Courriel ha-my-nguyen.dang@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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VINCENT Daniel
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 36
Courriel daniel.vincent@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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AMARA Mohamed
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 76 10
Courriel mohamed.amara@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
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EL WHIBI Seif
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel seif.el-whibi@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
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BENCHEMOUL Maxime
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel maxime.benchemoul@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
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BROTTET Solène
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 67
Courriel solene.brottet@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
Plus de détails  
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SARELLI Eirini
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).04 72 18 60 77
Courriel eirini.sarelli@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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LECOT Solène
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 36
Courriel solene.lecot@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
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KEMICHE Malik
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel malik.kemiche@doctorant.ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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PLANTIER Simon
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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BAI Xiaofei
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel xiaofei.bai@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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TONI Arnaud
Chercheur non permanent

Localisation Site CPE,Autres
Téléphone (33).
Courriel arnaud@enduratechnologies.com
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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BOURAS Mohamed
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel mohamed-elhachmi.bouras@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
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EL DIRANI Houssein
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel houssein.el-dirani@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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JOHN Jimmy
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel jimmy.john@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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ARMAND Rémi
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel remi.armand@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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STRUSS Quentin
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel quentin.struss@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
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LI Xiao
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel xiao.li@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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SYNHAIVSKYI Oleksandr
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel oleksandr.synhaivskyi@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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GONZALEZ CASAL Sergio
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel sergio.gonzalez-casal@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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DURSAP Thomas
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel thomas.dursap@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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MERMET LYAUDOZ Raphaël
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 55
Courriel raphael.mermet-lyaudoz@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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ESTEVES Josué
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 14 33
Courriel josue.esteves@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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PLOURDE Maxime
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel maxime.plourde@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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ISSARTEL Dylan
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel dylan.issartel@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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NDONG ABESSOLO Jordan Antoine
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel jordan-antoine.ndong-abessolo@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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GIGLIA Valentin
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel Valentin.GIGLIA@cea.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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SOSNA-GLEBSKA Aleksandra
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel aleksandra.sosna-gelbska@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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NASSIET Thomas
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel thomas.nassiet1@st.com
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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VINCENT Mathieu
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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BOUSSADI Younes
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel Younes.BOUSSADI@cea.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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POITTEVIN Arnaud
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel arnaud.poittevin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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Articles dans des revues internationales ou nationales avec comité de lecture répertoriées par l’AERES ou dans les bases de données internationales (23 publications)

  • Epitaxial lift-off of InGaAs solar cells from InP substrate using a strained AlAs/InAlAs superlattice as a novel sacrificial layer
    CHANCEREL F., REGRENY P., LECLERCQ J.L., BROTTET S., BLANCHARD N., JAOUAD A., DARNON M., FAFARD S., GENDRY M., AIMEZ V.,
    Solar Energy Materials and Solar Cells, 195-204-212 (2019)
  • Growth optimization and characterization of regular arrays of GaAs/AlGaAs core/shell nanowires for tandem solar cells on silicon
    VETTORI M., PIAZZA V., CATTONI A., SCACCABAROZZI A., PATRIARCHE G., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., PENUELAS J., FAVE A., TCHERNYCHEVA M., GENDRY M.,
    Nanotechnology, 30-084005 (2019)
  • Determination of the spin orbit coupling and crystal field splitting in wurtzite InP by polarization resolved photoluminescence
    CHAUVIN N., MAVEL A., JAFFAL A., PATRIARCHE G., GENDRY M.,
    Applied Physics Letters, 112-071903 (2018)
  • Nanoscale investigation of a radial p–n junction in self-catalyzed GaAs nanowires grown on Si (111)
    Nanoscale investigation of a radial p–n junction in self-catalyzed GaAs nanowires grown on Si (111)
    PIAZZA V., VETTORI M., AHMED A., LAVENUS P., BAYLE F., CHAUVIN N., JULIEN F.H., REGRENY P., PATRIARCHE G., FAVE A., GENDRY M., TCHERNYCHEVA M.,
    One obstacle for the development of nanowire (NW) solar cells is the challenge to assess and control their nanoscale electrical properties. In this work a top-cell made of p–n GaAs core/shell NWs grown on a Si(111) substrate by Molecular Beam Epitaxy (MBE) is investigated by high resolution charge collection microscopy. Electron Beam Induced Current (EBIC) analyses of single NWs have validated the formation of a homogeneous radial p–n junction over the entire length of the NWs. The radial geometry leads to an increase of the junction area by 38 times with respect to the NW footprint. The interface between the NWs and the Si(111) substrate does not show any electrical loss, which would have led to a decrease of the EBIC signal. Single NW I–V characteristics present a diodic behavior. A model of the radial junction single NW is proposed and the electrical parameters are estimated by numerical fitting of the I–Vs and of the EBIC map. Solar cells based on NW arrays were fabricated and analyzed by EBIC microscopy, which evidenced the presence of a Schottky barrier at the NW/ITO top contact. Improvement of the top contact quality is achieved by thermal annealing at 400 °C, which strongly reduces the parasitic Schottky barrier. ×
    [abstract]
    PIAZZA V., VETTORI M., AHMED A., LAVENUS P., BAYLE F., CHAUVIN N., JULIEN F.H., REGRENY P., PATRIARCHE G., FAVE A., GENDRY M., TCHERNYCHEVA M.,
    Nanoscale, 10-20207-20217 (2018)
  • Control of the compensating defects in Al-doped and Ga-doped ZnO nanocrystals for MIR plasmonics
    Control of the compensating defects in Al-doped and Ga-doped ZnO nanocrystals for MIR plasmonics
    HAMZA M., BOISRON O., CANUT B., MELINON P., PENUELAS J., GENDRY M., MASENELLI B.,
    In degenerate semiconductor nanoparticles, the tuning range of the plasmon resonance is directly controlled by the electron gas concentration and thus by the dopant activation. Here, we investigate the improvement of the dopant activation in ZnO-based nanocrystals for mid IR plasmonics. For that purpose, we have synthesized Al-doped and Ga-doped ZnO nanocrystals in O-rich and O-poor environments. We show that the free carrier concentration can be doubled for the samples grown in O-poor environment. Accordingly, the plasmon resonance shifts from 5 µm to 3.1 µm. In analogy with previous results from Ga-doped ZnO thin films, we discuss the effect of the possible reduction of the concentration of acceptor-like complexes such as AlZn – VZn and AlZn – Oi (resp. GaZn – VZn and GaZn – Oi) on the activation improvement. Besides, whether long or rapid, thermal annealing does not improve the compensation ratio. Consequently, the control of O content during synthesis remains to most valuable tool to achieve the highest dopant activation in doped ZnO nanocrystals. ×
    [abstract]
    HAMZA M., BOISRON O., CANUT B., MELINON P., PENUELAS J., GENDRY M., MASENELLI B.,
    RCS Advances, 7-28677 (2017)
  • Nanospectroscopy of single quantum dots with local strain control using a phase-change mask
    SAIKI T., SHINTANI T., KUWAHARA M., REGRENY P., GENDRY M.,
    Japanese Journal of Applied Physics, 56-08LA02 (2017)
  • Study of the nucleation and growth of InP nanowires on silicon with gold-indium catalyst
    MAVEL A., CHAUVIN N., REGRENY P., PATRIARCHE G., MASENELLI B., GENDRY M.,
    Journal of Crystal Growth, 458-96-102 (2017)
  • Twins and strain relaxation in zinc-blende GaAs nanowires grown on silicon
    Twins and strain relaxation in zinc-blende GaAs nanowires grown on silicon
    PINERO J., ARAUJO D., PASTORE C., GUTTIEREZ M., FRIGERI C., BENALI A., LELIEVRE J.F., GENDRY M.,
    To integrate materials with large lattice mismatch as GaAs on silicon (Si) substrate, one possible approach,to improve the GaAs crystalline quality, is to use nanowires (NWs) technology. In the present contribution,NWs are grown on 111 oriented Si substrates by molecular beam epitaxy (MBE) using vapor-liquid-solid (VLS) method. Transmission electron microscopy (TEM) analyses show that NWs are mainly grownalternating wurtzite and zinc blend (ZB) phases, and only few are purely ZB. On the latter, High ResolutionElectron Microscopy (HREM) evidences the presence of twins near the surface of the NW showing limitedconcordance with the calculations of Yuan (2013) [1], where {111} twin planes in a 111-oriented GaAsNW attain attractive interactions mediated by surface strain. In addition, such twins allow slight strainrelaxation and are probably induced by the local huge elastic strain observed by HREM in the latticebetween the twin and the surface. The latter is attributed to some slight bending of the NW as shown bythe inversion of the strain from one side to the other side of the NW. ×
    [abstract]
    PINERO J., ARAUJO D., PASTORE C., GUTTIEREZ M., FRIGERI C., BENALI A., LELIEVRE J.F., GENDRY M.,
    Applied Surface Science, 395-195-199 (2017)
  • GaAs Core/SrTiO3 Shell Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy
    GaAs Core/SrTiO3 Shell Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy
    GUAN X., BECDELIEVRE J., MEUNIER B., BENALI A., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., BLANCHARD N., JAURAND X., SILLY M., SIROTTI F., CHAUVIN N., GENDRY M., PENUELAS J.,
    We have studied the growth of a SrTiO3 shell on self-catalyzed GaAs nanowires grown by vapor-liquid-solid assisted molecular beam epitaxy on Si(111) substrates. To control the growth of the SrTiO3 shell, the GaAs nanowires were protected using an arsenic capping/decapping procedure in order to prevent uncontrolled oxidation and/or contamination of the nanowire facets. Reflection high energy electron diffraction, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy were performed to determine the structural, chemical and morphological properties of the heterostructured nanowires. Using adapted oxide growth conditions, it is shown that most of the perovskite structure SrTiO3 shell appears to be oriented with respect to the GaAs lattice. These results are promising for achieving one-dimensional epitaxial semiconductor core / functional oxide shell nanostructures. ×
    [abstract]
    GUAN X., BECDELIEVRE J., MEUNIER B., BENALI A., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., BLANCHARD N., JAURAND X., SILLY M., SIROTTI F., CHAUVIN N., GENDRY M., PENUELAS J.,
    Nano Letters, 16-2393 (2016)
  • GaAs nanowires with oxidation-proof arsenic capping for the growth of an epitaxial shell
    GaAs nanowires with oxidation-proof arsenic capping for the growth of an epitaxial shell
    GUAN X., BECDELIEVRE J., BENALI A., BOTELLA C., GRENET G., REGRENY P., CHAUVIN N., BLANCHARD N., JAURAND X., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., GENDRY M., PENUELAS J.,
    We propose an arsenic-capping/decapping method, allowing the growth of an epitaxial shell around the GaAs nanowire (NW) core which is exposed to an ambient atmosphere, and without the introduction of impurities. Self-catalyzed GaAs NW arrays were firstly grown on Si(111) substrates by solid-source molecular beam epitaxy. Aiming for protecting the active surface of the GaAs NW core, the arsenic-capping/decapping method has been applied. To validate the effect of this method, different core/shell NWs have been fabricated. Analyses highlight the benefit of the As capping-decapping method for further epitaxial shell growth: an epitaxial shell with a smooth surface is achieved in the case of As-capped–decapped GaAs NWs, comparable to the in situ grown GaAs/AlGaAs NWs. This As capping method opens a way for the epitaxial growth of heterogeneous material shells such as functional oxides using different reactors. ×
    [abstract]
    GUAN X., BECDELIEVRE J., BENALI A., BOTELLA C., GRENET G., REGRENY P., CHAUVIN N., BLANCHARD N., JAURAND X., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., GENDRY M., PENUELAS J.,
    Nanoscale, 8-15637 (2016)
  • Pressure-Dependent Photoluminescence Study of Wurtzite InP Nanowires
    CHAUVIN N., MAVEL A., PATRIARCHE G., MASENELLI B., GENDRY M., MACHON D.,
    Nano Letters, 16-2926-2930 (2016)
  • Thermal transfer and interaction mechanisms of localized excitons in families of InAs quantum dashes grown on InP(001) vicinal substrate emitting near 1.55 µm wavelength
    BESAHRAOUI F., BOUSLAMA M., BOUZAIENE L., SAIDI F., MAAREF H., GENDRY M.,
    International Journal of Modern Physics B , 21-1650145 (2016)
  • Integration of functional complex oxide nanomaterials on silicon
    Integration of functional complex oxide nanomaterials on silicon
    VILA-FUNGUEIRIñO J., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., GENDRY M., GICH M., GAZQUEZ J., FERAIN E., RIVADULLA F., RODRIGUEZ-CARVAJAL J., MESTRES N., CARRETERO-GENEVRIER A.,
    The combination of standard wafer-scale semiconductor processing with the properties of functional oxides opens up to innovative and more efficient devices with high value applications that can be produced at large scale. This review uncovers the main strategies that are successfully used to monolithically integrate functional complex oxide thin films and nanostructures on silicon: the chemical solution deposition approach (CSD) and the advanced physical vapor deposition techniques such as oxide molecular beam epitaxy (MBE). Special emphasis will be placed on complex oxide nanostructures epitaxially grown on silicon using the combination of CSD and MBE. Several examples will be exposed, with a particular stress on the control of interfaces and crystallization mechanisms on epitaxial perovskite oxide thin films, nanostructured quartz thin films, and octahedral molecular sieve nanowires. This review enlightens on the potential of complex oxide nanostructures and the combination of both chemical and physical elaboration techniques for novel oxide-based integrated devices. ×
    [abstract]
    VILA-FUNGUEIRIñO J., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., GENDRY M., GICH M., GAZQUEZ J., FERAIN E., RIVADULLA F., RODRIGUEZ-CARVAJAL J., MESTRES N., CARRETERO-GENEVRIER A.,
    Frontiers in Physics, 3-38 (2015)
  • Optical polarization properties of InAs/InP quantum dot and quantum rod nanowires
    ANUFRIEV R., BARAKAT J., PATRIARCHE G., LETARTRE X., BRU-CHEVALLIER C., HARMAND J.C., GENDRY M., CHAUVIN N.,
    Nanotechnology, 26-395701 (2015)
  • Structure and morphology of Ge nanowires on Si(001): Importance of the Ge islands on the growth direction and twin formation
    BOUDAA F., BLANCHARD N., DESCAMPS-MANDINE A., BENAMROUCHE A., GENDRY M., PENUELAS J.,
    Journal of Applied Physics, 117-055302 (2015)
  • Tuning of emission energy of single quantum dots using phase-change mask for resonant control of their interactions
    Tuning of emission energy of single quantum dots using phase-change mask for resonant control of their interactions
    SATO Y., KANAZAWA S., YAMAMURA A., KUWAHARA M., REGRENY P., GENDRY M., SAIKI T.,
    We demonstrated tuning of the emission energy of semiconductor quantum dots (QDs) in order to control the resonant interaction between the QDs. In this approach, a thin layer of phase-change material in a crystalline phase is deposited on QDs and a local strain is applied through amorphization, resulting in a volume expansion, forming an indenter, which induces an energy shift of the QDs. We successfully tuned the emission energies of two closely located QDs to the same energy by controlling the direction and magnitude of the peak shift through the precise adjustment of the position and size of an indenter. ×
    [abstract]
    SATO Y., KANAZAWA S., YAMAMURA A., KUWAHARA M., REGRENY P., GENDRY M., SAIKI T.,
    Applied Physics A: Materials Science And Processing, 121-1329 (2015)
  • Carriers' localization and thermal redistribution in post growth voluntarily tuned quantum dashes' size/composition distribution
    HADJ ALOUANE M.H., HELALI A., MORRIS D., MAAREF H., AIMEZ V., SALEM B., GENDRY M., ILAHI B.,
    Journal of Luminescence, 145-595-599 (2014)
  • Distribution of barrier heights in metal/n-InAlAsSchottky diodes fromcurrent–voltage–temperature measurements
    HAMDAOUI N., AJJEL R., SALEM B., GENDRY M.,
    Materials Science in Semiconductor Processing, 26-431-437 (2014)
  • Optical investigation of InAs quantum dashes grown on InP(001) vicinal substrate
    BESAHRAOUI F., BOUSLAMA M., SAIDI F., BOUZAIENE L., HADJ ALOUANE M.H., MAAREF H., CHAUVIN N., GENDRY M., LOUNIS Z., GHAFFOUR M.,
    Superlattices and Microstructures, 65-264-270 (2014)
  • Optical mode study of III–V-nanowire-based nanophotonic crystals for an integrated infrared band microlaser
    LIN Z., GENDRY M., LETARTRE X.,
    Photonics Research, 2(6)-182 (2014)
  • Optical Simulation of Multijunction Solar Cells Based on III-V Nanowires on Silicon
    BENALI A., MICHALLON J., REGRENY P., DROUARD E., ROJO ROMEO P., CHAUVIN N., BUCCI D., FAVE A., KAMINSKI-CACHOPO A., GENDRY M.,
    Energy Procedia, 60-109-115 (2014)
  • Piezoelectric effect in InAs/InP quantum rod nanowires grown on silicon substrate.
    ANUFRIEV R., CHAUVIN N., KHMISSI H., NAJI K., PATRIARCHE G., GENDRY M., BRU-CHEVALLIER C.,
    Applied Physics Letters, 104-183101 (2014)
  • Redshifted and blueshifted photoluminescence emission of InAs/InP quantum dots upon amorphization of phase change material
    SYAFAWATI HUMAM N., SATO Y., TAKAHASHI M., KANAZAWA S., TSUMORI N., REGRENY P., GENDRY M., SAIKI T.,
    Optics Express, 22(12)-14830-14839 (2014)

Conférences données à l’invitation du Comité d’organisation dans un congrès national ou international (15 publications)

  • Hétérostructures à base de nanofils III-V
    Hétérostructures à base de nanofils III-V
    PENUELAS J., GUAN X., BECDELIEVRE J., FOUQUAT L., REGRENY P., GENDRY M., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., DANESCU A., BOTELLA C., GRENET G.,
    Les nanofils semiconducteurs ont été intensivement étudiés au cours de ces dernières années en raison de leurs propriétés physiques originales. Contrairement à d’autres systèmes, les nanofils offrent la possibilité de créer des structures hétéroépitaxiales suivant deux géométries: radiale [1] (combinant les matériaux autour de l'axe de croissance des nanofils) et axiale [2] (combinant les matériaux le long de l'axe de croissance des nanofils). Dans les deux cas, un contrôle précis de la qualité des interfaces est nécessaire. Dans cette présentation, ces deux types d'hétérostructures seront présentés, en partant de nanofils de GaAs fabriqués par épitaxie par jets moléculaires. La première hétérostructure est formée d'une insertion axiale d’un segment Wurtzite dans des nanofils Zinc Blende. Nous montrerons qu'il est possible de contrôler la formation de telles structures en accordant les flux d’As et de Ga pendant la croissance. Ces travaux ouvrent la voie vers une ingénierie de la structure cristalline pour modifier les propriétés optiques et de transports [3]. La seconde hétérostructure consiste en un système hautement hétérogène: nanofils cœur (GaAs) / coquille (oxyde fonctionnel) et nanofils cœur (GaAs) / coquille (métal). En raison de la grande hétérogénéité, la croissance est difficile à réaliser car il est nécessaire d'éviter une oxydation indésirable pendant le transfert de l'échantillon et car le désaccord de maille est élevé. Une technique de protection des nanofils permettant d’obtenir des facettes de GaAs exemptes de contamination avant la croissance de la coquille est proposée [4]. ×
    [abstract]
    PENUELAS J., GUAN X., BECDELIEVRE J., FOUQUAT L., REGRENY P., GENDRY M., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., DANESCU A., BOTELLA C., GRENET G.,
    Journées Surfaces et Interfaces January 24-26, 2018 Strasbourg, France (2018)
  • Effect of Hydrostatic Pressure on the Band Structure of Wurtzite InP Nanowires
    CHAUVIN N., MAVEL A., PATRIARCHE G., MASENELLI B., GENDRY M., MACHON D.,
    EMN Meeting on Nanowires May 16-19, 2016 Amsterdam, The Netherlands (2016)
  • Growth of core (GaAs) / shell (functional oxide) nanowires
    GUAN X., BECDELIEVRE J., MEUNIER B., BENALI A., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., BLANCHARD N., JAURAND X., SILLY M., SIROTTI F., CHAUVIN N., GENDRY M., PENUELAS J.,
    EMN Meeting on Nanowires May, 16-19, 2016 Amsterdam, Netherlands (2016)
  • Growth of hybrid GaAs core / shell nanowires
    GUAN X., BECDELIEVRE J., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., DANESCU A., VILQUIN B., ROJO ROMEO P., CHAUVIN N., BLANCHARD N., SILLY M., SIROTTI F., GENDRY M., PENUELAS J.,
    GDR PULSE July 2016 Marseille, France (2016)
  • Optical properties of strained wurtzite InP nanowires
    CHAUVIN N., MAVEL A., PATRIARCHE G., MASENELLI B., GENDRY M., MACHON D.,
    Atelier Nanofils 2016 June 20-22, 2016 Meudon-Bellevue, France (2016)
  • Photocarrier Dynamics in Pure Wurtzite InP Nanowires probed by optical-pump terahertz-probe measurement
    MORRIS D., DION G., MAVEL A., CHAUVIN N., GENDRY M.,
    EMN Meeting on Terahertz May 14-18, 2016 San Sebastian, Spain (2016)
  • Semiconducting core / piezoelectric shell nanowires
    PENUELAS J., GUAN X., BECDELIEVRE J., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., DANESCU A., VILQUIN B., ROJO ROMEO P., CHAUVIN N., BLANCHARD N., SILLY M., SIROTTI F., GENDRY M.,
    PiezoNEMS workshop December 1st 2016 Grenoble, France (2016)
  • Carrier dynamics in semiconductor nanowires studied using optical-pump terahertz-probe spectroscopy
    MORRIS D., CHAUVIN N., MAVEL A., BEAUDOIN A., SALEM B., TUTASHKONKO O., BARON T., GENDRY M.,
    ACP 2015 June 15-19, 2015 Edmonton, Alberta, Canada (2015)
  • III-V nanowires on silicon for light emission in the telecom band
    CHAUVIN N., ANUFRIEV R., MAVEL A., BARAKAT J., REGRENY P., PATRIARCHE G., MASENELLI B., GENDRY M.,
    IMMEA-2015 September 9-12, 2015 Marrakech, Morocco (2015)
  • Optical properties of wurtzite InP nanowires under hydrostatic pressure
    CHAUVIN N., MAVEL A., MASENELLI B., REGRENY P., GENDRY M., MACHON D.,
    5th Korean-German-French workshop on nanophotonics December  13-16, 2015 Würzburg, Germany (2015)
  • Impact of the 1D nature of InP based nanowires on their optical properties
    CHAUVIN N., ANUFRIEV R., BARAKAT J., PATRIARCHE G., GENDRY M., BRU-CHEVALLIER C.,
    4th Korean-German-French workshops on Nanophotonics, October 12-16, Gangneung, South Korea (2014)
  • InAs/InP nanowires for silicon photonics: toward self-catalyzed growth?
    GENDRY M.,
    GDR Nanofils Semiconducteurs, Nanotubes October 29-31, 2014 Toulouse, France (2014)
  • Intégration de Nanofils III-V sur SOI pour COnnections Optiques sur Puce
    GENDRY M.,
    GDR Ondes November 14, 2014 Orsay, France (2014)
  • Photoluminescence properties of Inas/InP quantum rod-nanowires grown on silicon substrate
    CHAUVIN N., ANUFRIEV R., HADJ ALOUANE M.H., BARAKAT J., KHMISSI H., NAJI K., PATRIARCHE G., GENDRY M., BRU-CHEVALLIER C.,
    5th International Conference on Nanostructures SElf-Assembly July 7-11, 2014 Marseille, France (2014)
  • Projet INSCOOP: Intégration de Nanofils III-V sur SOI pour COnnections Optiques sur Puce
    GENDRY M.,
    J3N November 12-14, 2014 Lyon, France (2014)

Communications avec actes dans un congrès international (3 publications)

Communications orales sans actes dans un congrès international ou national (22 publications)

  • Efficient adiabatic tapered InAs/InP quantum dot/nanowire on Si for a directive Gaussian far-field emission in the telecom O-band. Towards a single photon source on Si
    JAFFAL A., REGRENY P., NGUYEN H., CUEFF M., LETARTRE X., REDJEM W., ROUSSEAU E., CASSABOIS G., PATRIARCHE G., GENDRY M., CHAUVIN N.,
    EuroMBE 2019 February, 17-20, 2019 Lenggries, Germany (2019)
  • Bright single InAs quantum dots at telecom wavelengths in conical tapered InP nanowires monolithically grown on Si
    JAFFAL A., REGRENY P., PATRIARCHE G., GENDRY M., CHAUVIN N.,
    Nanowire Week 2018 June 11-15, 2018 Hamilton, Ontario, Canada (2018)
  • Contrôle de la phase cristalline de nanofils de GaAs auto-catalysés
    DURSAP T., VETTORI M., BOTELLA C., DANESCU A., PATRIARCHE G., PENUELAS J., GENDRY M.,
    AFC 2018 July 10-13, 2018 Lyon, France (2018)
  • InGaAs Subcell Epitaxial Lift-Off Combined with InP Wafer Recycling
    CHANCEREL F., REGRENY P., LECLERCQ J.L., JAOUAD A., DARNON M., VOLATIER M., FAFARD S., GENDRY M., AIMEZ V.,
    CPV-14 April 16-18, 2018 Puertollano, Spain (2018)
  • Nanoscale analyses of axial and radial III-V nanowires for solar cells
    PIAZZA V., CHALERMCHAI H., SAKET O., VETTORI M., ALI A., JULIEN F.H., CHAUVIN N., REGRENY P., FAVE A., GENDRY M., PATRIARCHE G., RALE P., OEHLER F., COLLIN S., HARMAND J.C., TCHERNYCHEVA M.,
    SPIE OPTO 2018 January 27-February 1, 2018 San Francisco, California, United States (2018)
  • Towards InAs/InP quantum dot-nanowires for telecom single photon sources monolithically grown on Silicon
    JAFFAL A., REGRENY P., NGUYEN H., CUEFF M., LETARTRE X., REDJEM W., ROUSSEAU E., CASSABOIS G., PATRIARCHE G., GENDRY M., CHAUVIN N.,
    C-Nano 2018 December, 11-13, 2018 Toulon, France (2018)
  • GaAs / TiO2 core-shell nanowires for Solar Water Splitting
    GUAN X., VETTORI M., BECDELIEVRE J., BOTELLA C., GRENET G., REGRENY P., SAINT-GIRONS G., CHEVALIER C., BUGNET M., GENDRY M., MAGNAN H., PENUELAS J.,
    J2N 2017 November 13-15, 2017 Grenoble, France (2017)
  • Optical Polarization Properties of Wurtzite InP and InAs/InP Nanowires Grown on Silicon(111)
    CHAUVIN N., JAFFAL A., MAVEL A., REGRENY P., PATRIARCHE G., GENDRY M.,
    Journées Nationales des Nanofils Semiconducteurs (J2N) November 13-15, 2017 Grenoble, France (2017)
  • Structure optimization of GaAs/AlGaAs nanowires for tandem solar cells on silicon
    VETTORI M., REGRENY P., PENUELAS J., CHEVALIER C., CHAUVIN N., PIAZZA V., AHMED A., TCHERNYCHEVA M., PATRIARCHE G., CATTONI A., OEHLER F., HARMAND J.C., FAVE A., GENDRY M.,
    JNPV-2017 December 5-8, 2017 Dourdan, France (2017)
  • Technological developments of epitaxial lift-off process over InP substrates
    CHANCEREL F., REGRENY P., LECLERCQ J.L., JAOUAD A., DARNON M., FAFARD S., GENDRY M., AIMEZ V.,
    JNTE 2017 November 20-22, 2017 Orléans, France (2017)
  • Towards controlling the optical properties of InAs/InP quantum dot- nanowires using a hybrid amorphous silicon/III-V semiconductor photonic structure
    JAFFAL A., CUEFF S., REGRENY P., GENDRY M., CHAUVIN N.,
    7th German-French-Korean Workshop on Nanophotonics October 15-18, 2017 Sète, France (2017)
  • Ultra-long self-catalyzed GaAs nanowires grown by Molecular Beam Epitaxy on Si(111)
    BECDELIEVRE J., GUAN X., CHAUVIN N., REGRENY P., GENDRY M., PATRIARCHE G., BUGNET M., SAINT-GIRONS G., PENUELAS J.,
    Nanowire Week 2017 May 29-June 2, 2017 Lund, Sweden (2017)
  • Core-shell nanowires for high efficiency tandem solar cells on Silicon
    FAVE A., VETTORI M., BENALI A., REGRENY P., CHAUVIN N., DROUARD E., LEMITI M., GENDRY M.,
    JNPV 2016 November 29-December 2, 2016 Dourdan, France (2016)
  • GaAs Core / SrTiO3 Shell Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy
    GUAN X., BECDELIEVRE J., MEUNIER B., BENALI A., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., BLANCHARD N., JAURAND X., SILLY M., SIROTTI F., CHAUVIN N., GENDRY M., PENUELAS J.,
    MBE 2016, 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy September 4-9, 2016 Montpellier, France (2016)
  • InAs/InP quantum dot nanowires with abrupt interfaces grown on silicon
    MAVEL A., CHAUVIN N., REGRENY P., PATRIARCHE G., MASENELLI B., GENDRY M.,
    MBE 2016 - 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy September 4-9, 2016 Montpellier, France (2016)
  • Self-catalyzed growth of III-V nanowires on Si for high efficiency Tandem Solar Cell
    VETTORI M., BENALI A., REGRENY P., CHAUVIN N., GENDRY M., FAVE A.,
    Fifth International Education Forum on Environment and Energy Science December, 15-19, 2016 San Diego, California, USA (2016)
  • Capping and decapping GaAs nanowires with As for preventing oxidation and for epitaxial shell growth
    Capping and decapping GaAs nanowires with As for preventing oxidation and for epitaxial shell growth
    GUAN X., BECDELIEVRE J., BENALI A., BOTELLA C., GRENET G., REGRENY P., SAINT-GIRONS G., GENDRY M., PENUELAS J.,
    Semiconductor nanowire-based materials are building blocks for future electronic and photonic devices. Due to their nanometric diameter and the efficient elastic relaxation at the lateral surface, nanowires (NWs) can accommodate more strain, and thus minimize lattice-matching constraints, inevitable in conventional thin film growth. In order to improve the physical properties of such nanowires and to develop electronic devices, core shell structure has been intentionally constructed. However preparing core/shell nanowires with good quality is quite challenging for the necessity of the perfect control of the core/shell interface. As known, oxidation is one of the most common processes which change the properties of the surface, in turn, affect the performance of materials. In consideration of the small dimension and the extreme large specific surface area, semiconductor NWs core materials have a higher tendency to be oxidized in the air, especially when an epitaxial shell made of heterogeneous materials is pursued which is obligated to be grown with a different reactor. However, the passivation preventing NWs from the oxidation is less studied. In this work, self-catalyzed GaAs NWs were grown by molecular beam epitaxy (MBE) on silicon substrate. The morphology of NWs is uniform, about 50 nm in diameter and 1 μm in length, while the surface density is as high as 7 NW/μm2. To obtain a better understanding of the growth mechanism, the effect of different experimental parameters were investigated, including the effect of the substrate orientation (001), (111) and (110), the pre-deposition temperature of the catalyst, the gallium and arsenic flux and the temperature and time of the growth. Aiming to regrow an epitaxial shell around the as-prepared GaAs NWs in another reactor after an air exposure, chemical surface information on NWs was gathered by performing TEM and XPS measurements. A typical GaAs NW has quite smooth lateral facets with a thin amorphous layer outside which is composed of gallium and arsenic oxides, attributed to the oxidation in air. Such oxidation might affect the subsequent fabrication of the core-shell structure by introducing structural defects at the interface. Thus we propose a reversible arsenic-capping method without introducing any other impurities at the interface in order to exclude such difficulties. By using this method, the growth of shell materials is still under studied and will be reported later. ×
    [abstract]
    GUAN X., BECDELIEVRE J., BENALI A., BOTELLA C., GRENET G., REGRENY P., SAINT-GIRONS G., GENDRY M., PENUELAS J.,
    8èmes Entretiens pour la recherche GEC-Beihang May 21, 2015 Marseille, France (2015)
  • Carrier Dynamics in Pure Wurtzite InP Nanowires Studied Using Optical-Pump Terahertz-Probe Spectroscopy
    MORRIS D., MAVEL A., CHAUVIN N., GENDRY M.,
    17th Canadian Semiconductor Science and Technology Conference August 16-21, 2015 Sherbrooke, Québec, Canada (2015)
  • Optical anisotropy in single InAs/InP quantum dot and quantum rod nanowires
    ANUFRIEV R., BARAKAT J., PATRIARCHE G., LETARTRE X., REGRENY P., BRU-CHEVALLIER C., HARMAND J.C., GENDRY M., CHAUVIN N.,
    Nanowires 2015 October 26-30, 2015 Barcelone, Spain (2015)
  • Self-Catalyzed Ga(Al)As Nanowires For Tandem Solar cells on Silicon
    BENALI A., MICHALLON J., REGRENY P., DROUARD E., ROJO ROMEO P., CHAUVIN N., BUCCI D., FAVE A., PATRIARCHE G., KAMINSKI-CACHOPO A., GENDRY M.,
    JNTE 2015 November 18-20, 2015 Ecully, France (2015)
  • 3rd generation solar cells based on III-V nanowires on silicon substrate
    BENALI A., KAMINSKI-CACHOPO A., GENDRY M.,
    Journées scientifiques de l’ARC ENERGIES de la Région Rhône-Alpes. 1 July, 2014 Lyon, France (2014)
  • Design of III-V nanowires based micosources vertically coupled to a Si waveguide for optical interconnects
    LIN Z., GENDRY M., HARMAND J.C., LETARTRE X.,
    CSW 2014 May, 11-15, 2014 Montpellier, France (2014)

Communications par affiche dans un congrès international ou national (25 publications)