Informations personnelles
Romain BACHELET

Chargé de Recherche C.N.R.S

Localisation INL
Site Ecole Centrale de Lyon
Batiment F7
36, Avenue Guy de Collongue
69134 Ecully
France
Téléphone (33).04 72 18 60 65
Courriel romain.bachelet@ec-lyon.fr
   
Activités de recherche    Publications
Activités de recherche

Département : Matériaux

Equipe de recherche : Hétéroépitaxie et Nanostructures


Domaine d'activités

Plateforme : NULL

Publications des 5 dernières années
LECLERCQ Jean-Louis
Chercheur

Localisation Site INSA,ECL,UCB,CPE
Téléphone (33).04 72 18 65 63
Courriel jean-louis.leclercq@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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McADAMS Eric
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 86
Courriel eric.mcadams@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
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MARCHAND Cédric
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 38
Courriel cedric.marchand@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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BRIK Adil
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel adil.brik@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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HAN Dong
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel dong.han@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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TAITT Rachael
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel rachael.taitt@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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DEMONGODIN Pierre
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel pierre.demongodin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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DELLA TORRE Alberto
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel alberto.della-torre@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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RODICHKINA Sofia
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel sofia.rodichkina@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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MAHATO Prabir
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel prabir.mahato@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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GRENET Geneviève
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 58
Courriel genevieve.grenet@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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GOURE Jean-Baptiste
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 85
Courriel jean-baptiste.goure@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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GENDRY Michel
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 50
Courriel michel.gendry@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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GAFFIOT Frédéric
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 47
Courriel frederic.gaffiot@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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DEVIF Brice
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 38
Courriel brice.devif@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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CARREL Laurent
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 61 41
Courriel laurent.carrel@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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CREMILLIEU Pierre
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 41
Courriel pierre.cremillieu@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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BOTELLA Claude
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 67 20
Courriel claude.botella@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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CALLARD Ségolène
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 58
Courriel segolene.callard@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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DEGOUTTES Jérôme
IATOS ITA

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 62 82
Courriel jerome.degouttes@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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TAUTE Arnaud
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel arnaud.taute@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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DUPUIS Etienne
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 59
Courriel etienne.dupuis@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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MOULIN Nelly
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel nelly.moulin@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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LETARTRE Xavier
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 81
Courriel xavier.letartre@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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MARTIN Thérèse
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 51
Courriel therese.martin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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PHANER-GOUTORBE Magali
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 32
Courriel magali.phaner@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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REGRENY Philippe
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 48
Courriel philippe.regreny@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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ROBACH Yves
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 44
Courriel yves.robach@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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ROJO ROMEO Pedro
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 65 41
Courriel pedro.rojo-romeo@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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SEASSAL Christian
Chercheur

Localisation Site INSA,ECL,UCB,CPE
Téléphone (33).04 72 18 60 64
(33).04 72 43 71 87
Courriel christian.seassal@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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VIKTOROVITCH Pierre
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 66
Courriel pierre.viktorovitch@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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O CONNOR Ian
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 54
Courriel ian.oconnor@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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CLOAREC Jean-Pierre
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 52
Courriel jean-pierre.cloarec@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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NAVARRO David
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 63 98
Courriel david.navarro@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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VILQUIN Bertrand
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 54
Courriel bertrand.vilquin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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DROUARD Emmanuel
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 45
Courriel emmanuel.drouard@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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MAZURCZYK Radoslaw
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 65 48
Courriel radoslaw.mazurczyk@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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LAURENCEAU Emmanuelle
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 40
Courriel emmanuelle.laurenceau@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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CHEVOLOT Yann
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 40
Courriel yann.chevolot@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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GAETANI Robin
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel robin.gaetani@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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MORENO VILLAVICENCIO Maiglid Andreina
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel maiglid.moreno-villavicencio@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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SAINT-GIRONS Guillaume
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 65 97
Courriel guillaume.saint-girons@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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NABETH Isabel
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 46
Courriel isabel.nabeth@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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CHATEAUX Jean-François
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 14 37
Courriel jean-francois.chateaux@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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DEMAN Anne-Laure
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 14 37
Courriel anne-laure.deman@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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FERRIGNO Rosaria
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 19 23
Courriel rosaria.ferrigno@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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KLEIMANN Pascal
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 62 59
Courriel pascal.kleimann@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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LU Guo-Neng
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 27 39
Courriel guo-neng.lu@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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MARTY Olivier
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 19 12
Courriel olivier.marty@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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MORIN Pierre
Autres

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 10 24
Courriel pierre.morin@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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PITTET Patrick
IATOS ITA

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 10 24
Courriel patrick.pittet@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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QUIQUEREZ Laurent
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 81 74
Courriel laurent.quiquerez@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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RENAUD Louis
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 62 59
Courriel louis.renaud@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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ABOUCHI Nacer
Enseignant chercheur

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 15 24
Courriel abouchi@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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ALBERTINI David
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 67
Courriel david.albertini@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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BRUHAT Elise
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04.xx.xx.xx.xx
Courriel elise.bruhat@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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BERRY Florian
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel florian.berry@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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APOSTOLUK Aleksandra
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 71 86
Courriel aleksandra.apostoluk@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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FOLTZER Emmanuelle
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 22
Courriel emmanuelle.foltzer@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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BABOUX Nicolas
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 67
Courriel nicolas.baboux@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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BARBIER Daniel
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 85 47
Courriel daniel.barbier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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BENYATTOU Taha
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 71 49
Courriel taha.benyattou@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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BLUET Jean-Marie
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 32
Courriel jean-marie.bluet@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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BREMOND Georges
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 80 66
Courriel georges.bremond@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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BRU-CHEVALLIER Catherine
Chercheur

Localisation Site INSA,ECL,UCB,CPE
Téléphone (33).04 72 43 89 06
(33).04 72 18 60 67
Courriel catherine.bru-chevallier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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CALMON Francis
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 61 59
Courriel francis.calmon@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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BOUSSETTA Lotfi
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 46
Courriel lotfi.boussetta@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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MOALLA Rahma
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18
Courriel rahma.moalla@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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TAURELLE Marjorie
IATOS ITA

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 14 33
Courriel marjorie.taurelle@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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ZROUNBA Clément
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 59
Courriel clement.zrounba@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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FREYERMUTH Hugo
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel hugo.freyermuth@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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TAFRAOUTI Asmae
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel asmae.tafraouti@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
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DESCAMPS Lucie
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel lucie.descamps@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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EL JALLAL Said
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel said.el-jallal@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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MONTALIBET Amalric
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 88
Courriel amalric.montalibet@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
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VIDAL DE NEGREIROS DA SILVA Thais-Luna
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel thais-luana.vidal-de-negreiros-da-silva@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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BOSIO Alberto
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 47
Courriel alberto.bosio@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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DE PINHO FERREIRA Nicolas
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel nicolas.de-pinho-ferreira@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
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BELAROUCI Ali
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 60
Courriel ali.belarouci@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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FAVE Alain
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 84 64
Courriel alain.fave@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
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FOURMOND Erwann
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 33
Courriel erwann.fourmond@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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GALVAN Jean-Marc
Enseignant chercheur

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 84 93
Courriel galvan@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
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GAUTIER Brice
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 70 03
Courriel brice.gautier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
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GEHIN Claudine
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 88
Courriel claudine.gehin@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
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GIRARD Philippe
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 61 36
Courriel philippe.girard@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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GONTRAND Christian
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 80 67
Courriel christian.gontrand@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
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GREGOIRE Joëlle
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 66
Courriel joelle.gregoire@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
Plus de détails  
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GUILLOT Gérard
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 81 61
Courriel gerard.guillot@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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JAMOIS Cecile
Chercheur

Localisation Site INSA,ECL
Téléphone (33).04 72 43 71 53
(33).04 72 18 62 49
Courriel cecile.jamois@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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JOLY François
IATOS ITA

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 13 36
Courriel joly@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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LE BERRE Martine
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 88 62
Courriel martine.leberre@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
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ANDRE Bénédicte
IATOS ITA

Localisation Site INSA,ECL,UCB,CPE
Téléphone (33).04 72 18 60 82
(33).04 72 43 71 89
Courriel benedicte.andre@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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LEMITI Mustapha
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 31
Courriel mustapha.lemiti@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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LYSENKO Vladimir
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 70 02
Courriel vladimir.lysenko@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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MALHAIRE Christophe
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 61 34
Courriel christophe.malhaire@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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MILITARU Liviu
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 33
Courriel liviu.militaru@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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NYCHYPORUK Tetyana
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 85 40
Courriel tetyana.nychyporuk@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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OROBTCHOUK Régis
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 07
Courriel regis.orobtchouk@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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PLOSSU Carole
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 33
Courriel carole.plossu@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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PRUDON Gilles
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 63 47
Courriel gilles.prudon@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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NOURY Norbert
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 74 54
Courriel norbert.noury@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
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REMAKI Boudjemaa
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 83 27
Courriel boudjemaa.remaki@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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ROBIN Olivier
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 71 14
Courriel olivier.robin@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
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BENAMROUCHE Aziz
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 38
Courriel aziz.benamrouche@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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CANUT Bruno
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 34
Courriel bruno.canut@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
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GUENERY Pierre-Vincent
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 64 43
Courriel pierre-vincent.guenery@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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SOUIFI Abdelkader
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 62
Courriel abdelkader.souifi@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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VERDIER Jacques
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 35
Courriel jacques.verdier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
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PUYOO Etienne
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 73 97
Courriel etienne.puyoo@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
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CELLIER Rémy
Enseignant chercheur

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 44 84 59
Courriel remy.cellier@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
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LAYOUNI Yasmina
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 26 29
Courriel yasmina.layouni@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
Plus de détails  
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DUMONT Hervé
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 47
Courriel herve.dumont@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
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SUSLEC Annie
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 88 59
Courriel annie.suslec@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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BLANC-PELISSIER Danièle
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 72 86
Courriel daniele.blanc@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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LOPEZ Raphaël
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 34
Courriel raphael.lopez@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche
Plus de détails  
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LAGARDE Virginie
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 83 29
Courriel virginie.lagarde@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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DUFAUT Patricia
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 57
Courriel patricia.dufaut@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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GRILLET Christian
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 53
Courriel christian.grillet@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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MICHIT Nicolas
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel nicolas.michit@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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PEYRONNET-DREMIERE Rafaël
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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FORNACCIARI Benjamin
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 55
Courriel benjamin.fornacciari@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
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MONNIER Virginie
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 39
Courriel virginie.monnier@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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MAZAURIC Serge
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL,CPE
Téléphone (33).
Courriel serge.mazauric@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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HOANG Ngoc-Vu
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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BOURRET Aurélie
IATOS ITA

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 13 35
Courriel secretariat.sn@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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URBAIN Mathias
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel mathias.urbain@univ-smb.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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ZHANG Yu
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel yu.zhang@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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GEHIN Thomas
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 42
Courriel thomas.gehin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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PENUELAS José
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 59
Courriel jose.penuelas@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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JAFFAL Ali
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel ali.jaffal@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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GAIGNEBET Nicolas
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel nicolas.gaignebet@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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DELERUYELLE Damien
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 89 62
Courriel damien.deleruyelle@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
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CHEVALIER Céline
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 55
Courriel celine.chevalier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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MASENELLI Bruno
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 74 72
Courriel bruno.masenelli@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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LE BEUX Sébastien
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 47
Courriel sebastien.le-beux@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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LABRAK Lioua
Enseignant chercheur

Localisation Site CPE
Téléphone (33).04 72 43 18 29
Courriel lioua.labrak@cpe.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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BACHELET Romain
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 65
Courriel romain.bachelet@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
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CANTAN Mayeul
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel mayeul.cantan@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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MONAT Christelle
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 49
Courriel christelle.monat@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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LHUILLIER Jérémy
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel jeremy.lhuillier@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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RIGAULT Samuel
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel samuel.rigault@st.com
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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CANERO-INFANTE Ingrid
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04.72.43.70.03
Courriel ingrid.canero-infante@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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DOYEUX Yvan
IATOS ITA

Localisation Site INSA,UCB
Téléphone (33).04 72 43 70 27
Courriel yvan.doyeux@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche
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FAIVRE Magalie
Chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 19 12
Courriel magalie.faivre@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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PERODOU Arthur
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel arthur.perodou@doctorant.ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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AUDRY-DESCHAMPS Marie-Charlotte
Enseignant chercheur

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 10 24
Courriel marie-charlotte.deschamps@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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YEROMONAHOS Christelle
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 35
Courriel christelle.yeromonahos@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
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BOUAZIZ Jordan
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel jordan.bouaziz@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
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MANDORLO Fabien
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 74 77
Courriel fabien.mandorlo@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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HO Emmeline
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel emmeline.ho@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
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BENHAMMOU Younès
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel younes.benhammou@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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WOOD Thomas
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel thomas.wood@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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TERRIER Nicolas
IATOS ITA

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 44 62 82
Courriel nicolas.terrier@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
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CHAUVIN Nicolas
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 74 65
Courriel nicolas.chauvin@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
Plus de détails  
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CUEFF Sébastien
Chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 79
Courriel sebastien.cueff@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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NGUYEN Hai Son
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 87
Courriel hai-son.nguyen@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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DANESCU Alexandre
Enseignant chercheur

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 58
Courriel alexandre.danescu@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
Plus de détails  
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BERGUIGA Lotfi
IATOS ITA

Localisation Site INSA,ECL
Téléphone (33).04.72.43.75.34
Courriel lotfi.berguiga@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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JOBERT Gabriel
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).
Courriel gabriel.jobert@cea.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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DEL BOSQUE Lucien
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel lucien.del-bosque@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
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MEKKAOUI Samir
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).
Courriel samir.mekkaoui@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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CALVO Michele
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel michele.calvo@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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CHAVES DE ALBUQUERQUE Tulio
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 64 43
Courriel tulio.chaves-de-albuquerque@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
Plus de détails  
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YANG Zihua
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel zihua.yang@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
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MASSOT Bertrand
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 71 15
Courriel bertrand.massot@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
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GONCALVES Sylvie
IATOS ITA

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 43
Courriel sylvie.goncalves@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Service administratif et financier
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KEMPF Eva
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel eva.kempf@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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CHEN Xiushna
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB,Autres
Téléphone (33).
Courriel xchen@ipnl.in2p3.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
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DALLEAU Thomas
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB,Autres
Téléphone (33).
Courriel thomas.dalleau@st.com
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
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SINOBAD Milan
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel milan.sinobad@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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GUIRAL Pierrick
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB,Autres
Téléphone (33).
Courriel pierrick.guiral@dosilab.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
Plus de détails  
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FERRIER Lydie
Enseignant chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 80 66
Courriel lydie.ferrier@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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BRICHE Rémi
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel remi.briche@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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DANG Ha My
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 76 18 60 77
Courriel ha-my-nguyen.dang@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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VINCENT Daniel
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 87 36
Courriel daniel.vincent@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
Plus de détails  
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AMARA Mohamed
Chercheur

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 76 10
Courriel mohamed.amara@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
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EL WHIBI Seif
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel seif.el-whibi@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
Plus de détails  
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BENCHEMOUL Maxime
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel maxime.benchemoul@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Capteurs Biomédicaux
Plus de détails  
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BROTTET Solène
IATOS ITA

Localisation Site INSA
Téléphone (33).04 72 43 82 67
Courriel solene.brottet@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Plateforme NanoLyon
Plus de détails  
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SARELLI Eirini
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).04 72 18 60 77
Courriel eirini.sarelli@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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LECOT Solène
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 62 36
Courriel solene.lecot@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Chimie et Nanobiotechnologies
Plus de détails  
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KEMICHE Malik
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel malik.kemiche@doctorant.ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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PLANTIER Simon
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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BAI Xiaofei
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel xiaofei.bai@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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TONI Arnaud
Chercheur non permanent

Localisation Site CPE,Autres
Téléphone (33).
Courriel arnaud@enduratechnologies.com
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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BOURAS Mohamed
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel mohamed-elhachmi.bouras@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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EL DIRANI Houssein
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL,Autres
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel houssein.el-dirani@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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JOHN Jimmy
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel jimmy.john@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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ARMAND Rémi
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 40
Courriel remi.armand@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
Plus de détails  
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STRUSS Quentin
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel quentin.struss@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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LI Xiao
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel xiao.li@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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SYNHAIVSKYI Oleksandr
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel oleksandr.synhaivskyi@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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GONZALEZ CASAL Sergio
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel sergio.gonzalez-casal@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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DURSAP Thomas
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 86
Courriel thomas.dursap@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Hétéroépitaxie et Nanostructures
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MERMET LYAUDOZ Raphaël
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).04 72 18 60 55
Courriel raphael.mermet-lyaudoz@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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ESTEVES Josué
Chercheur non permanent

Localisation Site UCB
Téléphone (33).04 72 43 14 33
Courriel josue.esteves@univ-lyon1.fr
Equipe(s) de recherche Lab-On-Chip et Instrumentation
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PLOURDE Maxime
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel maxime.plourde@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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ISSARTEL Dylan
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel dylan.issartel@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Dispositifs Electroniques
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GIGLIA Valentin
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel Valentin.GIGLIA@cea.fr
Equipe(s) de recherche Photovoltaïque
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SOSNA-GLEBSKA Aleksandra
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel aleksandra.sosna-gelbska@insa-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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NASSIET Thomas
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel thomas.nassiet1@st.com
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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VINCENT Mathieu
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA,Autres
Téléphone (33).
Courriel
Equipe(s) de recherche Nanophotonique
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BOUSSADI Younes
Chercheur non permanent

Localisation Site INSA
Téléphone (33).
Courriel Younes.BOUSSADI@cea.fr
Equipe(s) de recherche Spectroscopies et Nanomatériaux
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POITTEVIN Arnaud
Chercheur non permanent

Localisation Site ECL
Téléphone (33).
Courriel arnaud.poittevin@ec-lyon.fr
Equipe(s) de recherche Conception de Systèmes Hétérogènes
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Articles dans des revues internationales ou nationales avec comité de lecture répertoriées par l’AERES ou dans les bases de données internationales (25 publications)

  • Epitaxial La0.7Sr0.3MnO3 thin films on silicon with excellent magnetic and electric properties by combining physical and chemical methods
    Epitaxial La0.7Sr0.3MnO3 thin films on silicon with excellent magnetic and electric properties by combining physical and chemical methods
    VILA-FUNGUEIRIñO J., GAZQUEZ J., MAGEN C., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., CARRETERO-GENEVRIER A.,
    Half-metallic ferromagnetic La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO) represents an appealing candidate to be integrated on silicon substrates for technological devices such as sensors, data storage media, IR detectors, and so on. Here, we report high-quality epitaxial LSMO thin films obtained by an original combination of chemical solution deposition (CSD) and molecular beam epitaxy (MBE). A detailed study of the thermal, chemical, and physical compatibility between SrTiO3 (STO)/Si buffer layers and LSMO films, grown by MBE and CSD, respectively, enables a perfect integration of both materials. Importantly, we show a precise control of the coercive field of LSMO films by tuning the mosaicity of the STO/Si buffer layer. These results demonstrate the enormous potential of combining physical and chemical processes for the development of low-cost functional oxide-based devices compatible with the complementary metal oxide semiconductor technology. ×
    [abstract]
    VILA-FUNGUEIRIñO J., GAZQUEZ J., MAGEN C., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., CARRETERO-GENEVRIER A.,
    Science and Technology of Advanced Materials, 19-702 (2018)
  • Large anisotropy of ferroelectric and pyroelectric properties in heteroepitaxial oxide layers
    Large anisotropy of ferroelectric and pyroelectric properties in heteroepitaxial oxide layers
    MOALLA R., CUEFF S., PENUELAS J., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., BABOUX N., BACHELET R.,
    Epitaxial PbZr0.52Ti0.48O3 (PZT) layers were integrated on Si(001) with single PZT {001} orientation, mosaïcity below 1° and a majority of a-oriented ferroelectric domains (∼65%). Ferroelectric and pyroelectric properties are determined along both the out-of-plane and in-plane directions through parallel-plate capacitor and coplanar interdigital capacitor along the <100>PZT direction. A large anisotropy in these properties is observed. The in-plane remnant polarization (21.5 μC.cm−2) is almost twice larger than that measured along the out-of-plane direction (13.5 μC.cm−2), in agreement with the domain orientation. Oppositely, the in-plane pyroelectric coefficient (−285 μC.m−2.K−1) is much lower than that measured out-of-plane (−480 μC.m−2.K−1). The pyroelectric anisotropy is explicated in term of degree of structural freedom with temperature. In particular, the low in-plane pyroelectric coefficient is explained by a two-dimensional clamping of the layers on the substrate which induces tensile stress (from thermal expansion), competing with the decreasing tetragonality of a-domains (shortening of the polar c-axis lattice parameter). Temperature-dependent XRD measurements have revealed an increased fraction of a-domains with temperature, attesting the occurrence of a partial two-dimensional clamping. These observed properties are of critical importance for integrated pyroelectric devices. ×
    [abstract]
    MOALLA R., CUEFF S., PENUELAS J., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., BABOUX N., BACHELET R.,
    Scientific Reports, 8-4332 (2018)
  • Electric and mechanical switching of ferroelectric and resistive states in semiconducting BaTiO3-x films on silicon
    Electric and mechanical switching of ferroelectric and resistive states in semiconducting BaTiO3-x films on silicon
    GOMES A., VILA-FUNGUEIRIñO J., MOALLA R., SAINT-GIRONS G., GAZQUEZ J., VARELA M., BACHELET R., GICH M., RIVADULLA F., CARRETERO-GENEVRIER A.,
    Materials that can couple electrical and mechanical properties constitute a key element of smart actuators, energy harvesters, or many sensing devices. Within this class, functional oxides display specific mesoscale responses which often result in great sensitivity to small external stimuli. Here, a novel combination of molecular beam epitaxy and a water-based chemical-solution method is used for the design of mechanically controlled multilevel device integrated on silicon. In particular, the possibility of adding extra functionalities to a ferroelectric oxide heterostructure by n-doping and nanostructuring a BaTiO3 thin film on Si(001) is explored. It is found that the ferroelectric polarization can be reversed, and resistive switching can be measured, upon a mechanical load in epitaxial BaTiO3−δ/La0.7Sr0.3MnO3/SrTiO3/Si columnar nanostructures. A flexoelectric effect is found, stemming from substantial strain gradients that can be created with moderate loads. Simultaneously, mechanical effects on the local conductivity can be used to modulate a nonvolatile resistive state of the BaTiO3−δ heterostructure. As a result, three different configurations of the system become accessible on top of the usual voltage reversal of polarization and resistive states. ×
    [abstract]
    GOMES A., VILA-FUNGUEIRIñO J., MOALLA R., SAINT-GIRONS G., GAZQUEZ J., VARELA M., BACHELET R., GICH M., RIVADULLA F., CARRETERO-GENEVRIER A.,
    Small, 13-1701614 (2017)
  • Huge gain in pyroelectric energy conversion through epitaxy for integrated self-powered nanodevices
    Huge gain in pyroelectric energy conversion through epitaxy for integrated self-powered nanodevices
    MOALLA R., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., LE RHUN G., DEFAY E., SEBALD G., BABOUX N., BACHELET R.,
    Polycrystalline (textured) and epitaxial 500 nm thick Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT) layers have been monolithically integrated in metal-insulator-metal structure on silicon in order to compare their pyroelectric properties, both statically (under stabilized temperatures) and dynamically (when submitted to temperature transient as a pyroelectric device should work). The films have roughly the same out-of-plane orientation, and thus a similar out-of-plane remnant ferroelectric polarization around 12 μC/cm2. Whereas their static pyroelectric coefficients are similar (around −470 μC m−2 K−1), the dynamic pyroelectric coefficient of the epitaxial layer is about one order of magnitude larger than that of the polycrystalline layer (−230 vs −30 μC m−2 K−1). This causes an important difference on the densities of converted pyroelectric energy by almost two orders of magnitude (1 vs 1.5 10−2 mJ/cm3 per cycle for temperature variations of ∼6 K). This difference is explained here by the counterbalanced extrinsic pyroelectric contribution arising from the domain walls motion in the dynamical measurements. Extrinsic pyroelectric contribution appears almost twice larger on polycrystalline layer than on epitaxial layer (+430 vs +250 μC m−2 K−1). These results are crucial for further design of advanced integrated pyroelectric-based nanodevices. ×
    [abstract]
    MOALLA R., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., LE RHUN G., DEFAY E., SEBALD G., BABOUX N., BACHELET R.,
    Nano Energy, 41-43 (2017)
  • Thermoelectric La-doped SrTiO3 epitaxial layers with single-crystal quality: from nano to micrometers
    Thermoelectric La-doped SrTiO3 epitaxial layers with single-crystal quality: from nano to micrometers
    APREUTESEI M., DEBORD R., BOURAS M., REGRENY P., BOTELLA C., BENAMROUCHE A., CARRETERO-GENEVRIER A., GAZQUEZ J., GRENET G., PAILHES S., SAINT-GIRONS G., BACHELET R.,
    High-quality thermoelectric La0.2Sr0.8TiO3 (LSTO) films, with thicknesses ranging from 20 nm to 0.7 μm, have been epitaxially grown on SrTiO3(001) substrates by enhanced solid-source oxide molecular-beam epitaxy. All films are atomically flat (with rms roughness < 0.2 nm), with low mosaicity (<0.1°), and present very low electrical resistivity (<5 × 10−4 Ω cm at room temperature), one order of magnitude lower than standard commercial Nb-doped SrTiO3 single crystalline substrate. The conservation of transport properties within this thickness range has been confirmed by thermoelectric measurements where Seebeck coefficients of approximately –60 μV/K have been recorded for all films. These LSTO films can be integrated on Si for nonvolatile memory structures or opto-microelectronic devices, functioning as transparent conductors or thermoelectric elements. ×
    [abstract]
    APREUTESEI M., DEBORD R., BOURAS M., REGRENY P., BOTELLA C., BENAMROUCHE A., CARRETERO-GENEVRIER A., GAZQUEZ J., GRENET G., PAILHES S., SAINT-GIRONS G., BACHELET R.,
    Science and Technology of Advanced Materials, 18-430 (2017)
  • Unified modeling of the thermoelectric properties in SrTiO3
    Unified modeling of the thermoelectric properties in SrTiO3
    BOUZERAR G., THéBAUD S., ADESSI C., DEBORD R., APREUTESEI M., BACHELET R., PAILHèS S.,
    Thermoelectric materials are opening a promising pathway to address energy conversion issues governed by a competition between thermal and electronic transport. Improving the efficiency is a difficult task, a challenge that requires new strategies to unearth optimized compounds. We present a theory of thermoelectric transport in electron-doped SrTiO3, based on a realistic tight-binding model that includes relevant scattering processes. We compare our calculations against a wide panel of experimental data, both bulk and thin films. We find a qualitative and quantitative agreement over both a wide range of temperatures and carrier concentrations, from light to heavily doped. Moreover, the results appear insensitive to the nature of the dopant La, B, Gd and Nb. Thus, the quantitative success found in the case of SrTiO3, reveals an efficient procedure to explore new routes to improve the thermoelectric properties in oxides. ×
    [abstract]
    BOUZERAR G., THéBAUD S., ADESSI C., DEBORD R., APREUTESEI M., BACHELET R., PAILHèS S.,
    Europhysics Letters, 118-67004 (2017)
  • Chemical reactivity between sol–gel deposited Pb(Zr,Ti)O3 layers and their GaAs substrates
    MEUNIER B., LARGEAU L., REGRENY P., PENUELAS J., BACHELET R., VILQUIN B., WAGUE B., SAINT-GIRONS G.,
    CrystEngComm, 18-7494 (2016)
  • Dramatic effect of thermal expansion mismatch on the structural, dielectric, ferroelectric and pyroelectric properties of low-cost epitaxial PZT films on SrTiO3 and Si
    MOALLA R., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., SEBALD G., BABOUX N., BACHELET R.,
    CrystEngComm, 18-1887 (2016)
  • Epitaxy of irridium on SrTiO3/Si(001): a promising scalable substrate for diamond heteroepitaxy
    Epitaxy of irridium on SrTiO3/Si(001): a promising scalable substrate for diamond heteroepitaxy
    LEE K., SAADA S., ARNAULT J., MOALLA R., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., BENSALAH H., STENGER I., BARJON J., TALLAIERE A., ACHARD J.,
    Iridiumepitaxy on SrTiO3/Si (001)was investigated using field emission scanning electronmicroscopy (FE-SEM), spectroscopic ellipsometry, X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM). Thermal stability of SrTiO3 buffer layers (12–40 nm thick) was first investigated by annealing at different temperatures (620 °C– 920 °C) under vacuum to optimize iridium epitaxy conditions. The surface morphology was monitored by FESEM and optical constants by spectroscopic ellipsometry. Iridium films were then deposited and their morphology and crystalline quality were evaluated by FE-SEMand XRD. Itwas found that iridiumepitaxy is optimized at 660 °C on SrTiO3 films thicker than ~30 nm. The polar and azimuthal mosaicities of the iridiumfilms on SrTiO3/Si (001)were 0.3° and 0.1°, respectively. These epitaxial iridiumfilmswere further used for diamond heteroepitaxy. The bias enhanced nucleation (BEN) treatment resulted in highly homogeneous and dense diamond domains. Heteroepitaxial diamond films were further grown by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MPCVD) on 7 × 7 mm2 Ir/SrTiO3/Si (001) substrates and characterized by XRD. ×
    [abstract]
    LEE K., SAADA S., ARNAULT J., MOALLA R., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., BENSALAH H., STENGER I., BARJON J., TALLAIERE A., ACHARD J.,
    Diamond and Related Materials, 66-67 (2016)
  • Epitaxy of SrTiO3 on silicon: The knitting machine strategy
    SAINT-GIRONS G., BACHELET R., MOALLA R., MEUNIER B., LOUAHADJ L., CANUT B., CARRETERO-GENEVRIER A., GAZQUEZ J., REGRENY P., BOTELLA C., PENUELAS J., SILLY M., SIROTTI F., GRENET G.,
    Chemistry of Materials, 28(15)-5347-5355 (2016)
  • GaAs Core/SrTiO3 Shell Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy
    GaAs Core/SrTiO3 Shell Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy
    GUAN X., BECDELIEVRE J., MEUNIER B., BENALI A., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., BLANCHARD N., JAURAND X., SILLY M., SIROTTI F., CHAUVIN N., GENDRY M., PENUELAS J.,
    We have studied the growth of a SrTiO3 shell on self-catalyzed GaAs nanowires grown by vapor-liquid-solid assisted molecular beam epitaxy on Si(111) substrates. To control the growth of the SrTiO3 shell, the GaAs nanowires were protected using an arsenic capping/decapping procedure in order to prevent uncontrolled oxidation and/or contamination of the nanowire facets. Reflection high energy electron diffraction, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy were performed to determine the structural, chemical and morphological properties of the heterostructured nanowires. Using adapted oxide growth conditions, it is shown that most of the perovskite structure SrTiO3 shell appears to be oriented with respect to the GaAs lattice. These results are promising for achieving one-dimensional epitaxial semiconductor core / functional oxide shell nanostructures. ×
    [abstract]
    GUAN X., BECDELIEVRE J., MEUNIER B., BENALI A., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., BLANCHARD N., JAURAND X., SILLY M., SIROTTI F., CHAUVIN N., GENDRY M., PENUELAS J.,
    Nano Letters, 16-2393 (2016)
  • GaAs nanowires with oxidation-proof arsenic capping for the growth of an epitaxial shell
    GaAs nanowires with oxidation-proof arsenic capping for the growth of an epitaxial shell
    GUAN X., BECDELIEVRE J., BENALI A., BOTELLA C., GRENET G., REGRENY P., CHAUVIN N., BLANCHARD N., JAURAND X., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., GENDRY M., PENUELAS J.,
    We propose an arsenic-capping/decapping method, allowing the growth of an epitaxial shell around the GaAs nanowire (NW) core which is exposed to an ambient atmosphere, and without the introduction of impurities. Self-catalyzed GaAs NW arrays were firstly grown on Si(111) substrates by solid-source molecular beam epitaxy. Aiming for protecting the active surface of the GaAs NW core, the arsenic-capping/decapping method has been applied. To validate the effect of this method, different core/shell NWs have been fabricated. Analyses highlight the benefit of the As capping-decapping method for further epitaxial shell growth: an epitaxial shell with a smooth surface is achieved in the case of As-capped–decapped GaAs NWs, comparable to the in situ grown GaAs/AlGaAs NWs. This As capping method opens a way for the epitaxial growth of heterogeneous material shells such as functional oxides using different reactors. ×
    [abstract]
    GUAN X., BECDELIEVRE J., BENALI A., BOTELLA C., GRENET G., REGRENY P., CHAUVIN N., BLANCHARD N., JAURAND X., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., GENDRY M., PENUELAS J.,
    Nanoscale, 8-15637 (2016)
  • High ferroelectric polarization in c-oriented BaTiO3 epitaxial thin films on SrTiO3/Si(001)
    SCIGAJ A., CHAO C., GAZQUEZ J., FINA I., MOALLA R., SAINT-GIRONS G., CHISHOLM R., HERRANZ G., FONTCUBERTA J., BACHELET R., SANCHEZ F.,
    Applied Physics Letters, 109-122903 (2016)
  • Mosaicity, dislocations and strain in heteroepitaxial diamond grown on iridium
    Mosaicity, dislocations and strain in heteroepitaxial diamond grown on iridium
    BENSALAH H., STENGER I., SAKR G., BARJON J., BACHELET R., TALLAIRE A., ACHARD J., VAISSIERE N., LEE K., SAADA S., ARNAULT J.,
    The present study provides a multi-scale investigation of the crystalline quality and the structural defects present in heteroepitaxial diamond films grown on iridium/SrTiO3 (001) substrates bymicrowave plasma assisted chemical vapor deposition. X-ray diffraction, Raman spectroscopy and low temperature cathodoluminescence are combined to accurately characterize the mosaicity, the density of dislocations and the residual strain within the films. X-ray diffraction and Raman results confirm a structural quality at the state-of-the-art according to the epitaxial relationship 〈100〉diamond(001) // 〈100〉iridium(001) // 〈100〉SrTiO3 (001). In addition, Raman and cathodoluminescence observations on cross-sections reveal the presence of local strain. ×
    [abstract]
    BENSALAH H., STENGER I., SAKR G., BARJON J., BACHELET R., TALLAIRE A., ACHARD J., VAISSIERE N., LEE K., SAADA S., ARNAULT J.,
    Diamond and Related Materials, 66-188 (2016)
  • Oxide single-crystal surfaces: a playground for self-assembled oxide nanostructures
    Oxide single-crystal surfaces: a playground for self-assembled oxide nanostructures
    BACHELET R.,
    The different (structural and chemical) properties of oxide single-crystal surfaces that can be exploited for the growth of self-assembled oxide nanostructures are briefly reviewed. A large variety of nanostructures can be obtained, controlled by surface and interface structure and chemistry, which play a predominant role in their formation mechanisms at this nanometer scale. It is reminded that surface atomic order, surface steps, chemical terminations or heteroepitaxial strain can be used to generate various nanostructures such as nanodots, nanowires, nanostripes, with controlled size, morphology, and spatial ordering. ×
    [abstract]
    BACHELET R.,
    Frontiers in Physics, 4-36 (2016)
  • Pyroelectricity of Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 films grown by sol-gel process on silicon
    Pyroelectricity of Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 films grown by sol-gel process on silicon
    MOALLA R., LE RHUN G., DEFAY E., BABOUX N., SEBALD G., BACHELET R.,
    Pyroelectric Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 films have been grown by sol–gel process on Si(001). Intrinsic pyroelectric coefficient has been measured through ferroelectric loops recorded at different temperatures and is about −300 μC/m2K. Corresponding converted pyroelectric power density is estimated to be ~1mW/cm3 for a temperature variation of 10 °C every 6 s. Pyroelectric response of these films has been confirmed by direct measurements of the pyroelectric current with temperature variations at zero electric field. These results are of high interest for integrated thermally-sensitive devices. ×
    [abstract]
    MOALLA R., LE RHUN G., DEFAY E., BABOUX N., SEBALD G., BACHELET R.,
    Thin Solid Film, 601-80 (2016)
  • Sol–gel deposition of Pb(Zr,Ti)O3 on GaAs/InGaAs quantum well heterostructure via SrTiO3 templates: Stability of the semiconductor during oxide growth
    MEUNIER B., LARGEAU L., REGRENY P., BACHELET R., VILQUIN B., PENUELAS J., SAINT-GIRONS G.,
    Thin Solid Film, 617-67 (2016)
  • The role of Titanium at the SrTiO3/GaAs epitaxial interface
    MEUNIER B., BACHELET R., GRENET G., BOTELLA C., REGRENY P., PENUELAS J., SAINT-GIRONS G.,
    Journal of Crystal Growth, 433-139 (2016)
  • Epitaxial manganite freestanding bridges for low power pressure sensors
    LE BOURDAIS D., AGNUS G., MAROUTIAN T., PILLARD V., AUBERT A., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., VILQUIN B., LEFEUVRE E., LECOEUR P.,
    Journal of Applied Physics, 118-124509 (2015)
  • Integration of functional complex oxide nanomaterials on silicon
    Integration of functional complex oxide nanomaterials on silicon
    VILA-FUNGUEIRIñO J., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., GENDRY M., GICH M., GAZQUEZ J., FERAIN E., RIVADULLA F., RODRIGUEZ-CARVAJAL J., MESTRES N., CARRETERO-GENEVRIER A.,
    The combination of standard wafer-scale semiconductor processing with the properties of functional oxides opens up to innovative and more efficient devices with high value applications that can be produced at large scale. This review uncovers the main strategies that are successfully used to monolithically integrate functional complex oxide thin films and nanostructures on silicon: the chemical solution deposition approach (CSD) and the advanced physical vapor deposition techniques such as oxide molecular beam epitaxy (MBE). Special emphasis will be placed on complex oxide nanostructures epitaxially grown on silicon using the combination of CSD and MBE. Several examples will be exposed, with a particular stress on the control of interfaces and crystallization mechanisms on epitaxial perovskite oxide thin films, nanostructured quartz thin films, and octahedral molecular sieve nanowires. This review enlightens on the potential of complex oxide nanostructures and the combination of both chemical and physical elaboration techniques for novel oxide-based integrated devices. ×
    [abstract]
    VILA-FUNGUEIRIñO J., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., GENDRY M., GICH M., GAZQUEZ J., FERAIN E., RIVADULLA F., RODRIGUEZ-CARVAJAL J., MESTRES N., CARRETERO-GENEVRIER A.,
    Frontiers in Physics, 3-38 (2015)
  • X-ray photoelectron spectroscopy and diffraction investigation of a metal-oxide-semiconductor heterostructure: Pt/Gd2O3/Si(111)
    FERRAH D., EL KAZZI M., NIU G., BOTELLA C., PENUELAS J., ROBACH Y., LOUAHADJ L., BACHELET R., LARGEAU L., SAINT-GIRONS G., LIU Q., VILQUIN B., GRENET G.,
    Journal of Crystal Growth, 416-118 (2015)
  • Functional spinel oxide heterostructures on silicon
    BACHELET R., DE COUX P., WAROT-FONROSE B., SKUMRYEV V., NIU G., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., SANCHEZ F.,
    CrystEngComm, 16-10741 (2014)
  • Molecular beam epitaxy of SrTiO3 on GaAs(001) : GaAs surface treatment and structural characterization of the oxide layer
    LOUAHADJ L., BACHELET R., REGRENY P., LARGEAU L., DUBOURDIEU C., SAINT-GIRONS G.,
    Thin Solid Film, 563-2 (2014)
  • Phase transitions in [001]-oriented morphotropic PbZr0.52Ti0.48O3 thin film deposited onto SrTiO3-buffered Si substrate
    Phase transitions in [001]-oriented morphotropic PbZr0.52Ti0.48O3 thin film deposited onto SrTiO3-buffered Si substrate
    SHI Y., CUEFF M., NIU G., LE RHUN G., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., GAUTIER B., ROBACH Y., GEMEINER P., GUIBLIN N., DEFAY E., DKHIL B.,
    An 85 nm-thick morphotropic PbZr0.52Ti0.48O 3 (PZT) film grown epitaxially and [001]-oriented onto a SrTiO 3-buffered Si-wafer is investigated using temperature dependent X-ray diffraction. Two phase transitions, at Trt ∼ 500 K and T c ∼ 685 K, are evidenced and are attributed to structural phase transitions from monoclinic-like to tetragonal-like phase and from tetragonal to paraelectric phase, respectively. The stronger upper shift of Trt value with respect to the bulk one and the weakly affected Tc (T c bulk ∼ 665 K) are explained assuming misfit strain changes when crossing Trt. This finding opens new perspectives for piezoelectric PZT films in harsh applications. ×
    [abstract]
    SHI Y., CUEFF M., NIU G., LE RHUN G., VILQUIN B., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., GAUTIER B., ROBACH Y., GEMEINER P., GUIBLIN N., DEFAY E., DKHIL B.,
    Journal of Applied Physics, 115-214108 (2014)
  • Structural study and ferroelectricity of epitaxial BaTiO3 films on silicon grown by molecular beam epitaxy
    MAZET L., BACHELET R., LOUAHADJ L., ALBERTINI D., GAUTIER B., SCHAMM-CHARDON S., SAINT-GIRONS G., DUBOURDIEU C.,
    Journal of Applied Physics, 116(21)-214102 (2014)

Conférences données à l’invitation du Comité d’organisation dans un congrès national ou international (13 publications)

  • Hétérostructures à base de nanofils III-V
    Hétérostructures à base de nanofils III-V
    PENUELAS J., GUAN X., BECDELIEVRE J., FOUQUAT L., REGRENY P., GENDRY M., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., DANESCU A., BOTELLA C., GRENET G.,
    Les nanofils semiconducteurs ont été intensivement étudiés au cours de ces dernières années en raison de leurs propriétés physiques originales. Contrairement à d’autres systèmes, les nanofils offrent la possibilité de créer des structures hétéroépitaxiales suivant deux géométries: radiale [1] (combinant les matériaux autour de l'axe de croissance des nanofils) et axiale [2] (combinant les matériaux le long de l'axe de croissance des nanofils). Dans les deux cas, un contrôle précis de la qualité des interfaces est nécessaire. Dans cette présentation, ces deux types d'hétérostructures seront présentés, en partant de nanofils de GaAs fabriqués par épitaxie par jets moléculaires. La première hétérostructure est formée d'une insertion axiale d’un segment Wurtzite dans des nanofils Zinc Blende. Nous montrerons qu'il est possible de contrôler la formation de telles structures en accordant les flux d’As et de Ga pendant la croissance. Ces travaux ouvrent la voie vers une ingénierie de la structure cristalline pour modifier les propriétés optiques et de transports [3]. La seconde hétérostructure consiste en un système hautement hétérogène: nanofils cœur (GaAs) / coquille (oxyde fonctionnel) et nanofils cœur (GaAs) / coquille (métal). En raison de la grande hétérogénéité, la croissance est difficile à réaliser car il est nécessaire d'éviter une oxydation indésirable pendant le transfert de l'échantillon et car le désaccord de maille est élevé. Une technique de protection des nanofils permettant d’obtenir des facettes de GaAs exemptes de contamination avant la croissance de la coquille est proposée [4]. ×
    [abstract]
    PENUELAS J., GUAN X., BECDELIEVRE J., FOUQUAT L., REGRENY P., GENDRY M., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., DANESCU A., BOTELLA C., GRENET G.,
    Journées Surfaces et Interfaces January 24-26, 2018 Strasbourg, France (2018)
  • Growth of core (GaAs) / shell (functional oxide) nanowires
    GUAN X., BECDELIEVRE J., MEUNIER B., BENALI A., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., BLANCHARD N., JAURAND X., SILLY M., SIROTTI F., CHAUVIN N., GENDRY M., PENUELAS J.,
    EMN Meeting on Nanowires May, 16-19, 2016 Amsterdam, Netherlands (2016)
  • Growth of hybrid GaAs core / shell nanowires
    GUAN X., BECDELIEVRE J., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., DANESCU A., VILQUIN B., ROJO ROMEO P., CHAUVIN N., BLANCHARD N., SILLY M., SIROTTI F., GENDRY M., PENUELAS J.,
    GDR PULSE July 2016 Marseille, France (2016)
  • Semiconducting core / piezoelectric shell nanowires
    PENUELAS J., GUAN X., BECDELIEVRE J., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., DANESCU A., VILQUIN B., ROJO ROMEO P., CHAUVIN N., BLANCHARD N., SILLY M., SIROTTI F., GENDRY M.,
    PiezoNEMS workshop December 1st 2016 Grenoble, France (2016)
  • Complex oxides on semiconductors for nanoelectronic applications
    MAZET L., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., HYTCH M., SCHAMM-CHARDON S., DUBOURDIEU C.,
    TMS 2015 144th Annual Meeting March 15-19, 2015 Orlando, Fl, USA (2015)
  • Complex oxides on semiconductors for nanoelectronic applications
    MAZET L., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., HYTCH M., SCHAMM-CHARDON S., DUBOURDIEU C.,
    TMS 2015 conference 15-19 mars 2015 Orlando, (USA) (2015)
  • Molecular beam epitaxy of ferroelectric complex oxides on silicon
    DUBOURDIEU C., MAZET L., YANG S., COURS R., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., MAGEN C., HYTCH M., KALININ S., SCHAMM-CHARDON S.,
    19th Conference on "Insulating Films on Semiconductors (INFOS) June 30 - July 2, 2015 Udine, Italy (2015)
  • Catalyse par le Sr de de la cristallisation de SrTiO3 lors des premiers stades de sa croissance sur Si
    SAINT-GIRONS G., BACHELET R., GRENET G., PENUELAS J., LOUAHADJ L., CARRETERO-GENEVRIER A., CANUT B., SILLY M., SIROTTI F.,
    Colloque annuel du GDR PULSE 27-29 octobre 2014 Toulouse (France) (2014)
  • Epitaxy of ferroelectric complex oxides on semiconductors for field-effect devices
    MAZET L., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., LOUAHADJ L., ALBERTINI D., GAUTIER B., JORDAN-SWEET J., FRANK M., NARAYANAN V., HYTCH M., SCHAMM-CHARDON S., DUBOURDIEU C.,
    10th International Conference on Physics of Advanced Materials 22-28 September 2014 Iasi, Roumanie (2014)
  • Heterostructures combining functional oxides and semiconductors for integrated photonics
    SAINT-GIRONS G., CUEFF S., MEUNIER B., HU X., LOUAHADJ L., MAZET L., OROBTCHOUK R., ROJO ROMEO P., BACHELET R., VILQUIN B., REGRENY P., CHAUVIN N., GRENET G., PENUELAS J., DANESCU A., DUBOURDIEU C., LETARTRE X., RENAUD G., FAVRE-NICOLIN V., SAINT-GIRONS G.,
    Workshop “Les oxydes pour l’optique et la photonique” 8-9 décembre 2014 Meudon (France) (2014)
  • Integration of functional oxides on silicon for nanoelectronics and energy
    BACHELET R., LOUAHADJ L., MAZET L., MOALLA R., NIU G., REGRENY P., VILQUIN B., DUBOURDIEU C., FONTCUBERTA J., SANCHEZ F., SAINT-GIRONS G.,
    International Conference on Materials and Characterization Techniques (ICMCT) March 10 – 12, 2014 VIT Univ., Vellore, Chennai, India (2014)
  • Monolithic integration of epitaxial BaTiO3 on Si and SiGe for ferroelectric devices
    MAZET L., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., ALBERTINI D., GAUTIER B., FRANK M., JORDAN-SWEET J., LAUER I., NARAYANAN V., HYTCH M., SCHAMM-CHARDON S., DUBOURDIEU C.,
    AVS 61st International Symposium November 9-14, 2014 Baltimore, USA (2014)
  • Silicon CMOS Compatible Transition Metal Dioxide Technology for Boosting Highly Integrated Photonic Devices with Disruptive Performance
    Silicon CMOS Compatible Transition Metal Dioxide Technology for Boosting Highly Integrated Photonic Devices with Disruptive Performance
    SANCHIS P., SANCHEZ L., CASTERA P., ROSA A., GUTIERREZ A., BRIMONT A., SAINT-GIRONS G., OROBTCHOUK R., CUEFF S., ROJO ROMEO P., BACHELET R., REGRENY P., VILQUIN B., DUBOURDIEU C., LETARTRE X., GRENIER E., PENUELAS J., HU X., ABEL S., FOMPEYRINE J.,
    In this work we will present the objectives and last results of the FP7-ICT-2013-11-619456 SITOGA project. The SITOGA project will address the integration of transition metal dioxides (TMO) materials in silicon photonics and CMOS electronics. TMOs have unique electro-optical properties that will offer unprecedented and novel capabilities to the silicon platform. SITOGA will focus on two disruptive TMO materials, barium titanate (BaTiO3) and vanadium didioxide (VO2), for developing advanced photonic integrated devices for a wide range of applications. Innovative integration processes with silicon photonics circuits and CMOS electronics will be developed. The whole technology chain will be validated by two functional demonstrators: a 40 Gbit/s DPSK transceiver and an 8x8 switching matrix with 100 Gbit/s throughput. ×
    [abstract]
    SANCHIS P., SANCHEZ L., CASTERA P., ROSA A., GUTIERREZ A., BRIMONT A., SAINT-GIRONS G., OROBTCHOUK R., CUEFF S., ROJO ROMEO P., BACHELET R., REGRENY P., VILQUIN B., DUBOURDIEU C., LETARTRE X., GRENIER E., PENUELAS J., HU X., ABEL S., FOMPEYRINE J.,
    16th International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON) July 06-10, 2014 Graz, Austria (2014)

Communications avec actes dans un congrès international (27 publications)

Communications orales sans actes dans un congrès international ou national (14 publications)

  • GaAs Core / SrTiO3 Shell Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy
    GUAN X., BECDELIEVRE J., MEUNIER B., BENALI A., SAINT-GIRONS G., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., BLANCHARD N., JAURAND X., SILLY M., SIROTTI F., CHAUVIN N., GENDRY M., PENUELAS J.,
    MBE 2016, 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy September 4-9, 2016 Montpellier, France (2016)
  • Chemical solution deposition to epitaxial functional complex oxide nanostructures and thin films.
    CARRETERO-GENEVRIER A., GICH M., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., VILA-FUNGUEIRIñO J., RIBAS-MURIAS B., GAZQUEZ J., RODRIGUEZ-CARVAJAL J., SANCHEZ C., MESTRES N.,
    MRS 2015 6-9 April 2015 San Francisco, USA (2015)
  • Epitaxial Growth of Ferroelectric Pb(Zr,Ti)O3 thin Layers on SrTiO3-templated GaAs/InGaAs quantum well structure for opto-mechanical application
    MEUNIER B., LOUAHADJ L., LE BOURDAIS D., LARGEAU L., CHAUVIN N., AGNUS G., LECOEUR P., PILLARD V., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., SAINT-GIRONS G., , , , , , , ,
    ISOE 2015 summer school 12-24 octobre 2015 Cargese, (France) (2015)
  • Monolitic integration of functional oxides on silicon by chemical solution deposition
    Monolitic integration of functional oxides on silicon by chemical solution deposition
    CARRETERO-GENEVRIER A., GICH M., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., VILA-FUNGUEIRIñO J., RIBAS-MURIAS B., GAZQUEZ J., FERAIN E., PUIG T., RIVADULLA F., RODRIGUEZ-CARVAJAL J., MESTRES N.,
    In the past years, great efforts have been devoted to combine the functionality of oxides with the performances of semiconductor platforms for the development of novel and more efficient device applications. However, further incorporation of functional oxide nanostructures as active materials in electronics critically depends on the ability to integrate crystalline metal oxides into silicon structures [1]. In this regard, the presented work takes advantage of all the benefits of soft chemistry to overcome the main challenges for the monolithic integration of novel nanostructured functional oxide materials on silicon including (i) epitaxial piezoelectric α-quartz thin films with tunable textures on silicon wafers [2] and (ii) ferromagnetic La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO) thin films epitaxially grown on (100)-silicon at low temperature. Importantly, piezoelectric quartz growth mechanism is governed by a thermally activated devitrification of the native amorphous silica surface layer assisted by a heterogeneous catalysis under atmospheric conditions driven by alkaline earth cations present in the precursor solution. Quartz films are made of perfectly oriented individual crystallites epitaxially grown on (100) face of Si substrate with a controlled porosity after using templating agents [3]. Moreover, a quantitative study of the converse piezoelectric effect of quartz thin films through piezoresponse force microscopy shows that the piezoelectric coefficient d33 is between 1.5 and 3.5 pm/V which is in agreement with the 2.3 pm/V of the quartz single crystal d11. Epitaxial LSMO thin films synthesis, involves the use of polymer assisted deposition (PAD) process [4] combined with the controlled epitaxial growth of SrTiO3 buffer layer grown by molecular beam epitaxy (MBE) at the silicon surface, which allowed LSMO thin films to stabilize and crystallize at low temperature. All together, the methodology presented here exhibits a great potential and offers a pathway to design novel oxide compounds on silicon substrates by chemical routes with unique optical, electric, or magnetic properties. [1] A. Carretero-Genevrier et al. Nanoscale, 20, 892-897. (2014). [2] A. Carretero-Genevrier et al. Science, 20, 892-897. (2013). [3] G.L. Drisko et al. Adv.Funct.Mater. 24, 5494–5502 (2014) [4] Q. X. Jia, et al. Nature Materials 3, 529 (2004) ×
    [abstract]
    CARRETERO-GENEVRIER A., GICH M., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., VILA-FUNGUEIRIñO J., RIBAS-MURIAS B., GAZQUEZ J., FERAIN E., PUIG T., RIVADULLA F., RODRIGUEZ-CARVAJAL J., MESTRES N.,
    MRS 2015 6-9 April 2015 San Francisco (USA) (2015)
  • SrTiO3/GaAs epitaxial templates: role of Ti at the interface, and application to the fabrication of novel opto-mechanical devices
    MEUNIER B., BACHELET R., GRENET G., BOTELLA C., REGRENY P., LARGEAU L., PENUELAS J., SAINT-GIRONS G.,
    JSI 2015 28-30 janvier 2015 Toulouse, (France) (2015)
  • BaTiO3 grown on Si (001) by Molecular Beam Epitaxy for low power field-effect devices
    MAZET L., BACHELET R., LOUAHADJ L., ALBERTINI D., GAUTIER B., SAINT-GIRONS G., DUBOURDIEU C.,
    28èmes Journées Surfaces et Interfaces 29-31 Janvier 2014 Ecully, (France) (2014)
  • BaTiO3 grown on Si and SOI by molecular beam epitaxy for nanoelectronics
    MAZET L., BACHELET R., LOUAHADJ L., ALBERTINI D., GAUTIER B., SAINT-GIRONS G., DUBOURDIEU C.,
    13èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux 24-26 Mars 2014 Nantes, France (2014)
  • Electro-optic modulation using hybrid silicon-ferroelectric oxide slot waveguide
    CUEFF S., HU X., OROBTCHOUK R., ROJO ROMEO P., BACHELET R., VILQUIN B., DUBOURDIEU C., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., SAINT-GIRONS G., CASTERA P., SANCHEZ C., ANGELOVA T., BELLIERES L., GRIOL A., GUTIERREZ A., SANCHIS P., , ,
    Workshop “Les oxydes pour l’optique et la photonique” 8-9 décembre 2014 Meudon, (France) (2014)
  • Epitaxial growth by molecular beam epitaxy of ferroelectric BaTiO3 on silicon
    MAZET L., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., YANG M., KALININ S., HYTCH M., SCHAMM-CHARDON S., DUBOURDIEU C.,
    Workshop “Les oxydes pour l’optique et la photonique” 8-9 décembre 2014 Meudon, (France). (2014)
  • Epitaxial growth of BaTiO3 on Si and SOI by molecular beam epitaxy for ferroelectric applications
    MAZET L., BACHELET R., LOUAHADJ L., SCHAMM-CHARDON S., HYTCH M., ALBERTINI D., GAUTIER B., SAINT-GIRONS G., DUBOURDIEU C.,
    ISAF 2014 May 12-16, 2014 Penn State University in State College, PA, USA (2014)
  • Epitaxial Growth of Ferroelectric Pb(Zr,Ti)O3 thin Layers on SrTiO3-templated GaAs/InGaAs quantum well structure for opto-mechanical application
    MEUNIER B., LOUAHADJ L., LE BOURDAIS D., LARGEAU L., CHAUVIN N., AGNUS G., LECOEUR P., PILLARD V., BACHELET R., REGRENY P., BOTELLA C., GRENET G., SAINT-GIRONS G., , , , , , , ,
    Workshop “Les oxydes pour l’optique et la photonique” 8-9 décembre 2014 , Meudon, (France) (2014)
  • Ferroelectric BaTiO3 thin films grown on Si(001) by molecular beam epitaxy
    MAZET L., BACHELET R., LOUAHADJ L., MOALLA R., ALBERTINI D., GAUTIER B., SAINT-GIRONS G., DUBOURDIEU C.,
    European Conference on Application of Polar Dielectrics (ECAPD) July 7-11, 2014 Vilnius, Lithuania (2014)
  • Resistive switching of HfO2-based metal-insulator-metal devices
    MINVIELLE M., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., GHIBAUDO G., ALIBART F., DUBOURDIEU C.,
    CRIEC 2014 june 1-5 2014 Ecole Centrale de Lyon, Ecully (France) (2014)
  • Ti-based interface engineering for heteroepitaxial growth of SrTiO3 on GaAs
    MEUNIER B., LOUAHADJ L., GRENET G., BOTELLA C., REGRENY P., BACHELET R., PENUELAS J., RENAUD G., SAINT-GIRONS G.,
    28èmes Journées Surfaces et Interfaces 29-31 Janvier 2014 Ecully France (2014)

Communications par affiche dans un congrès international ou national (3 publications)

Ouvrages scientifiques (ou chapitres de ces ouvrages) (1 publication)

  • Development of Epitaxial Oxide Ceramics Nanomaterials Based on Chemical Strategies on Semiconductor Platforms
    Development of Epitaxial Oxide Ceramics Nanomaterials Based on Chemical Strategies on Semiconductor Platforms
    CARRETERO-GENEVRIER A., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., MOALLA R., VILA-FUNGUEIRIñO J., RIVAS-MURIAS B., RIVADULLA F., RODRIGUEZ-CARVAJAL J., GOMES A., GAZQUEZ J., GICH M., MESTRES N.,
    The technological impact of combining substrate technologies with the properties of functional advanced oxide ceramics is colossal given its relevant role in the development of novel and more efficient devices. However the precise control of interfaces and crystallization mechanisms of dissimilar materials at the nanoscale needs to be further developed. As an example, the integration of hybrid structures of high quality epitaxial oxide films and nanostructures on silicon as remains extremely challenging because these materials present major chemical, structural and thermal differences. This book chapter describes the main promising strategies that are being used to accommodate advanced oxide nanostructured ceramics on different technological substrates via chemical solution deposition approaches. We will focus on novel examples separated in two main sections: (i) epitaxial ceramic nanomaterials entirely performed by soft chemistry, such as nanostructured piezoelectric quartz thin films on silicon or 1D complex oxide nanostructures epitaxially grown on silicon, and (ii) ceramic materials prepared by combining soft chemistry and physical techniques, such as epitaxial perovskite oxide thin films on silicon using the combination of soft chemistry and Molecular Beam Epitaxy (MBE). Consequently, this chapter will cover cutting-edge strategies based on the potential of combining epitaxial growth and chemical solution deposition to develop oxide ceramics nanomaterials with novel structures and improved physical properties. ×
    [abstract]
    CARRETERO-GENEVRIER A., BACHELET R., SAINT-GIRONS G., MOALLA R., VILA-FUNGUEIRIñO J., RIVAS-MURIAS B., RIVADULLA F., RODRIGUEZ-CARVAJAL J., GOMES A., GAZQUEZ J., GICH M., MESTRES N.,
    Advanced Ceramic Materials Wiley Ashutosh Tiwari (Editor), Rosario A. Gerhardt (Editor), Magdalena Szutkowska (Editor) (2016)