Technologie - Caractérisation - Moyens de calcul  

TECHNOLOGIE :

Réacteur d'épitaxie par jets moléculaires (Riber 2 300) III-V (Arsenic).
  
Réacteur d'épitaxie par jets moléculaires (Riber 2 300) III-V (Phosphore).
Réacteur plasma PECVD-ECR Si/SiO₂/Si₃N_4.
 
Réacteur plasma PECVD-ECR SiO₂/TiO_2.

Salle blanche classe 10 000-100 avec notamment :
  

1 photomasqueur Karl Suss.

1 système de lithographie électronique.
3 évaporateurs à effet joule (1 Leybold-2 Edwards).
1 bâti de pulvérisation.
1 réacteur RIE pour III-V et diélectriques.
Micro-usinage de III-V.

profilomètre Tencor
2 microscopes électroniques à balayage.

 

  Banc de nano-mouillage

CARACTERISATION :

Centrale de caractérisation électrique avec notamment :
 
pont d'admittance-HP 4284 A.
analyseur de paramètres HP 4145.
analyseur de spectres Advantest 9111B.
banc d'Effet Hall.

Imageur de photoluminescence à 300 K.

Système double diffraction x.
Imageur de photoluminescence à 4 K (Scantek).

Spectrophotomètres UV et IR

Cartographie de fluorescence statique
Cartographie d'impédance électrochimique

Cartographie de fluorescence dynamique
Spectrofluorimètre
Ellipsomètres spectroscopiques (2 prototypes + 1 Jobin et Yvon).

Diffractomètre RHEED - diffractomètre LEED.

Spectromètre de photoélectrons XPS-UPS (VSW).
 
2 microscopes a effet tunnel STM air liquide (prototypes).
Microscope a effet tunnel STM UHV connecté au réacteurMBE.

Ensemble UHV-STM-LEED Auger.


Bancs de caratérisation de composants microphotoniquese

 

 

Remarque : les réacteurs MBE, PECVD-ECR et les équipements XPS et STM sont interconnectés dans un système multichambres.

 
 
 MOYENS DE CALCUL :

stations de travail SUN en réseau ethernet.
Cluster de PC pour calcul parallèle.