Equipements

Technologie - Caractérisation - Moyens de calcul
 

TECHNOLOGIE :

      Réacteur d'épitaxie par jets moléculaires (Riber 2 300) III-V (Arsenic).
        
      Réacteur d'épitaxie par jets moléculaires (Riber 2 300) III-V (Phosphore).
      Réacteur plasma PECVD-ECR Si/SiO2/Si3N4.
       
      Réacteur plasma PECVD-ECR SiO2/TiO2.

      Salle blanche classe 10 000-100 avec notamment :
        

        1 photomasqueur Karl Suss.

        1 système de lithographie électronique.
        3 évaporateurs à effet joule (1 Leybold-2 Edwards).
        1 bâti de pulvérisation.
        1 réacteur RIE pour III-V et diélectriques.
        Micro-usinage de III-V.

        profilomètre Tencor
        2 microscopes électroniques à balayage.

         

  Banc de nano-mouillage

CARACTERISATION :

      Centrale de caractérisation électrique avec notamment :
       
        pont d'admittance-HP 4284 A.
        analyseur de paramètres HP 4145.
        analyseur de spectres Advantest 9111B.
        banc d'Effet Hall.

      Imageur de photoluminescence à 300 K.

      Système double diffraction x.
      Imageur de photoluminescence à 4 K (Scantek).

      Spectrophotomètres UV et IR

      Cartographie de fluorescence statique
      Cartographie d'impédance électrochimique

      Cartographie de fluorescence dynamique
      Spectrofluorimètre
      Ellipsomètres spectroscopiques (2 prototypes + 1 Jobin et Yvon).

      Diffractomètre RHEED - diffractomètre LEED.

      Spectromètre de photoélectrons XPS-UPS (VSW).
       
      2 microscopes a effet tunnel STM air liquide (prototypes).
      Microscope a effet tunnel STM UHV connecté au réacteurMBE.

      Ensemble UHV-STM-LEED Auger.

    Bancs de caratérisation de composants microphotoniquese


 

 

Remarque : les réacteurs MBE, PECVD-ECR et les équipements XPS et STM sont interconnectés dans un système multichambres.


 
 
 MOYENS DE CALCUL :

      stations de travail SUN en réseau ethernet.
      Cluster de PC pour calcul parallèle.